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公开(公告)号：CN110194827A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910136239.4
申请日：2019-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G18/66 , C08G18/61 , C08G18/48 , C08G18/32 , C08G77/18 , C08F283/00 , C08F220/18 , C08G77/16 , C08J5/18 , C07F7/08
Abstract: 本发明提供一种具有优异的伸缩性与强度、且膜表面的防水性也优异的伸缩性膜及其形成方法、用于该伸缩性膜的氨基甲酸酯树脂及作为该氨基甲酸酯树脂的材料的含硅化合物。所述含硅化合物由下述通式(1)表示，式中，R1、R2、R3、R4、R5及R6为碳原子数为1～6的直链状、支链状、环状的烷基、苯基、3,3,3-三氟丙基或-(OSiR7R8)n-OSiR9R10R11所表示的基团；R7、R8、R9、R10及R11与R1～R6相同，n为0～100的范围的整数；A为碳原子数为3～6的直链状、支链状的亚烷基，m为1～3的范围的整数。[化学式1]
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公开(公告)号：CN115586699A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210791887.5
申请日：2022-07-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、使用其的密合膜的形成方法、及使用了密合膜形成材料的图案形成方法。本发明的问题为提供一种在利用半导体装置制造步骤中的多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，供予具有和抗蚀剂上层膜的高密合性，且具有抑制微细图案崩塌的效果同时可形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、使用了该材料的图案形成方法、及该密合膜的形成方法。该问题的解决手段为一种密合膜形成材料，是形成于含硅的中间膜和抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于含有：(A)具有下述通式(1)表示的结构单元的树脂，(B)含有一种以上的下述通式(2)表示的化合物的交联剂，(C)光酸产生剂，及(D)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN114545733A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111402884.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物中的一种或二种以上；及(B)有机溶剂。式中，W为碳数2～50的n价有机基团，X为下列通式(2)及(3)表示的末端基团结构，令下列通式(2)、(3)的结构的比例为a、b时，满足0.70≤a≤0.99、0.01≤b≤0.30的关系。n为1～10的整数。Z为碳数6～20的(k+1)价芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。L为单键或‑(CH2)r‑。l为2或3，r为1～5的整数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114545733B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111402884.X
申请日：2021-11-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物中的一种或二种以上；及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中，W为碳数2～50的n价有机基团，X为下列通式(2)及(3)表示的末端基团结构，令下列通式(2)、(3)的结构的比例为a、b时，满足0.70≤a≤0.99、0.01≤b≤0.30的关系。n为1～10的整数。#imgabs1#Z为碳数6～20的(k+1)价芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1～5的整数。p为1至10的整数。#imgabs2#L为单键或‑(CH2)r‑。l为2或3，r为1～5的整数。
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公开(公告)号：CN117215155A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310673371.5
申请日：2023-06-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料，在半导体装置制造步骤的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，即使在具有宽广的沟渠结构等特别难平坦化的部分的被加工基板上，仍能形成平坦性、成膜性优异的抗蚀剂下层膜且进一步给予具有适当蚀刻特性的抗蚀剂下层膜，并提供使用了前述材料的图案形成方法及抗蚀剂下层膜形成方法。一种抗蚀剂下层膜材料，其特征为包含(A)含有苯酚性羟基的化合物或树脂、(B)碱产生剂、及(C)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN115586699B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202210791887.5
申请日：2022-07-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、使用其的密合膜的形成方法、及使用了密合膜形成材料的图案形成方法。本发明的问题为提供一种在利用半导体装置制造步骤中的多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，供予具有和抗蚀剂上层膜的高密合性，且具有抑制微细图案崩塌的效果同时可形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、使用了该材料的图案形成方法、及该密合膜的形成方法。该问题的解决手段为一种密合膜形成材料，是形成于含硅的中间膜和抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于含有：(A)具有下述通式(1)表示的结构单元的树脂，(B)含有一种以上的下述通式(2)表示的化合物的交联剂，(C)光酸产生剂，及(D)有机溶剂。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN116339073A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211658764.0
申请日：2022-12-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/033 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , H01L21/027 , C08F220/24 , C08F220/36 , C08K5/21 , C08K5/3432
Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题是提供：如下的密合膜的密合膜形成材料，该密合膜在半导体装置制造步骤中利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，具有和抗蚀剂上层膜的高密合性且具有抑制微细图案的崩塌的效果同时可形成良好的图案形状。该课题的解决手段是一种密合膜形成材料，是使用于形成在抗蚀剂上层膜的紧邻下方的密合膜的密合膜形成材料，前述密合膜形成材料含有：(A)具有至少一个含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元，且具有至少一个和前述含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元不同的下述通式(2)表示的结构单元的树脂、(B)热酸产生剂、及(C)有机溶剂。
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公开(公告)号：CN110194827B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910136239.4
申请日：2019-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08G18/66 , C08G18/61 , C08G18/48 , C08G18/32 , C08G77/18 , C08F283/00 , C08F220/18 , C08G77/16 , C08J5/18 , C07F7/08
Abstract: 本发明提供一种具有优异的伸缩性与强度、且膜表面的防水性也优异的伸缩性膜及其形成方法、用于该伸缩性膜的氨基甲酸酯树脂及作为该氨基甲酸酯树脂的材料的含硅化合物。所述含硅化合物由下述通式(1)表示，式中，R1、R2、R3、R4、R5及R6为碳原子数为1～6的直链状、支链状、环状的烷基、苯基、3,3,3‑三氟丙基或‑(OSiR7R8)n‑OSiR9R10R11所表示的基团；R7、R8、R9、R10及R11与R1～R6相同，n为0～100的范围的整数；A为碳原子数为3～6的直链状、支链状的亚烷基，m为1～3的范围的整数。[化学式1]
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