公开(公告)号：CN110556294A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910470720.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田拓巳 ,  佐野和成 ,  百武宏展

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质，在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。基板液处理方法包括以下工序：通过使基板(8)浸在处理液中来对基板(8)进行处理；探测使对基板(8)进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。

公开(公告)号：CN108695201B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201810267182.7

申请日：2018-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小西辉明 ,  佐野和成 ,  田中幸二

IPC: H01L21/67 ,  G01G17/04

Abstract: 提供一种称量装置及方法、基板液处理装置及方法和存储介质。本发明提供一种高精度地定量供给要用于基板液处理装置中的处理液的基板液处理装置(A1)，所述基板液处理装置(A1)具备：贮存管(61)，其贮存处理液；导入配管(62)，其向贮存管(61)导入处理液；送出配管(63)，其从贮存管(61)送出处理液；以及气体供给部(65)，其通过向贮存于贮存管(61)的处理液的表面吹扫气体来进行处理液的刮除。

公开(公告)号：CN108695201A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810267182.7

申请日：2018-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小西辉明 ,  佐野和成 ,  田中幸二

IPC: H01L21/67 ,  G01G17/04

CPC classification number: H01L21/67242 ,  G01F11/00 ,  G01F11/284 ,  G01G5/00 ,  G01N5/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67718 ,  G01G17/04

Abstract: 提供一种称量装置及方法、基板液处理装置及方法和存储介质。本发明提供一种高精度地定量供给要用于基板液处理装置中的处理液的基板液处理装置(A1)，所述基板液处理装置(A1)具备：贮存管(61)，其贮存处理液；导入配管(62)，其向贮存管(61)导入处理液；送出配管(63)，其从贮存管(61)送出处理液；以及气体供给部(65)，其通过向贮存于贮存管(61)的处理液的表面吹扫气体来进行处理液的刮除。

公开(公告)号：CN112309905B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202010714691.7

申请日：2020-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野和成 ,  田中雄一 ,  甲斐义广

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够在处理多张基板的批量式的装置中提高处理槽的槽内的温度控制性。所述基板处理装置具有：处理槽，其用于贮存处理液，多张基板浸在该处理液中；多个液供给部，所述多个液供给部包括用于向所述处理槽的槽内供给所述处理液的供给路径以及在所述供给路径的中途将所述处理液进行加热的加热机构；以及多个槽内温度传感器，所述多个槽内温度传感器在所述处理槽的槽内的多个部位测定所述处理液的温度。

公开(公告)号：CN110556294B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN201910470720.7

申请日：2019-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本田拓巳 ,  佐野和成 ,  百武宏展

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质，在浸渍蚀刻工艺中在适当的定时变更处理参数。基板液处理方法包括以下工序：通过使基板(8)浸在处理液中来对基板(8)进行处理；探测使对基板(8)进行处理的工序的处理条件变更的变换点；以及在探测到变换点的情况下，变更处理条件。

公开(公告)号：CN112309905A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010714691.7

申请日：2020-07-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐野和成 ,  田中雄一 ,  甲斐义广

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够在处理多张基板的批量式的装置中提高处理槽的槽内的温度控制性。所述基板处理装置具有：处理槽，其用于贮存处理液，多张基板浸在该处理液中；多个液供给部，所述多个液供给部包括用于向所述处理槽的槽内供给所述处理液的供给路径以及在所述供给路径的中途将所述处理液进行加热的加热机构；以及多个槽内温度传感器，所述多个槽内温度传感器在所述处理槽的槽内的多个部位测定所述处理液的温度。