公开(公告)号：CN109616471A

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201811523977.6

申请日：2018-12-13

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡志宇 ,  刘洋 ,  吴振华 ,  木二珍

IPC: H01L27/06 ,  G21H1/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8252

CPC classification number: H01L27/06 ,  G21H1/06 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明涉及一种微型核能自供电集成电路芯片及其制备方法，所述芯片包括基底以及设置于所述基底上的微型核电池和电子元件，所述电子元件通过绝缘层设置于基底上，所述微型核电池与电子元件连接，其中，所述微型核电池包括相连接的半导体换能单元和放射性同位素薄膜，所述半导体换能单元由上至下依次包括上电极、欧姆金属、换能半导体薄膜和肖特基金属以及与分别连接肖特基金属和换能半导体薄膜的下电极，所述放射性同位素薄膜与肖特基金属和下电极形成的表面相接触，半导体换能单元通过外部连接电路与电子元件连接；芯片整体尺寸在厘米级或以下。与现有技术相比，本发明具有能自供电、可极大提高自供电集成电路芯片的能量密度及使用寿命等优点。

公开(公告)号：CN104464868A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410808033.9

申请日：2014-12-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郭航 ,  戴昌鸿 ,  笪凯 ,  吴凯

IPC: G21H1/06

CPC classification number: G21H1/06

Abstract: GaN肖特基结型核电池及其制备方法，涉及核电池。核电池从下至上依次包括蓝宝石衬底层、GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层、肖特基金属层、SiO2保护层、欧姆接触层和放射性同位素层。在蓝宝石衬底上依次生长GaN缓冲层、n+GaN层、n-GaN层；在n-GaN层上得到两个暴露出n+GaN层的窗口；在整个器件的上表面生长SiO2保护层；在SiO2保护层上腐蚀出用于肖特基接触的窗口；通过光刻和溅射的方法得到肖特基金属层；光刻并腐蚀出用于欧姆接触的窗口；通过光刻和溅射的步骤得到欧姆接触层，退火，得到良好的欧姆接触，SiO2保护层在此过程中起到保护的作用；加上放射性同位素层以形成核电池。

公开(公告)号：CN102354540B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201110319001.9

申请日：2011-10-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张克基 ,  张玉明 ,  张玉娟 ,  韩超 ,  石彦强

IPC: G21H1/06

CPC classification number: G21H1/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该n型SiC外延层(6)是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。

公开(公告)号：CN109036614A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810828330.8

申请日：2018-07-25

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡志宇 ,  吴振华 ,  木二珍 ,  陈祥 ,  吴之茂 ,  刘洋

IPC: G21H1/06 ,  G21H1/10

CPC classification number: G21H1/06 ,  G21H1/103

Abstract: 本发明涉及一种芯片级微型核电源，包括防护层以及封装于所述防护层内的内部连接电路、核电输出电路、放射性同位素薄膜和两个能量转换器，两个所述能量转换器镜像对称设置于放射性同位素薄膜两侧，且分别连接所述内部连接电路和核电输出电路，所述核电源的尺寸为厘米级别。与现有技术相比，本发明将放射性同位素微尺度化，制备成薄膜，降低熔堆等危险，将薄膜集成在微型化的能量转换器件上，通过功能材料层、三明治结构与模块化灵活组装，最大限度同时利用放射性同位素中的衰变热能与电离辐射能，能够满足未来小型轻量化、长寿命安全能源系统需求，解决当前能源供给系统能量密度过低、使用寿命不足以及应用范围受限的问题。

公开(公告)号：CN104966541A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510336401.9

申请日：2015-06-17

Applicant: 上海理工大学

Inventor： 曹岚

IPC: G21H1/06

CPC classification number: G21H1/06

Abstract: 本发明提供一种能耗、处理成本更低且可以广泛适用的放射性光电转换电池。本发明涉及的放射性光电转换电池，用于将放射源放射出的放射能转换为电能，具有：由筒体包围形成的放射源容纳腔，用于容纳放射源；具有柔韧性的太阳能电池板，用于将放射能转换为电能；金属板，用于在放射能作用于太阳能电池板时感应产生正电荷；以及夹设在太阳能电池板与金属板之间的柔性绝缘层，其中，太阳能电池板、金属板以及绝缘层叠设形成光电转换板，光电转换板绕卷于放射源容纳腔外并包裹若干层。

公开(公告)号：CN104934091A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510410519.1

