公开(公告)号：CN109616471A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811523977.6

申请日：2018-12-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡志宇 ,  刘洋 ,  吴振华 ,  木二珍

IPC: H01L27/06 ,  G21H1/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8252

CPC classification number: H01L27/06 ,  G21H1/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明涉及一种微型核能自供电集成电路芯片及其制备方法，所述芯片包括基底以及设置于所述基底上的微型核电池和电子元件，所述电子元件通过绝缘层设置于基底上，所述微型核电池与电子元件连接，其中，所述微型核电池包括相连接的半导体换能单元和放射性同位素薄膜，所述半导体换能单元由上至下依次包括上电极、欧姆金属、换能半导体薄膜和肖特基金属以及与分别连接肖特基金属和换能半导体薄膜的下电极，所述放射性同位素薄膜与肖特基金属和下电极形成的表面相接触，半导体换能单元通过外部连接电路与电子元件连接；芯片整体尺寸在厘米级或以下。与现有技术相比，本发明具有能自供电、可极大提高自供电集成电路芯片的能量密度及使用寿命等优点。

公开(公告)号：CN107017824A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710177544.9

申请日：2017-03-23

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡志宇 ,  木二珍 ,  杨钢

IPC: H02S10/30 ,  H02S40/44

CPC classification number: Y02E10/60 ,  H02S10/30 ,  H02S40/44

Abstract: 本发明涉及一种光电热电复合发电装置，包括相连接的光伏太阳能电池板(1)和光伏太阳能输出电路(9)，还包括与所述光伏太阳能电池板(1)连接的光热电器件(8)以及与所述光热电器件(8)连接的光热电输出电路(10)，所述光热电器件(8)包括由上至下依次设置的金属顶电极(3)、热电材料层、金属底电极(6)和下基底(7)，所述光热电输出电路(10)与金属顶电极(3)连接，该光热电器件(8)还可包括上基底(2)。与现有技术相比，本发明将光热电器件与太阳能光伏电池结合，将太阳能电池板不能吸收应用的太阳能及太阳能电池板产生的废热充分利用直接转换为电能输出，有效提高太阳能转化效率。

公开(公告)号：CN109036614A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810828330.8

申请日：2018-07-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡志宇 ,  吴振华 ,  木二珍 ,  陈祥 ,  吴之茂 ,  刘洋

IPC: G21H1/06 ,  G21H1/10

CPC classification number: G21H1/06 ,  G21H1/103

Abstract: 本发明涉及一种芯片级微型核电源，包括防护层以及封装于所述防护层内的内部连接电路、核电输出电路、放射性同位素薄膜和两个能量转换器，两个所述能量转换器镜像对称设置于放射性同位素薄膜两侧，且分别连接所述内部连接电路和核电输出电路，所述核电源的尺寸为厘米级别。与现有技术相比，本发明将放射性同位素微尺度化，制备成薄膜，降低熔堆等危险，将薄膜集成在微型化的能量转换器件上，通过功能材料层、三明治结构与模块化灵活组装，最大限度同时利用放射性同位素中的衰变热能与电离辐射能，能够满足未来小型轻量化、长寿命安全能源系统需求，解决当前能源供给系统能量密度过低、使用寿命不足以及应用范围受限的问题。

公开(公告)号：CN106783981A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611044031.2

申请日：2016-11-24

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡志宇 ,  木二珍 ,  岳静静 ,  吴振华 ,  杨钢

IPC: H01L29/66 ,  H02N11/00

CPC classification number: H01L29/66 ,  H02N11/002

Abstract: 本发明涉及一种高效率电场增强能量转换装置，包括层状能量转换单元和外电源，所述由上至下依次连接设置的纳米催化颗粒层、第一金属层、第一绝缘层、半导体层、第二绝缘层和第二金属层，所述外电源的正极与第二金属层连接，负极接地，产生一个方向为从第二金属层指向纳米催化颗粒层的外加电场。与现有技术相比，本发明可以提高电场中电子的动能，使更多电子越过金属与半导体之间形成的势垒，提高发射电子数量，提高热电子发射电流密度。

公开(公告)号：CN109616471B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201811523977.6

申请日：2018-12-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡志宇 ,  刘洋 ,  吴振华 ,  木二珍

IPC: H01L27/06 ,  G21H1/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明涉及一种微型核能自供电集成电路芯片及其制备方法，所述芯片包括基底以及设置于所述基底上的微型核电池和电子元件，所述电子元件通过绝缘层设置于基底上，所述微型核电池与电子元件连接，其中，所述微型核电池包括相连接的半导体换能单元和放射性同位素薄膜，所述半导体换能单元由上至下依次包括上电极、欧姆金属、换能半导体薄膜和肖特基金属以及与分别连接肖特基金属和换能半导体薄膜的下电极，所述放射性同位素薄膜与肖特基金属和下电极形成的表面相接触，半导体换能单元通过外部连接电路与电子元件连接；芯片整体尺寸在厘米级或以下。与现有技术相比，本发明具有能自供电、可极大提高自供电集成电路芯片的能量密度及使用寿命等优点。