公开(公告)号：CN105340074B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201480037255.3

申请日：2014-01-22

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 皇甫幼睿

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/31144 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0079

Abstract: 提供一种SOI衬底制备方法和SOI衬底，SOI衬底制备方法包括：在第一硅衬底(110)的氧化层(120)中形成图形化刻蚀阻挡层(130)，将第一硅衬底(110)中具有图形化刻蚀阻挡层(130)的一面与第二硅衬底(210)的表面键合，并剥离部分的第一硅衬底(110)以形成图形化绝缘衬底上的硅SOI衬底(300)。解决了现有技术中在SOI衬底的硅层上生长异质外延层时，导致硅层和异质外延层之间存在晶格失配和热失配的问题，可以在SOI衬底的硅层上形成无线位错的异质外延层，并很大程度上降低硅衬底与异质外延层之间的晶格失配率，提高了光电器件的使用性能和可靠性。

公开(公告)号：CN107403859B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201710055495.1

申请日：2017-01-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上田章雄 ,  石桥明彦

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/183 ,  C30B29/22 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01S5/00

Abstract: 在包含基板、和在基板上形成的III族氮化物结晶的III族氮化物半导体中，抑制构成基板的元素向III族氮化物结晶的扩散，且减少III族氮化物结晶的位错。在包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y、和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga、和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn、和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板上，形成包含In和In以外的III族元素的氮化物的缓冲层，在缓冲层上形成III族氮化物结晶。

公开(公告)号：CN105684132B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201480058655.2

申请日：2014-10-27

Applicant: IQE公司

Inventor： 吕蒂斯·达吉斯 ,  安德鲁·克拉克 ,  埃德姆·阿尔昆

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02488 ,  C30B25/183 ,  C30B25/22 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 一种在III‑N层和硅衬底之间形成REO介电层和无定形Si层的方法。该方法包括在衬底上沉积单晶REO。单晶REO在邻近衬底处具有与衬底的晶格常数匹配的晶格常数，并且在邻近上表面处具有与选择的III‑N材料匹配的晶格常数。在REO上形成无定形Si均匀层。在外延生长所需的温度下在无定形Si层上沉积第二层REO，所述外延生长所需的温度使无定形Si层结晶并且在将第一层REO的被选III‑N材料的晶格常数转移至第二层REO后将晶体硅转化为无定形硅，并且被选III‑N材料的单晶层被沉积在第二层REO上。

公开(公告)号：CN106068547B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201580011736.1

申请日：2015-02-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 萩本和德 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  后藤博一 ,  佐藤宪 ,  鹿内洋志 ,  小林昇一 ,  栗本宏高

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L29/2003

Abstract: 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。

公开(公告)号：CN109585542A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811137574.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 晶元光电股份有限公司

Inventor： 杨亚谕 ,  杜尚儒 ,  张宗正 ,  刘家呈

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207

CPC classification number: H01L29/78 ,  B82Y99/00 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明公开一种半导体功率元件，其包含︰一基板；一位于基板上的缓冲结构；一位于缓冲结构上的背阻挡结构；一位于背阻挡结构上的通道层；以及一位于通道层上的阻挡层；其中背阻挡结构包含一第一功能层、一第一背阻挡层以及一中间层，第一功能层位于缓冲结构上，第一背阻挡层位于第一功能层上，以及中间层位于第一背阻挡层以及第一功能层之间；其中第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1-x1N，第一功能层的材料包含Alx2Ga1-x2N，0

公开(公告)号：CN109309148A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810798841.X

申请日：2018-07-19

Applicant: 华灿光电(浙江)有限公司

Inventor： 洪威威 ,  韦春余 ,  周飚 ,  董彬忠 ,  胡加辉

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/10 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于发光二极管制造领域。AlN层在衬底上生长的多次溅射过程中，使AlN层在氩气、氮气与氧气的混合气体下进行溅射，而氩气与氮气的流量比值逐渐增大，这种设置会使最终得到的AlN层中的单晶结构增多，多晶结构减少，AlN层的晶格常数更小，AlN层与在AlN层之后生长的外延层之间产生的晶格失配更小，得到的外延层的质量更好，保证发光二极管的质量，进而提高发光二极管的发光效率。并且使用磁控溅射的方式在衬底上生长的AlN层的表面质量较好，保证在AlN层之后生长的外延层的质量，同时也可提高AlN层对光的反射率，使发光二极管发出的光更多地被AlN层反射至出光面，进一步提高发光二极管的发光效率。

公开(公告)号：CN105745366B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201480057318.1

申请日：2014-09-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 市村干也 ,  仓冈义孝 ,  滑川政彦

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B9/10 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明实现不产生筋状的形貌异常的器件基板。GaN模板基板包括基底基板和在基底基板上外延生长而形成的第1GaN层，第1GaN层在面内方向上固有的压缩应力在260MPa以上，或者拉曼光谱中波数568cm‑1附近的GaN的E2声子的峰值半高宽在1.8cm‑1以下，这二者同时满足，器件基板包括在第1GaN层上外延生长而形成的第2GaN层、以及在第2GaN层上外延生长而形成的包括13族氮化物的器件层。

公开(公告)号：CN108899401A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810689886.3

申请日：2018-06-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宁静 ,  张弛 ,  王东 ,  张进成 ,  沈雪 ,  陈智斌 ,  马佩军 ,  郝跃

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯插入层结构的GaN基LED器件制备方法。其方案是：在蓝宝石衬底上磁控溅射氮化铝薄膜得到基板；在金属衬底上生长石墨烯，将石墨烯转移到基板上，得到覆盖石墨烯的基板，并对其进行热处理；在热处理后的覆盖石墨烯基板上生长N型GaN，得到N型GaN基板；在N型GaN基板上生长多量子阱层；在多量子阱层上生长P型GaN层；在P型氮化镓上旋涂得到透明导电层；对P型GaN层、多量子阱层、N型GaN层进行干法刻蚀；生长SiO2保护层；干法刻蚀出电极区并生长电极，完成器件制备。本发明提高了石墨烯插入层和GaN外延层的质量，从而提升了LED的发光效率，可用于制作GaN基半导体器件。

公开(公告)号：CN108807499A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810392064.9

申请日：2018-04-27

Applicant: 环球晶圆股份有限公司

Inventor： 刘嘉哲 ,  黄彦纶 ,  林嫚萱

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/207 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/365 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/0684 ,  H01L21/02573

Abstract: 一种异质结构包括衬底；设置在所述衬底上的中间层；以及III‑V族层，所述III‑V族层具有设置在所述中间层上的第一主表面和掺杂剂浓度，其中在沿着从第一主表面贯穿整个所述层的厚度而终止于第二主表面之前的生长方向上，所述掺杂剂浓度以包括多个缓变的方式变化，所述多个缓变有掺杂剂浓度升高和掺杂剂浓度降低的至少一个。

公开(公告)号：CN108780734A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780007588.5

申请日：2017-01-20

Applicant: 麻省理工学院 ,  新加坡国立大学 ,  南洋理工大学

Inventor： 李光雄 ,  张利 ,  蔡树仁 ,  李永坚 ,  尤金 ,  A·菲兹拉德 ,  陈全胜

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251

Abstract: 一种在载体基板上制造器件的方法，以及载体基板上的器件。该方法包括提供第一基板；在第一基板上形成一个或多个器件层；在与第一基板相对的一侧将第二基板结合到器件层；并去除第一基板。