申请日：2015-07-14

Applicant: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所

Inventor： 夏修龙 ,  郝繁华 ,  李毅 ,  付中华 ,  熊亮萍 ,  谢波 ,  肖成健 ,  龚宇 ,  侯京伟 ,  张勤英 ,  陈平

IPC: G21H1/06

CPC classification number: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种选择性通过材料及其制备方法，属于材料技术领域；所述选择性通过材料上有用于氦气通过的通道，该通道是材料经中子照射产生氦并通过氦气释放过程形成的；其制备过程包括：将粉末状金属和粉末状10B的单质/化合物混合，通过烧结制得基体，再将所得基体进行中子照射处理，最后将中子照射处理后的基体进行加热处理以释放中子照射产生的氦而成；本发明解决了238Pu透氦阻钚材料制备难题，巧妙利用10B与中子产生氦这一特点，量身打造氦原子扩散的专属通道，具有优异的选择性通过性能，并且制备过程每个步骤条件容易控制，避免了国外工艺成品率低和质量不稳定缺点，本发明还可以作为透氦窗材料推广应用于238Pu以外的α衰变同位素。

公开(公告)号：CN103730180A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310309113.5

申请日：2013-07-23

Applicant: 超科技公司

Inventor： A·W·泽菲洛普洛 ,  A·M·霍里鲁克

IPC: G21H1/02 ,  G21H1/06

CPC classification number: B60L11/18 ,  B60L11/002 ,  G21H1/00 ,  G21H1/06

Abstract: 本发明内容涉及用于运输应用的贝塔伏特电源。公开了用于运输装置和应用的贝塔伏特电源，其中，所述装置具有同位素层以及能量转换层的堆叠配置。同位素层具有约0.5年至约5年之间的半衰期，且产生能量在约15keV至约200keV的范围内的辐射。贝塔伏特电源被配置为提供足够的电力以在运输装置的有效寿命内操作该运输装置。

公开(公告)号：CN102354540A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110319001.9

申请日：2011-10-19

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  张克基 ,  张玉明 ,  张玉娟 ,  韩超 ,  石彦强

IPC: G21H1/06

CPC classification number: G21H1/06 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明公开了一种I层钒掺杂的PIN型核电池及其制作方法，主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池中I层掺杂浓度高的问题。本发明的PIN型核电池自上而下包括放射性同位素源层(1)、SiO2致密绝缘层(2)、SiO2钝化层(3)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019～5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018～7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该n型SiC外延层(6)是通过注入能量为2000KeV～2500KeV，剂量为5×1013～1×1015cm-2的钒离子形成掺杂浓度为1×1013～5×1014cm-3的n型SiC外延层。本发明具有电子空穴对收集率，器件的开路电压和能量转换效率高的优点，可作为微系统的片上电源、心脏起搏器的电源和手机备用电源。

公开(公告)号：CN108511103A

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201810520037.5

申请日：2018-05-28

Applicant: 温州大学

Inventor： 王国忠

IPC: G21H1/06

CPC classification number: G21H1/06

Abstract: 本发明提供一种核太阳能电池单元，其包括至少一个金属框架，并在金属框架内设置若干栅格，至少一个栅格内设置可更换的面放射源，并以该面放射源为中心，在其周向/单向设置若干太阳能电池组件，太阳能电池组件阵列设置在面放射源的周向/单向，并将面放射源包覆，面放射源包括核废料以及金属外皮，金属外皮包裹核废料并对金属外皮进行绝缘处理，金属框架外设有防辐射罩，所述太阳能电池组件的边缘均设有供电端，与现有的太阳能电池相比，本发明的核太阳能电池单元除了可以利用太阳能外，更主要的是利用核废料的高能射线发电，因此具有非常强大的发电能力；其次，本发明的太阳能电池几乎不受天气变化的影响，可以日夜不间断发电。

公开(公告)号：CN107945901A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711436875.6

申请日：2017-12-26

Applicant: 深圳贝塔能量技术有限公司 ,  厦门大学深圳研究院

Inventor： 陈继革 ,  伞海生

IPC: G21H1/04 ,  G21H1/06

CPC classification number: G21H1/04 ,  G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种量子点贝塔伏特电池，其包括置于底部电极(5)和顶部电极(1)之间的半导体纳米管阵列薄膜(4)，所述半导体纳米管的管内壁上涂有量子点层(7)，所述量子点层(7)上又涂有固态同位素辐射源层(3)，或者所述量子点层(7)所围成的管状空间填充有气态或液态同位素辐射源。本发明向半导体纳米管中引入量子点，提高了贝塔伏特电池的短路电流和开路电压以及能量转换效率。