公开(公告)号：CN111630633B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201880086426.X

申请日：2018-12-26

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  照井贵阳 ,  山田周平 ,  奥村雄三 ,  公文创一 ,  盐田彩织 ,  近藤克哉

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够进一步改善拒水性赋予效果的拒水性保护膜形成用化学溶液。本发明的拒水性保护膜形成用化学溶液具有(I)下述通式[1]所示的氨基硅烷化合物、(II)下述通式[2]所示的硅化合物和(III)非质子性溶剂，(I)的含量相对于(I)～(III)的总量为0.02～0.5质量％。

公开(公告)号：CN115668459A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180036504.7

申请日：2021-05-19

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 奥村雄三 ,  福井由季 ,  盐田彩织 ,  照井贵阳 ,  公文创一

IPC: H01L21/304 ,  C11D17/08 ,  C11D7/04 ,  C11D7/08 ,  C11D7/18 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

Abstract: 本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与未形成图案的图案未形成区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及图案未形成区域，在表面处理工序后的图案未形成区域的表面上的、对2‑丙醇的IPA接触角在室温25度下为2°以上、和/或对纯水的水接触角在室温25度下为50°以上。

公开(公告)号：CN118451534A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280086237.9

申请日：2022-12-28

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 奥村雄三 ,  铁村美月 ,  吉田彩香 ,  盐田彩织 ,  照井贵阳

IPC: H01L21/304 ,  C09K3/18

Abstract: 本公开的膜形成用组合物为用于供给至表面由质子性液体覆盖的状态的基板、在其表面的至少一部分形成拒水性膜的膜形成用组合物，所述膜形成用组合物包含：甲硅烷基化剂，其将基板的表面甲硅烷基化；催化性化合物，其促进基于甲硅烷基化剂的甲硅烷基化反应；和，非质子性溶剂，催化性化合物的含量在该膜形成用组合物100质量％中为1.0质量％以上。

公开(公告)号：CN115699259A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180036555.X

申请日：2021-05-19

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 奥村雄三 ,  福井由季 ,  盐田彩织 ,  照井贵阳 ,  公文创一

IPC: H01L21/304 ,  C11D17/08 ,  C11D7/04 ,  C11D7/08 ,  C11D7/18 ,  C11D7/26 ,  C11D7/32 ,  C11D7/50

Abstract: 本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与形成于图案形成区域的周缘的斜面区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及斜面区域上，对使表面处理剂组合物接触而经表面处理的二氧化硅基板的表面，IPA后退角在室温25度下为3°以上、和/或水后退角在室温25度下为40°以上。

公开(公告)号：CN111630633A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201880086426.X

申请日：2018-12-26

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 福井由季 ,  照井贵阳 ,  山田周平 ,  奥村雄三 ,  公文创一 ,  盐田彩织 ,  近藤克哉

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种能够进一步改善拒水性赋予效果的拒水性保护膜形成用化学溶液。本发明的拒水性保护膜形成用化学溶液具有(I)下述通式[1]所示的氨基硅烷化合物、(II)下述通式[2]所示的硅化合物和(III)非质子性溶剂，(I)的含量相对于(I)～(III)的总量为0.02～0.5质量％。