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公开(公告)号：CN113341646A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110219930.6
申请日：2021-02-26
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供一种有机膜形成材料，其特征为包含下述通式(1)表示的化合物及有机溶剂。该通式(1)中，X为碳数2～50的n价有机基团或氧原子，n为1～10的整数，R1独立地为下述通式(2)中任一者。该通式(2)中，破折线表示键结到X的键结部位，Q1为含有羰基的1价有机基团，且至少一部分为下述通式(3)表示的基团。该通式(3)中，破折线表示键结部位，X1表示单键、或碳数1～20的2价有机基团，且该有机基团具有芳香环时也可具有取代基。R2表示氢原子、甲基、乙基、或苯基。**表示键结部位。
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公开(公告)号：CN112859516A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011354547.3
申请日：2020-11-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、图案形成方法、以及聚合物。本发明的课题为提供成膜性优异并能展现高的蚀刻耐性、优异的扭曲耐性、填埋特性的有机膜材料、使用了该有机膜材料的图案形成方法、及适于如此的有机膜材料的聚合物。解决该课题的手段为一种有机膜形成用材料，是有机膜形成时使用的材料，其含有具有下列通式(1)表示的重复单元的聚合物、及有机溶剂。上述通式(1)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环。W1为不具有芳香环的碳数2～20的2价有机基团，构成有机基团的亚甲基也可取代为氧原子或羰基。W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN107540491B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710387797.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种糖醇化合物的金属低减法，所述方法用于得到能够适用于半导体装置制造工序的品质的糖醇化合物。所述糖醇化合物的金属低减法包含：(A)使用保护基团，保护含有作为杂质的金属的糖醇化合物的羟基的保护工序，(B)从上述羟基通过保护基团受到保护的糖醇化合物中，除去作为杂质的金属的金属除去工序，以及(C)对上述除去了金属的糖醇化合物的保护基团进行脱保护的脱保护工序。
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公开(公告)号：CN114545733B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111402884.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物中的一种或二种以上；及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，W为碳数2～50的n价有机基团，X为下列通式(2)及(3)表示的末端基团结构，令下列通式(2)、(3)的结构的比例为a、b时，满足0.70≤a≤0.99、0.01≤b≤0.30的关系。n为1～10的整数。#imgabs1#Z为碳数6～20的(k+1)价芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。#imgabs2#L为单键或‑(CH2)r‑。l为2或3，r为1～5的整数。
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公开(公告)号：CN112034681B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010490327.7
申请日：2020-06-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组成物、图案形成方法、以及聚合物。本发明提供一种有机膜形成用组成物，其无损于树脂原本的碳含量而可展现高蚀刻耐性、优良的扭曲耐性且成膜性优良，成为散逸气体的升华物成分少，并提供使用此组成物的图案形成方法及适合如此的组成物的聚合物。此组成物含有含式(1A)表示的重复单元作为部分结构的聚合物及有机溶剂。#imgabs0#该通式(1A)中，AR1、AR2为也可以有取代基的苯环或萘环，W1为下列通式(1B)中的任意者，也可组合使用2种以上的W1；W2为碳数1～80的2价有机基团；#imgabs1#该通式(1B)中的R1为碳数1～10的带有不饱和键的1价有机基团，R2为有1个以上的芳香环的碳数6～20的1价有机基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117215155A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310673371.5
申请日：2023-06-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，在半导体装置制造步骤的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，即使在具有宽广的沟渠结构等特别难平坦化的部分的被加工基板上，仍能形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜且进一步给予具有适当蚀刻特性的抗蚀剂下层膜，并提供使用了前述材料的图案形成方法及抗蚀剂下层膜形成方法。一种抗蚀剂下层膜材料，其特征为包含(A)含有苯酚性羟基的化合物或树脂、(B)碱产生剂、及(C)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN115840336A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211156891.0
申请日：2022-09-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题是目的为提供一种密合膜形成材料，是在半导体装置制造步骤中的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，能给予具有与抗蚀剂上层膜的高密合性，具有抑制微细图案的崩塌的效果，且能形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料；并提供使用了该材料的图案形成方法、及上述密合膜的形成方法。本发明的解决手段是一种密合膜形成材料，是形成于含硅中间膜与抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于，含有：(A)具有下述通式(1)及下述通式(2)表示的结构单元的树脂、(B)热酸产生剂、及(C)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN113805434A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110646782.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物；及(B)有机溶剂。式中，X各自独立地为下列通式(2)表示的1价有机基团。W含有m个下式(3)表示的独立的部分结构。m、n为1～10的整数。式中，虚线表示原子键。Z表示芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。式中，虚线表示原子键。R01为氢原子或碳数1～10的一价有机基团。
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公开(公告)号：CN113050373A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011564357.4
申请日：2020-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D307/88 , C07D493/10 , C07D311/82 , C07D233/74 , C07D239/62 , C07D251/30 , C07D487/04 , C07C69/736
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明提供用以形成兼顾高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良的密合力的有机膜的有机膜材料。提供含有下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。该通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示2～10的整数，R1为下式(2)～(4)中的至少一者以上；该通式(3)中，l1表示0或1；该通式(4)中，l2表示0或1。
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公开(公告)号：CN112987495A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011454750.8
申请日：2020-12-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , C07D303/30 , C07D405/14 , C07D209/48 , C07D403/14 , C07D487/04 , C07C53/126 , C07C65/28
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及化合物。本发明的目的在于提供为了形成兼具高程度的填埋特性/高程度的平坦化特性/和基板间的优良密合力的有机膜的有机膜材料。本发明提供包含下列通式(1)表示的化合物及有机溶剂的有机膜形成材料。上述通式(1)中，X为碳数2～50的n1价的有机基团，n1表示1～10的整数，R1为下列通式(2)～(4)中的至少一者以上；
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