公开(公告)号：CN104051507A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410046657.1

申请日：2014-02-10

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小嵜正芳 ,  藤井隆弘

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，包括：直径为2英寸或更大的半导体衬底；以及堆叠在半导体衬底上的使用包含氮化镓（GaN）的材料的N型半导体层。在N型半导体层区域的面上的多个位置处，碳（C）浓度的多个测量值的中值等于或低于1.0×1016cm-3。中值与其他测量值之差的最大值低于5×1015cm-3。

公开(公告)号：CN104051507B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201410046657.1

申请日：2014-02-10

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 小嵜正芳 ,  藤井隆弘

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置，包括：直径为2英寸或更大的半导体衬底；以及堆叠在半导体衬底上的使用包含氮化镓（GaN）的材料的N型半导体层。在N型半导体层区域的面上的多个位置处，碳（C）浓度的多个测量值的中值等于或低于1.0×1016cm‑3。中值与其他测量值之差的最大值低于5×1015cm‑3。