公开(公告)号：CN119797930A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411954239.2

申请日：2024-12-27

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 郭伟明 ,  李泽华 ,  詹创添 ,  于俊杰 ,  游洋 ,  汪义欣 ,  林华泰

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/587 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于材料生产技术领域，公开了一种AlN/Si3N4复合陶瓷基板及其制备方法和应用。该复合陶瓷基板是将Si粉和烧结助剂EuO2‑HfO2‑MgO‑Yb2O3，通过流延工艺和n×m矩阵的圆柱模具制备Si基陶瓷素片；将Al2O3粉、C粉与Yb2O3粉，制备Al2O3‑C流延浆料，将Al2O3‑C流延浆料填补Si基陶瓷素片的圆孔中，得到Si‑Al2O3‑C复合陶瓷素片，在1320～1380℃经过氮化处理，然后经1600～1800℃反应烧结制得。该复合陶瓷基板以AlN陶瓷为导热通路，Si3N4陶瓷为力学支撑，具有优异的导热性能和力学性能。本发明生产稳定高效，可用于汽车电子、航天航空等领域。

公开(公告)号：CN119775022A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411713076.9

申请日：2024-11-27

Applicant: 武汉理工大学

Inventor： 陈斐 ,  王澳 ,  黄志锋 ,  王绪业 ,  崔乾舜 ,  沈强 ,  张驰

IPC: C04B35/587 ,  C04B35/622 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10

Abstract: 本发明公开了一种基于光固化成型的高效氮化硅浆料及其陶瓷低温烧结成型方法，包括，β相氮化硅粉末、高温粘结剂、烧结助剂在乙醇溶液中球磨分散，干燥研磨后得陶瓷混合粉体；在光敏树脂中加光引发剂与阻氧剂，搅拌均匀后得到预混液；陶瓷混合粉末和预混液混合，加分散剂、触变剂，搅拌均匀并真空脱泡后得到氮化硅陶瓷浆料。本发明有效解决传统的氮化硅陶瓷浆料光固化成型单层固化厚度低的技术缺陷，实现单层50μm层厚打印的高精度、无缺陷样品，有效提高了打印效率。同时引入高温粘结剂磷酸二氢铝，在脱脂过程中利用其分解产生的偏铝酸盐将氮化硅颗粒粘结，解决脱脂后粉末间空隙较多较大的问题，以实现致密氮化硅陶瓷制备。

公开(公告)号：CN119731137A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059567.3

申请日：2023-09-13

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 金原惠太 ,  佐佐木亮人 ,  岩井健太郎

IPC: C04B35/587 ,  H01L23/15

Abstract: 平板状的氮化硅烧结体制晶片的特征在于：对于其至少一面，以通过该面的中心的多个线段作为基准长度的多个粗糙度曲线要素的平均长度RSm的平均值在100μm以上且350μm以下的范围内。此外，多个粗糙度曲线要素的平均长度RSm分别优选在10μm以上且800μm以下的范围内。此外，以通过面的中心的多个线段作为基准长度的多个粗糙度曲线的最大谷深度Rv的平均值优选在0.04μm以上0.4μm以下的范围内。

公开(公告)号：CN119591415A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411765082.9

申请日：2024-12-04

Applicant: 德宝碳陶(苏州)科技有限公司

Inventor： 赵洋 ,  王政娴 ,  刘士杰 ,  王海龙 ,  任艳星

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/626 ,  C04B35/628 ,  C04B35/117 ,  C04B35/488 ,  C04B35/46 ,  C04B35/053 ,  C04B35/577 ,  C04B35/587

Abstract: 本发明提供一种短切碳纤维增强陶瓷基坩埚材料制备方法，涉及短切碳纤维增强陶瓷基坩埚材料技术领域，包括以下步骤：S1：将短切碳纤维与陶瓷基体粉体按预定比例进行干混，使短切碳纤维初步均匀分布于陶瓷基体粉体中；S2：将干混后的碳纤维与陶瓷基体粉体通过湿法混合，在液体介质中进行球磨或均质处理，使其充分分散，得到混合浆料，本发明中，通过在短切碳纤维的表面进行氧化处理、酸洗处理或金属涂覆工艺，使得碳纤维与陶瓷基体之间的界面结合力得到了显著提升，碳纤维在陶瓷基体中均匀分散，避免了碳纤维的团聚问题，增强了材料的力学性能，包括抗压强度、抗弯强度以及抗热震性能。

公开(公告)号：CN119039011B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411524076.4

申请日：2024-10-30

Applicant: 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 ,  中国建材集团有限公司

Inventor： 朱保鑫 ,  王洪升 ,  邵长涛 ,  毕汝霞 ,  盖莹 ,  韦其红 ,  曹俊倡 ,  毕文祺

IPC: C04B35/587 ,  C04B35/622 ,  C04B38/06 ,  H01Q1/42 ,  B28B1/29 ,  B28B11/24

Abstract: 本发明涉及一种叠层结构宽频透波氮化硅陶瓷天线罩制备方法包括以下步骤：依据n个天线罩拓扑层数据模型将对应的天线罩层流延坯带进行裁剪，得到天线罩层流延坯带对应的n个天线罩层坯片；将n个天线罩层坯片依次包覆在天线罩膜芯表面，n个天线罩层坯片形成n个天线罩坯层，在天线罩膜芯表面得到n个连接的天线罩坯层；将天线罩模壳套设在包覆n个天线罩坯层的膜芯表面，将所述n个天线罩坯层位于天线罩模壳与天线罩膜芯之间；将所述叠层结构陶瓷天线罩坯体进行排胶热处理，将叠层结构陶瓷天线罩素坯在氮气气氛下烧结，得到叠层结构宽频透波氮化硅陶瓷天线罩；实现制备兼具耐高温和宽频透波性能的陶瓷天线罩，整体耐高温性能好。

