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公开(公告)号：CN106537553A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580038998.7
申请日：2015-07-09
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01J61/90 , B01J19/12 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/2004 , G03F7/0002 , G03F7/165 , G03F7/168 , G03F7/70016 , G03F7/70041 , G03F7/7015 , G03F7/7035 , G03F7/70466 , G03F7/70933 , H01J61/16 , H01J61/368 , H01J61/545 , H01J61/86 , H01J61/90 , H01L21/0274 , H01S3/225 , H01S3/2253 , H01S3/2255 , H05B41/34
Abstract: 能够抑制向包含氧的气氛中照射了真空紫外光(VUV光)时的臭氧产生量。光照射装置(100)在包含氧的气氛中，经由形成有规定的图案的掩模(M)将包含VUV光的光照射到形成在工件(W)上的自组装单分子膜(SAM膜)，由此对上述SAM膜进行图案化处理。照射到SAM膜的包含VUV光的光为脉冲光，且发光的占空比为0.00001以上且0.01以下。
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公开(公告)号：CN117120102A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280028132.8
申请日：2022-03-08
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: A61L2/10
Abstract: 在进行结账处理的结账区域中将与结账处理相关的物品适当地消除污染，抑制有害的微生物或病毒经由该物品感染人的情况。灭活方法包括：检测步骤，对被移送到结账柜台中的由收银员进行物品的结账处理的结账区域的与所述结账处理相关的物品进行检测；照射步骤，在检测步骤中检测到物品的情况下，对辐射处于190nm～240nm的波长范围的紫外线作为将微生物和/或病毒灭活的波长的紫外线的紫外线光源进行控制，向结账区域照射所述紫外线；及搬出步骤，将被照射紫外线后的物品从所述结账区域移出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1424750A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN02156174.5
申请日：2002-12-13
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67115
Abstract: 提供了一种半导体晶片热处理方法，采用该方法可以使被处理物即半导体晶片不破损地进行热处理。该方法在通过预热装置对半导体晶片进行达到预定温度的预热之后，再用由闪光放电灯构成的闪光辐射装置进行加热处理，其特征在于：采用预热装置进行加热，预热温度被加以控制，以使用闪光辐射装置加热时的半导体晶片的最大拉伸应力低于半导体晶片自身的拉伸极限强度。
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公开(公告)号：CN103035531A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210369484.8
申请日：2012-09-28
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明的技术问题在于在采用了非晶金属氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)的制造中将赋予氧化物以半导体特性的处理低温化并缩短处理时间。本发明进行包含工序A和工序B的处理：工序A即对工件台(8)上的工件(7)的非晶金属氧化物照射包含生成活性氧的波长范围和将上述氧化物活化而除去混入氧化物中的氢的波长范围的光；和工序B即在混入氧化物中的氢被除去且在氧化物附近生成了活性氧的状态下照射包含将氧化物加热的波长范围的光以促进氧向氧化物内的扩散。工序A通过照射包含波长为230nm以下的波长范围的光例如照射来自稀有气体荧光灯(10)或闪光灯的光来进行，工序B通过照射波长为800nm以上的波长范围的光例如照射来自闪光灯(20)的光来进行。
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公开(公告)号：CN1294632C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN02156174.5
申请日：2002-12-13
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67115
Abstract: 提供了一种半导体晶片热处理方法，采用该方法可以使被处理物即半导体晶片不破损地进行热处理。该方法在通过预热装置对半导体晶片进行达到预定温度的预热之后，再用由闪光放电灯构成的闪光辐射装置进行加热处理，其特征在于：采用预热装置进行加热，预热温度被加以控制，以使用闪光辐射装置加热时的半导体晶片的最大拉伸应力低于半导体晶片自身的拉伸极限强度。
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公开(公告)号：CN117222439A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202280029233.7
申请日：2022-02-28
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: A61L2/18
Abstract: 提供一种灭活方法，能够以短时间且对人安全地将存在于运送及/或处置患者的空间的微生物及/或病毒灭活而消毒。一种，灭活方法，将存在于运送及/或处置患者的封闭空间的有害的微生物及/或病毒灭活，其中，包括：第一工序，进行将运送及/或处置了患者后的封闭空间内的表面利用杀菌液擦拭的擦拭作业；及第二工序，是与第一工序同时进行的工序，向在第一工序中的擦拭作业时从表面的擦拭区域飞散的飞沫照射处于190nm～235nm的波长范围的紫外线作为将有害的微生物及/或病毒灭活的波长的紫外线。
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公开(公告)号：CN106537553B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201580038998.7
申请日：2015-07-09
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: H01J61/90 , B01J19/12 , H01L21/027
Abstract: 能够抑制向包含氧的气氛中照射了真空紫外光(VUV光)时的臭氧产生量。光照射装置(100)在包含氧的气氛中，经由形成有规定的图案的掩模(M)将包含VUV光的光照射到形成在工件(W)上的自组装单分子膜(SAM膜)，由此对上述SAM膜进行图案化处理。照射到SAM膜的包含VUV光的光为脉冲光，且发光的占空比为0.00001以上且0.01以下。
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