一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用

    公开(公告)号:CN115568277A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202211345253.3

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本发明涉及一种二维过渡金属硫硒化物异质结忆阻器及其应用,该忆阻器由下至上依次为衬底、底电极层、阻变功能层和顶电极层,其中,所述阻变功能层为二维过渡金属硫硒化物异质结层。本发明将二维过渡金属硫硒化物异质结作为阻变功能层与衬底,底电极层和顶电极层组装成忆阻器,这种忆阻器具有快速开关过程、高密度集成、以及更低的能耗等优势,并且与传统硅基CMOS工艺兼容,适合大规模生产,有望运用在神经突触、图像识别、逻辑计算等领域。

    一种芯片级超薄光功率计探头
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115219021A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210832915.3

    申请日:2022-07-14

    Abstract: 本发明涉及一种芯片级超薄光功率计探头,包括一侧开口的外壳、安装在所述外壳开口处的光学玻璃,以及置于所述外壳的超薄热电芯片,所述超薄热电芯片朝向光学玻璃的一侧表面一体加工有光热敏感层,相对另一侧表面则设有恒温基底。与现有技术相比,本发明的探头具有良好的稳定性和可靠性,并可实现对光热敏感层温度的定量测量等。

    基于薄膜热电器件的多颜色多材料光热传感器及试验设备

    公开(公告)号:CN113358575B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202110567316.9

    申请日:2021-05-24

    Abstract: 本发明涉及一种基于薄膜热电器件的多颜色多材料光热传感器及试验设备,所述光热传感器包括光源、石英片、薄膜热电器件、温度控制模块、升压降噪模块和数据采集模块,所述薄膜热电器件一端为与待测样品接触的热端,另一端与所述温度控制模块接触,所述升压降噪模块通过导线分别连接薄膜热电器件和数据采集模块,所述薄膜热电器件采用热流垂直于界面的π型结构;所述光热传感器使用时,所述待测样品放置于热端,并透过所述石英片接受所述光源的照射。与现有技术相比,本发明可实现对微小温差的灵敏感知,能够对多颜色多材料待测样品的光热效果进行有效分辨,并对升温过程进行实时监控。

    基于薄膜热电器件的多颜色多材料光热传感器及试验设备

    公开(公告)号:CN113358575A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110567316.9

    申请日:2021-05-24

    Abstract: 本发明涉及一种基于薄膜热电器件的多颜色多材料光热传感器及试验设备,所述光热传感器包括光源、石英片、薄膜热电器件、温度控制模块、升压降噪模块和数据采集模块,所述薄膜热电器件一端为与待测样品接触的热端,另一端与所述温度控制模块接触,所述升压降噪模块通过导线分别连接薄膜热电器件和数据采集模块,所述薄膜热电器件采用热流垂直于界面的π型结构;所述光热传感器使用时,所述待测样品放置于热端,并透过所述石英片接受所述光源的照射。与现有技术相比,本发明可实现对微小温差的灵敏感知,能够对多颜色多材料待测样品的光热效果进行有效分辨,并对升温过程进行实时监控。

    可编辑超薄纵向多层串联结构热电薄膜及制备方法和热电器件单元

    公开(公告)号:CN107093663A

    公开(公告)日:2017-08-25

    申请号:CN201710232389.6

    申请日:2017-04-11

    Abstract: 本发明涉及一种可编辑超薄纵向多层串联结构热电薄膜及制备方法和热电器件单元,该薄膜由多层材料纵向串联而成。串联组成薄膜的各层材料可采用以下方法中的一种或多种制成薄膜,包括液相法、物理气相法、电化学法等,物理气相法中例如磁控溅射、电子束蒸发或分子束外延法沉积薄膜,其中每层可同时使用上述其中一种薄膜制备方式,也可分别使用两种或多种薄膜制备方式。热电器件单元包括依次叠加的基底(1)、底电极(2)、超薄纵向多层串联结构热电薄膜柱(3)、顶电极(4)。与现有技术相比,本发明超薄纵向多层串联结构热电薄膜结构及性能可编辑,制成的热电器件尺寸及自重较小,相对于体结构的块体热电器件,性能提升空间更大,应用范围更广。

    一种模块化微型核电源、以及微型核电源装置

    公开(公告)号:CN115206579A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210836670.1

    申请日:2022-07-15

    Abstract: 本发明涉及一种模块化微型核电源、以及微型核电源装置,该微型核电源由放射性同位素层,核电换能模块,热电换能模块和电源管理装置组成。本发明中,核电换能模块可以将放射性同位素的衰变能转换成电能,热电换能模块可以将放射性同位素层和核电换能模块释放的低品位废热转换成电能,这种夹层形式的结构实现了对核能的多级高效利用,也有利于大规模生产和按需装配等。

    一种微型核能自供电集成电路芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109616471A

    公开(公告)日:2019-04-12

    申请号:CN201811523977.6

    申请日:2018-12-13

    CPC classification number: H01L27/06 G21H1/06 H01L21/822 H01L21/8252

    Abstract: 本发明涉及一种微型核能自供电集成电路芯片及其制备方法,所述芯片包括基底以及设置于所述基底上的微型核电池和电子元件,所述电子元件通过绝缘层设置于基底上,所述微型核电池与电子元件连接,其中,所述微型核电池包括相连接的半导体换能单元和放射性同位素薄膜,所述半导体换能单元由上至下依次包括上电极、欧姆金属、换能半导体薄膜和肖特基金属以及与分别连接肖特基金属和换能半导体薄膜的下电极,所述放射性同位素薄膜与肖特基金属和下电极形成的表面相接触,半导体换能单元通过外部连接电路与电子元件连接;芯片整体尺寸在厘米级或以下。与现有技术相比,本发明具有能自供电、可极大提高自供电集成电路芯片的能量密度及使用寿命等优点。

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