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公开(公告)号：CN111512418A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201880083226.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/18 , G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种在配液时能够以短时间溶解原料且能够表现出优异拒水性赋予效果的表面处理剂、以及使用该表面处理剂来制造表面处理体的方法。本发明的表面处理剂是被处理体的表面处理中使用的表面处理剂，其包含：(I)下述通式[1]、[2]和[3]所示的硅化合物之中的至少1种；(II)下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、下述通式[5]所示的含氮杂环化合物和咪唑之中的至少1种；以及(III)有机溶剂。(R1)a(H)bSi[N(R2)C(＝O)R3]4-a-b[1](R4)c(H)dSi[OC(＝O)R5]4-c-d[2](R6)e(H)fSi[OC(R7)＝NSi(R8)g(H)3-g]4-e-f[3]
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公开(公告)号：CN111512418B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201880083226.9
申请日：2018-12-14
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K3/18 , G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种在配液时能够以短时间溶解原料且能够表现出优异拒水性赋予效果的表面处理剂、以及使用该表面处理剂来制造表面处理体的方法。本发明的表面处理剂是被处理体的表面处理中使用的表面处理剂，其包含：(I)下述通式[1]、[2]和[3]所示的硅化合物之中的至少1种；(II)下述通式[4]所示的含氮杂环化合物、下述通式[5]所示的含氮杂环化合物和咪唑之中的至少1种；以及(III)有机溶剂。(R1)a(H)bSi[N(R2)C(＝O)R3]4‑a‑b[1](R4)c(H)dSi[OC(＝O)R5]4‑c‑d[2](R6)e(H)fSi[OC(R7)＝NSi(R8)g(H)3‑g]4‑e‑f[3]
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公开(公告)号：CN107924835A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680047776.6
申请日：2016-08-10
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304
Abstract: 提供：利用包含氯乙烯树脂作为液体接触构件的清洗装置的晶圆的清洗方法中使用的拒水性保护膜形成用化学溶液。一种化学溶液，其包含：下述通式[1]所示的烷氧基硅烷；选自由下述通式[2]所示的磺酸、该磺酸的酸酐、该磺酸的盐、和下述通式[3]所示的磺酸衍生物组成的组中的至少1种；以及稀释溶剂，上述稀释溶剂含有选自由烃、醚和硫醇组成的组中的至少1种溶剂。(R1)aSi(H)b(OR2)4-a-b[1]；R3-S(＝O)2OH[2]；R3-S(＝O)2O-Si(H)3-c(R4)c[3]。
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公开(公告)号：CN111699546B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201980012741.2
申请日：2019-02-05
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种用于在包含硅元素的晶片的表面形成拒水性保护膜的新型拒水性保护膜形成剂或新型拒水性保护膜形成用化学溶液、以及使用液体状态的该拒水性保护膜形成剂或该化学溶液的晶片表面处理方法。本发明的拒水性保护膜形成剂为选自由下述通式[1]所示的胍衍生物和下述通式[2]所示的脒衍生物组成的组中的至少1种硅化合物。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN115668459A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202180036504.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与未形成图案的图案未形成区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及图案未形成区域，在表面处理工序后的图案未形成区域的表面上的、对2‑丙醇的IPA接触角在室温25度下为2°以上、和/或对纯水的水接触角在室温25度下为50°以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115315787A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180021714.9
申请日：2021-03-10
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明的升华性膜形成组合物包含升华性物质和升华性物质的饱和溶解度大于10质量％的溶剂。
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公开(公告)号：CN113169060A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980076584.1
申请日：2019-10-21
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/312
Abstract: 本发明的倒角部处理剂组合物为用于对晶圆的倒角部进行处理的、含有甲硅烷基化剂的倒角部处理剂组合物，具有按照规定的步骤测得的表面改质指标Y与表面改质指标Z满足0.5≤Y/Z≤1.0的特性。
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公开(公告)号：CN111742391B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201980012863.1
申请日：2019-02-05
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , C07F7/02 , C07F7/12 , C09K3/18
Abstract: 本发明提供一种包含具有各种碱度的新催化成分的新型拒水性保护膜形成用化学溶液及其制备方法、以及使用该化学溶液的表面处理体的制造方法。本发明的拒水性保护膜形成用化学溶液是用于在晶片的表面形成拒水性保护膜的拒水性保护膜形成用化学溶液，所述晶片的该表面包含硅元素，所述拒水性保护膜形成用化学溶液包含：(I)甲硅烷基化剂、(II)下述通式[1]和[2]所示的化合物之中的至少1种含氮化合物、以及(III)有机溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119318001A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044616.6
申请日：2023-06-09
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于提供如下技术：在具有至少包含Si及O的膜及至少包含Si及N的膜的基板中，能够抑制至少包含Si及O的膜的蚀刻，同时至少对包含Si及N的膜进行蚀刻。本发明是如下蚀刻方法：对于具有至少包含Si及O的膜及至少包含Si及N的膜的基板，使其与(I)HF气体、和(II)选自由磺酰基化合物、羰基化合物、磺酰基异氰酸酯化合物、及异氰酸酯化合物组成的组中的至少一种化合物接触，从而对上述包含Si及N的膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN115699259A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180036555.X
申请日：2021-05-19
Applicant: 中央硝子株式会社
Abstract: 本发明的半导体基板的表面处理方法是对于基板的主表面上具有形成有图案的图案形成区域与形成于图案形成区域的周缘的斜面区域的半导体基板的主表面进行处理的处理方法，前述图案具有图案尺寸为30nm以下的凹凸结构，前述方法包括表面处理工序，其使包含甲硅烷基化剂的表面处理剂组合物接触半导体基板的主表面的图案形成区域及斜面区域上，对使表面处理剂组合物接触而经表面处理的二氧化硅基板的表面，IPA后退角在室温25度下为3°以上、和/或水后退角在室温25度下为40°以上。
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