公开(公告)号：CN105185692B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201510126114.5

申请日：2015-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王维一 ,  马克·S·罗德

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种应变弛豫方法、一种形成应变弛豫半导体层的方法和一种形成半导体器件的方法。提供了形成应变弛豫半导体层的方法，其中，在半导体基底的表面中形成多孔区。在多孔区上形成与半导体基底晶格匹配的第一半导体层。在第一半导体层上形成第二半导体层，第二半导体层形成为应变层。然后，弛豫第二半导体层。

公开(公告)号：CN107403859B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201710055495.1

申请日：2017-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田章雄 ,  石桥明彦

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/183 ,  C30B29/22 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/00

Abstract: 在包含基板、和在基板上形成的III族氮化物结晶的III族氮化物半导体中，抑制构成基板的元素向III族氮化物结晶的扩散，且减少III族氮化物结晶的位错。在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板上，形成包含In和In以外的III族元素的氮化物的缓冲层，在缓冲层上形成III族氮化物结晶。

公开(公告)号：CN106757324B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201611221262.6

申请日：2016-12-26

Applicant: 南京国盛电子有限公司

Inventor： 刘勇 ,  金龙 ,  谭卫东

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明涉及一种外延片的制造方法，其技术工艺在于：采用单片常压硅外延设备，首先要选择合适的H2流量、温度和时间来对衬底硅片进行烘烤处理，去除表面的自然氧化层，保证外延前表面质量。第一层外延生长：在高浓度掺杂的衬底表面生长一层不掺杂的本征层，对衬底表面进行包封；控制本征层的生长温度、生长速率和生长时间，以达到理想的包封效果。第二层外延生长：采用SiHCl3作为硅源，加大主H2流量，通入合适流量HCl，以降低生长速率，生长较薄厚度符合器件要求的外延层。

公开(公告)号：CN109478504A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780034375.1

申请日：2017-06-02

Applicant: IQE公司

Inventor： 安德鲁·克拉克 ,  吕蒂斯·达吉斯 ,  迈克尔·莱比 ,  罗德尼·佩尔策尔

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02491 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L24/32 ,  H01L24/94 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0505 ,  H01L2924/0525 ,  H01L2924/0545 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10335 ,  H01S3/09 ,  H01S3/1603 ,  H01S3/1605 ,  H01S3/1611 ,  H01S3/1628 ,  H01S3/1655 ,  H01S5/30 ,  H01S5/3031 ,  H01S2301/17

Abstract: 本文所述的系统和方法可以包括具有第一晶格常数的第一半导体层，在第一半导体上外延生长的稀土磷属元素化物缓冲层，其中与第一半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第一区域具有小于1％的净应变，在稀土磷属元素化物缓冲层上外延生长的第二半导体层，其中与第二半导体相邻的稀土磷属元素化物缓冲层的第二区域具有作为所需应变的净应变，并且其中稀土磷属元素化物缓冲层可以包括一种或多种稀土元素以及一种或多种V族元素。在一些示例中，期望的应变近似为零。

公开(公告)号：CN109166951A

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201810974236.3

申请日：2018-08-24

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  陈召龙 ,  高鹏

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明提供一种石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底在紫外LED技术中的应用，包括石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底和位于所述石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底上的LED单元，其中所述石墨烯纳米图形化蓝宝石衬底包括：纳米图形化蓝宝石衬底；以及石墨烯层，形成在所述纳米图形化蓝宝石衬底的表面上。本发明的石墨烯紫外LED器件通过在纳米图形化蓝宝石衬底上生长高质量、层数可控、均匀的石墨烯薄膜，降低了外延紫外LED器件结构中量子阱处的位错密度与应力，提升光提取效率，为高光效紫外LED技术开发奠定了基础，对于紫外器件的制造具有重大意义。

公开(公告)号：CN105745366B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480057318.1

申请日：2014-09-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  仓冈义孝 ,  滑川政彦

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明实现不产生筋状的形貌异常的器件基板。GaN模板基板包括基底基板和在基底基板上外延生长而形成的第1GaN层，第1GaN层在面内方向上固有的压缩应力在260MPa以上，或者拉曼光谱中波数568cm‑1附近的GaN的E2声子的峰值半高宽在1.8cm‑1以下，这二者同时满足，器件基板包括在第1GaN层上外延生长而形成的第2GaN层、以及在第2GaN层上外延生长而形成的包括13族氮化物的器件层。

公开(公告)号：CN108807499A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810392064.9

申请日：2018-04-27

Applicant: 环球晶圆股份有限公司

Inventor： 刘嘉哲 ,  黄彦纶 ,  林嫚萱

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/365 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/0684 ,  H01L21/02573

Abstract: 一种异质结构包括衬底；设置在所述衬底上的中间层；以及III‑V族层，所述III‑V族层具有设置在所述中间层上的第一主表面和掺杂剂浓度，其中在沿着从第一主表面贯穿整个所述层的厚度而终止于第二主表面之前的生长方向上，所述掺杂剂浓度以包括多个缓变的方式变化，所述多个缓变有掺杂剂浓度升高和掺杂剂浓度降低的至少一个。

公开(公告)号：CN108780776A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201680079658.3

申请日：2016-11-15

Applicant: 环球晶圆股份有限公司

Inventor： 王刚 ,  C·R·洛泰斯 ,  S·奎斯金

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/14632

Abstract: 提供一种用于制备包括具有平整表面的装置层的半导体结构例如绝缘体上半导体结构的方法。所述所提供方法涉及通过在高温下使用应力增强表面扩散而使半导体衬底表面平整。此方法的目的是达到原子级表面平整度(例如，如根据在30um X 30um AFM测量内的均方根测量的1.0与1.5埃之间的范围中的平整度)，其在先进(亚28nm)CMOS装置制造中是所需的。

公开(公告)号：CN108735818A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710240264.8

申请日：2017-04-13

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 陈墨 ,  李群庆 ,  张立辉 ,  肖小阳 ,  张金 ,  范守善

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，在该基底的表面设置一栅极，在该栅极的表面设置一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层的表面设置一半导体层；在该半导体层的表面层叠设置一第一光刻胶层、一纳米线结构、一第二光刻胶层，该纳米线结构夹于第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；在该第一光刻胶层和第二光刻胶层上设置至少一凹槽，使得该凹槽对应的半导体层的表面暴露，该纳米线的两端均夹于该第一光刻胶层和第二光刻胶层之间；以悬空的纳米线作掩模，向暴露的半导体层表面沉积一导电薄膜层，该导电薄膜层具有纳米级沟道，且被该纳米级沟道分隔为两区域，即一源极、一漏极；去除该第一光刻胶层、第二光刻胶层及纳米线结构。

公开(公告)号：CN108735698A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810261605.4

申请日：2018-03-27

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 大部功 ,  梅本康成 ,  柴田雅博 ,  那仓健一

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/06 ,  H01L21/60

CPC classification number: H03F1/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0652 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444

Abstract: 本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上，接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。