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公开(公告)号：CN119300507A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411708090.X
申请日：2020-02-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H10F39/18
Abstract: 公开了光电转换设备、成像系统和移动装置。提供了一种光电转换设备，包括：具有第一面的第一基板；布置在第一基板中的光电二极管，并且每个光电二极管具有第一区域和第二区域，第一区域通过光电转换入射光来生成信号电荷，并且第二区域接收从第一区域移动的信号电荷；第一隔离区域，以第一深度布置在第一基板中并且包括在第一方向上延伸以便将第二区域彼此隔离的第一部分；以及第二隔离区域，以距第一面比第一深度深的第二深度布置在第一基板中并且包括在平面图中在与第一方向相交的第二方向上延伸以便将第一区域彼此隔离的第二部分，并且第一部分和第二部分在平面图中彼此部分地重叠。
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公开(公告)号：CN115775808A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211079325.4
申请日：2022-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供光电转换装置、光电转换系统和移动体。该光电转换装置包括在具有第一面和与所述第一面相对的第二面的层中设置的多个雪崩二极管，其中，所述多个雪崩二极管各自包括位于第一深度的第一导电类型的第一区域、位于第二深度的第二导电类型的第二区域以及位于第三深度的所述第二导电类型的第三区域，相对于所述第二面，所述第二深度大于所述第一深度，并且相对于所述第二面，所述第三深度大于所述第二深度，其中，所述层包括设置在所述第一面中的多个结构，并且其中，所述多个结构的有效周期小于hc/Ea，h表示普朗克常数[J·s]，c表示光速[m/s]，并且Ea表示基板的带隙[J]。
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公开(公告)号：CN114497096A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111265276.9
申请日：2021-10-28
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种光电转换设备、光电转换系统和可移动体。光电转换设备包括多个雪崩光电二极管。所述多个雪崩光电二极管中的各雪崩光电二极管包括由配置在第一深度处的第一导电型的第一半导体区域、以及配置在比所述第一深度深的第二深度处的与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区域形成的雪崩倍增单元。在比第二导电型的第三半导体区域浅的位置处配置导电型和杂质浓度至少之一与所述第三半导体区域不同的第四半导体区域，并且所述第三半导体区域和所述第四半导体区域之间的边界部的深度比所述雪崩倍增单元深。
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公开(公告)号：CN119133196A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411223564.1
申请日：2019-09-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 岩田旬史
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请涉及光检测设备和光检测系统。提供了光检测设备和包括光检测设备的光电转换系统，光检测设备包括雪崩二极管，雪崩二极管包括设置在第一深度处的具有第一导电类型的第一半导体区域、设置在相对于第一表面比第一深度深的第二深度处的具有第二导电类型的第二半导体区域、设置在相对于第一表面比第二深度深的第三深度处并且与第二半导体区域接触的第三半导体区域以及各自从第一深度延伸到第三深度的第一分离区域和第二分离区域。第二半导体区域和第三半导体区域各自从第一分离区域延伸到第二分离区域。第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域在平面图中具有彼此重叠的部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110970447A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910902187.7
申请日：2019-09-24
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 岩田旬史
IPC: H01L27/14
Abstract: 本申请涉及光检测设备和光检测系统。提供了光检测设备和包括光检测设备的光电转换系统，光检测设备包括雪崩二极管，雪崩二极管包括设置在第一深度处的具有第一导电类型的第一半导体区域、设置在相对于第一表面比第一深度深的第二深度处的具有第二导电类型的第二半导体区域、设置在相对于第一表面比第二深度深的第三深度处并且与第二半导体区域接触的第三半导体区域以及各自从第一深度延伸到第三深度的第一分离区域和第二分离区域。第二半导体区域和第三半导体区域各自从第一分离区域延伸到第二分离区域。第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域在平面图中具有彼此重叠的部分。
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公开(公告)号：CN104241305B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410263602.6
申请日：2014-06-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/03529 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H01L27/14806 , H01L31/186
Abstract: 本发明公开了光电转换设备以及光电转换设备的制造方法。示例性实施例为一种光电转换设备，其具有光电转换部和传送部。传送部传送光电转换部的电荷。光电转换部包括第一导电类型的第一和第二半导体区域。通过光电转换生成的电荷累积在第一和第二半导体区域中。根据示例性实施例的第一和第二半导体区域的结构或者它们的制造方法，可在提高光电转换部的灵敏性的同时提高电荷的传送效率。
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公开(公告)号：CN102637705B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210027892.5
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14687 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14685
Abstract: 本发明涉及半导体器件制造方法。层间绝缘膜被设置在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域上方。在层间绝缘膜中在覆盖光电转换部的位置形成开口。在半导体衬底的图像拾取区域和外围区域的上方形成波导构件。波导构件的设置在外围区域上方的部分被去除以使层间绝缘膜暴露。
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公开(公告)号：CN103579274A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310345012.3
申请日：2013-08-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14612 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: 公开了图像拾取装置和图像拾取系统。一种图像拾取装置，包括：其中排列像素的像素部分，像素各自包括把信号电荷作为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域，和把信号电荷作为少数载流子的第二导电型的第二半导体区域，第二半导体区域邻接到第一半导体区域，第一半导体区域被布置在第二半导体区域和半导体衬底的表面之间。像素部分包括位于基准触点附近的第一类像素和第二类像素。半导体衬底的表面和第一类像素的第二半导体区域之间的距离小于半导体衬底的表面和第二类像素的第二半导体区域之间的距离。
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公开(公告)号：CN119677193A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411278970.8
申请日：2024-09-12
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明公开了一种光电转换设备、光电转换系统和移动体。光电转换设备包括半导体层，该半导体层包括像素阵列区域、周边区域、划片区域以及将周边区域和划片区域隔离的隔离部。各个像素包括具有第一导电性类型的第一半导体区域和第二导电性类型的第二半导体区域的雪崩光电二极管。周边区域包括第一导电性类型的第一区域和第二导电性类型的第二区域。第二区域和第二半导体区域被供给有相同的电压。划片区域包括第一导电性类型的第三区域。布线结构包括将第一区域和第三区域的第一导电路径连接以及被供给有第一半导体区域的电压和第二半导体区域的电压之间的电压的电压供给线。第一区域和电压供给线通过第二导电路径连接。
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