公开(公告)号：CN117083256B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202380010379.1

申请日：2023-03-03

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 青木克之 ,  深泽孝幸 ,  宝槻直十 ,  山形荣人 ,  岩井健太郎

IPC: C04B35/587 ,  F16C33/34 ,  F16C33/32

Abstract: 提供提高了耐磨性的氮化硅烧结体及使用了其的耐磨性构件。实施方式的氮化硅烧结体具备氮化硅结晶粒子及晶界相。在任意的截面的20μm×20μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的固溶氧量的平均值为0.2wt％以上。在任意的截面的50μm×50μm的区域中，上述氮化硅结晶粒子的长径的平均值为0.1μm以上且10μm以下，上述氮化硅结晶粒子的长宽比的平均值为1.5以上且10以下。

公开(公告)号：CN117881643B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380013319.5

申请日：2023-03-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 船木开 ,  佐藤英树

IPC: C04B35/587 ,  C04B35/111 ,  C04B35/569

Abstract: 实施方式所涉及的陶瓷球用原材料具备球面部和横跨球面部的表面的圆周而形成的带状部。带状部的外周面的粗糙度曲线的最大截面高度Rtb与球面部的外周面的粗糙度最大截面高度Rts之比即Rtb/Rts为1.0以上。优选球面部的任意直径为0.5mm以上。此外，陶瓷球用原材料优选含有氧化铝、氮化硅、碳化硅、氮化硼、氧化锆中的任一种。

公开(公告)号：CN119462196A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411335467.1

申请日：2024-09-24

Applicant: 航天增材科技(北京)有限公司 ,  北京星航机电装备有限公司

Inventor： 翟小菲 ,  张玮 ,  孟凡颢 ,  李志勇 ,  熊亮同 ,  钱远宏 ,  焦世坤 ,  陈荣

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/66 ,  C04B35/80 ,  C04B35/587 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10 ,  B64C1/36 ,  H01Q1/42

Abstract: 本发明涉及一种梯度多孔陶瓷基复合材料及其产品和增材制造方法，属于增材制造技术领域，解决了现有技术中梯度多孔陶瓷材料及其产品难以兼顾轻量化和高强度、设计自由度差，制造效率低，工艺质量难以控制的问题。一种梯度多孔陶瓷基复合材料，包括采用3D打印成型的陶瓷基体和增强相；陶瓷基体包括n层材料成分和/或密度不同的陶瓷基体层，形成梯度结构，增强相包括W层沿3D打印堆叠方向逐层分布的二维纤维织物，每层二维纤维织物均位于相邻陶瓷基体层内部；沿3D打印堆叠方向，n层陶瓷基体层和W层二维纤维织物逐层叠加。本发明采用3D打印成型的梯度多孔陶瓷基复合材料及其产品可兼顾优异的宽频透波性能、轻量化、高强度等性能，设计自由度大。

公开(公告)号：CN116606147B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202310589769.0

申请日：2023-05-24

Applicant: 湖北亿纬动力有限公司

Inventor： 付怡 ,  陈若玲 ,  王凯 ,  魏成卓 ,  官仕齐

IPC: C04B35/587 ,  H01M50/434 ,  H01M50/449 ,  H01M50/403 ,  H01M10/0525 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/111 ,  C04B35/117 ,  C04B35/119 ,  C04B35/46 ,  C04B35/63 ,  C04B35/636 ,  C04B35/634 ,  C04B35/632

Abstract: 本发明提供一种水性陶瓷浆料及其制备方法和应用。以所述水性陶瓷浆料的总质量为100％计，所述水性陶瓷浆料包括以下原料：陶瓷颗粒25‑35％、膨润土0.2‑2％、羧甲基纤维素钠1‑10％、分散剂1‑5％、活性剂1‑5％、水45‑60％。本发明提供的水性陶瓷浆料与基膜之间具有良好的亲和性，并且制备得到的隔膜不仅对电解液具有良好的浸润性能和较高的吸液率，同时具有良好的热稳定性以及较低的界面电阻。

公开(公告)号：CN118930281A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410988727.9

申请日：2024-07-23

Applicant: 上海应用技术大学

Inventor： 赵喆 ,  狄博伦 ,  邢博航

IPC: C04B35/587 ,  C04B35/634 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  B33Y70/10

Abstract: 本发明涉及一种基于DLP‑3D打印的氮化硅陶瓷及其制备方法，氮化硅陶瓷浆料包括光敏树脂、分散剂、氮化硅粉体、光引发剂，按质量份数计为：氮化硅粉体60～80份，光敏树脂10～30份，分散剂1～10份，光引发剂0.1～5份；光敏树脂为单官能团树脂、双官能团树脂、三官能团树脂的混合物。将光敏树脂、分散剂、氮化硅粉体混合搅拌均匀，加入氮化硅研磨球，球磨，加入光引发剂，继续球磨，得到氮化硅陶瓷浆料，进行DLP‑3D打印，清洗后得到氮化硅陶瓷生坯；将氮化硅陶瓷生坯脱脂排胶处理，气压烧结得到氮化硅陶瓷。与现有技术相比，本发明可形成稳定的高固相含量、低粘度的氮化硅光敏浆料，DLP‑3D打印可获得力学性能优秀的氮化硅陶瓷。