公开(公告)号：CN118043492A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202280066605.3

申请日：2022-12-08

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 浜岛和雄 ,  矢野步 ,  森笹真司

IPC: C23C4/11 ,  C04B35/505 ,  C23C14/08 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 提供作为等离子体蚀刻装置用构件合适的、耐等离子体性高的含Y2O3的成膜材料及其制造方法。一种成膜材料，其特征在于，其为含有固溶体的成膜材料，所述固溶体包含Y2O3、和仅含有ZrO2、HfO2或Nb2O5的金属氧化物，在前述金属氧化物为ZrO2的情况下，ZrO2的含量为2～12摩尔％，前述金属氧化物为HfO2的情况下，HfO2的含量为4～24摩尔％，在前述金属氧化物为Nb2O5的情况下，Nb2O5的含量为1～8摩尔％，并且，该固溶体的晶体结构具有Y2O3的正六面体晶体结构。

公开(公告)号：CN115244209B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202180019377.X

申请日：2021-03-04

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 浜岛和雄 ,  森笹真司 ,  穴井真亮

IPC: C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供一种新型的钨系喷镀覆膜和用于获得该喷镀覆膜的喷镀材料，所述钨系喷镀覆膜适合作为使用卤素气体的等离子体蚀刻装置用构件等。一种喷镀覆膜和具有该喷镀覆膜的等离子体蚀刻装置用构件，所述喷镀覆膜的特征在于，其含有钨作为基质相，且含有包含硅和硼的氧化物作为分散相。一种喷镀用材料，其特征在于，其包含1～7重量％的硅、0.5～3重量％的硼，且包含钨和不可避免的杂质作为余量。一种喷镀该喷镀用材料来制造喷镀覆膜的方法。

公开(公告)号：CN115244209A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019377.X

申请日：2021-03-04

Applicant: 东华隆株式会社

Inventor： 浜岛和雄 ,  森笹真司 ,  穴井真亮

IPC: C23C4/06 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供一种新型的钨系喷镀覆膜和用于获得该喷镀覆膜的喷镀材料，所述钨系喷镀覆膜适合作为使用卤素气体的等离子体蚀刻装置用构件等。一种喷镀覆膜和具有该喷镀覆膜的等离子体蚀刻装置用构件，所述喷镀覆膜的特征在于，其含有钨作为基质相，且含有包含硅和硼的氧化物作为分散相。一种喷镀用材料，其特征在于，其包含1～7重量％的硅、0.5～3重量％的硼，且包含钨和不可避免的杂质作为余量。一种喷镀该喷镀用材料来制造喷镀覆膜的方法。