公开(公告)号：CN115244209B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202180019377.X

申请日：2021-03-04

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 浜岛和雄 ,  森笹真司 ,  穴井真亮

IPC: C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供一种新型的钨系喷镀覆膜和用于获得该喷镀覆膜的喷镀材料，所述钨系喷镀覆膜适合作为使用卤素气体的等离子体蚀刻装置用构件等。一种喷镀覆膜和具有该喷镀覆膜的等离子体蚀刻装置用构件，所述喷镀覆膜的特征在于，其含有钨作为基质相，且含有包含硅和硼的氧化物作为分散相。一种喷镀用材料，其特征在于，其包含1～7重量％的硅、0.5～3重量％的硼，且包含钨和不可避免的杂质作为余量。一种喷镀该喷镀用材料来制造喷镀覆膜的方法。

公开(公告)号：CN115244209A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019377.X

申请日：2021-03-04

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 浜岛和雄 ,  森笹真司 ,  穴井真亮

IPC: C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供一种新型的钨系喷镀覆膜和用于获得该喷镀覆膜的喷镀材料，所述钨系喷镀覆膜适合作为使用卤素气体的等离子体蚀刻装置用构件等。一种喷镀覆膜和具有该喷镀覆膜的等离子体蚀刻装置用构件，所述喷镀覆膜的特征在于，其含有钨作为基质相，且含有包含硅和硼的氧化物作为分散相。一种喷镀用材料，其特征在于，其包含1～7重量％的硅、0.5～3重量％的硼，且包含钨和不可避免的杂质作为余量。一种喷镀该喷镀用材料来制造喷镀覆膜的方法。