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公开(公告)号：CN114068799A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010750236.2
申请日：2020-07-30
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/317
Abstract: 本发明公开了一种铌酸盐基无铅铁电压电薄膜及其制备方法，属于电子信息材料技术领域。本发明以溶胶‑凝胶法在直径2英寸的基片上制备出高质量的铌酸钾钠(KNN)基压电薄膜。薄膜呈(100)择优取向的钙钛矿相，结构致密且均匀，表面粗糙度小，漏电流低，击穿场强高。溶胶‑凝胶法制备薄膜可达到原子或分子水平的均匀性，易于实现精确的成分控制和定量掺杂，并且可制备大面积薄膜，设备简单，用料省，成本低，易于实现工业化生产。制备得到的KNN基薄膜可用于制作压电微传感器、致动器、换能器等，在微机电系统(MEMS)领域具有非常广泛的应用。
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公开(公告)号：CN113529059B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110801017.7
申请日：2021-07-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了铌酸银基无铅反铁电膜及其制备方法和应用。该制备方法包括：将乙二醇独甲醚和乙二醇混合得到混合溶剂，将乙醇铌和乙二醇独甲醚混合得到乙醇铌溶液；将硝酸银、柠檬酸和一部分的混合溶剂混合，并调节混合液的pH值得到含银溶液；将乙醇铌溶液和另一部分的混合溶剂混合得到含铌溶液；将含银溶液和含铌溶液混合、陈化得到银铌溶胶；将银铌溶胶形成在衬底上并进行甩胶成膜处理形成凝胶膜；连带衬底对凝胶膜进行烘干、热解和退火处理得到铌酸银基反铁电膜。该方法不仅安全可靠、设备简单、用料省、成本低、易于实现工业化生产，而且采用的溶剂无毒无害，且溶胶合成过程中无需加热，可在衬底上沉积出纯相薄膜。
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公开(公告)号：CN112226808A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202010948863.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了铁酸铋纳米单晶阵列及其制备方法和含有其的电子元件，制备所述铁酸铋纳米单晶阵列的方法包括：(1)将五水合硝酸铋、九水合硝酸铁、乙二醇甲醚和柠檬酸进行混合，得到溶胶；(2)将所述溶胶滴在衬底上，进行甩胶，形成凝胶层，再对所述凝胶层进行热固化；(3)将步骤(2)所得形成有凝胶层的衬底进行烘干、热分解和退火处理，得到铁酸铋纳米单晶阵列。利用本发明的方法所获得的铁酸铋纳米单晶阵列面密度高、尺寸均匀、压电性能优异、纯度高，操作简便，易于实现精确的成分控制和定量掺杂；可制备大面积压电点阵；设备简单，用料省，成本低，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN112226808B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010948863.7
申请日：2020-09-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了铁酸铋纳米单晶阵列及其制备方法和含有其的电子元件，制备所述铁酸铋纳米单晶阵列的方法包括：(1)将五水合硝酸铋、九水合硝酸铁、乙二醇甲醚和柠檬酸进行混合，得到溶胶；(2)将所述溶胶滴在衬底上，进行甩胶，形成凝胶层，再对所述凝胶层进行热固化；(3)将步骤(2)所得形成有凝胶层的衬底进行烘干、热分解和退火处理，得到铁酸铋纳米单晶阵列。利用本发明的方法所获得的铁酸铋纳米单晶阵列面密度高、尺寸均匀、压电性能优异、纯度高，操作简便，易于实现精确的成分控制和定量掺杂；可制备大面积压电点阵；设备简单，用料省，成本低，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN113529059A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110801017.7
申请日：2021-07-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了铌酸银基无铅反铁电膜及其制备方法和应用。该制备方法包括：将乙二醇独甲醚和乙二醇混合得到混合溶剂，将乙醇铌和乙二醇独甲醚混合得到乙醇铌溶液；将硝酸银、柠檬酸和一部分的混合溶剂混合，并调节混合液的pH值得到含银溶液；将乙醇铌溶液和另一部分的混合溶剂混合得到含铌溶液；将含银溶液和含铌溶液混合、陈化得到银铌溶胶；将银铌溶胶形成在衬底上并进行甩胶成膜处理形成凝胶膜；连带衬底对凝胶膜进行烘干、热解和退火处理得到铌酸银基反铁电膜。该方法不仅安全可靠、设备简单、用料省、成本低、易于实现工业化生产，而且采用的溶剂无毒无害，且溶胶合成过程中无需加热，可在衬底上沉积出纯相薄膜。
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