-
公开(公告)号：CN114684797B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210226836.8
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/082 , B01J8/26
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体的系统和方法。该方法通过硅源气与氮源气混合发生反应生成硅胺前驱体粉体，随后经过多次交替吸附硅源气和氮源气与控制增氧的方法获得双壳层球形含氧前驱体粉体，后续进行副产物脱除和热分解得到双壳层纯相Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度的多壳层纯相Si2N2O球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
-
公开(公告)号：CN114634168A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210226837.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体的系统和方法。该方法首先通过硅源气与氮源气混合反应获得硅胺前驱体，随后交替利用氧源气和硅源气与氮源气的组合气，获得多壳层球形含氧前驱体，最后经高温热分解获得纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度多壳层纯相Si2N2O空心球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
-
公开(公告)号：CN114634363B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210226229.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C04B35/597 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相Si2N2O粉体的系统及方法，利用硅源气、氮源气和氧源气混合反应一步制备含氧硅胺前驱体和卤化铵的混合物，后续在流化床中进行副产物脱除和热分解得到纯相Si2N2O粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度及纯相Si2N2O粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
-
公开(公告)号：CN115432676A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110625483.4
申请日：2021-06-04
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法。气相硅源在流化床中与氨气反应后，依次经过脱氯、深度脱氯、分解、晶化等步骤可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，同时能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率更高，大幅度降低了高质量氮化硅粉体的成本，扩展粉体的应用范围。
-
公开(公告)号：CN114634363A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210226229.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C04B35/597 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相Si2N2O粉体的系统及方法，利用硅源气、氮源气和氧源气混合反应一步制备含氧硅胺前驱体和卤化铵的混合物，后续在流化床中进行副产物脱除和热分解得到纯相Si2N2O粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度及纯相Si2N2O粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115432676B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202110625483.4
申请日：2021-06-04
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明公开了一种多级流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法。气相硅源在流化床中与氨气反应后，依次经过脱氯、深度脱氯、分解、晶化等步骤可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，同时能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率更高，大幅度降低了高质量氮化硅粉体的成本，扩展粉体的应用范围。
-
公开(公告)号：CN114634364B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210226231.9
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C04B35/597 , C04B35/626 , C01C1/16
Abstract: 本发明涉及无机材料合成领域，具体是一种纯相Si2N2O粉体的合成方法，所述合成方法包括将硅源、氮源混合发生反应获得硅胺前驱体，随后氧源对硅胺前驱体增氧获得含氧前驱体，含氧前驱体经过热分解晶化获得纯相Si2N2O粉体。本发明提供的合成方法不仅解决了传统工艺难以合成纯相Si2N2O粉体的难题，而且工艺流程简单、合成效率高。
-
公开(公告)号：CN115432677A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110625946.7
申请日：2021-06-04
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/068 , C04B35/587 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法。气相硅源和氨气在导流反应器中高速撞击并发生反应，然后依次在流化床中经过脱卤、深度脱卤、分解、晶化等步骤可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量的氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，并且能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率高，成本更低。
-
公开(公告)号：CN115432675A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110625470.7
申请日：2021-06-04
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/068 , B01J19/18
Abstract: 本发明公开了一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的方法，所述方法包括撞击流反应工序(1)、前驱体收集工序(2)、脱卤工序(3)、深度脱卤工序(4)、分解工序(5)、晶化工序(6)、冷却工序(7)和副产物收集工序(8)，可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，并且能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率高，成本低。
-
公开(公告)号：CN115432677B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202110625946.7
申请日：2021-06-04
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/068 , C04B35/587 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种撞击流耦合流化床制备高质量氮化硅粉体的系统及方法。气相硅源和氨气在导流反应器中高速撞击并发生反应，然后依次在流化床中经过脱卤、深度脱卤、分解、晶化等步骤可制备杂质含量低、α相含量高、粒径细且分布窄的高质量氮化硅粉体。本发明解决了传统硅胺前驱体转化法中气相合成路线难以获得低氯含量的氮化硅粉体的难题，同时与传统溶剂热液相合成法和硅胺前驱体液相合成法相比，本发明可解决前驱体吸湿防护难的问题，并且能够实现连续批量化制备高质量氮化硅粉体，生产效率高，成本更低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.035 seconds)
