电子发射器件、电子束装置和图像显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN102222591A

    公开(公告)日:2011-10-19

    申请号:CN201110090187.5

    申请日:2011-04-12

    Inventor: 广木珠代

    Abstract: 本发明涉及电子发射器件、电子束装置和图像显示装置的制造方法。提供一种电子发射器件的制造方法,其减少了施加有用于驱动电子源的电压的栅极和阴极之间漏电流的发生。该电子发射器件包括:绝缘部件,在其表面上具有凹部;栅极电极,在该绝缘部件上形成并与该凹部相对地放置;阴极,在该凹部的边缘上形成并具有向该栅极电极突出的突起。该制造方法包括形成该凹部的步骤以及在凹部边缘处形成向栅极电极突出的凸部之后形成阴极的步骤。依次执行这些步骤。

    反应性溅射装置和反应性溅射方法

    公开(公告)号:CN108570647A

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201810192417.0

    申请日:2018-03-09

    Inventor: 广木珠代

    CPC classification number: C23C14/0042

    Abstract: 公开了反应性溅射装置和反应性溅射方法。反应溅射装置通过采用靶材和反应性气体以化合物、转移和金属模式中的任何一种执行沉积,其中反应性溅射装置包括惰性气体馈送单元、反应性气体馈送单元、向靶材供给电力的电力供给单元、检测在向靶材供给电力时生成的等离子体发射的检测单元,以及控制单元,该控制单元调节反应性气体的流率以将一波长处的等离子体发射强度或从多个波长处的等离子体发射强度计算的值维持在指定值,并且其中控制单元控制等离子体发射强度或其计算值的指定值,使得转移模式中的阴极电压V与化合物模式中的阴极电压Vc的比V/Vc接近于预设值,这两个阴极电压是在沉积期间检测的。

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