反射型光掩模坯料及反射型光掩模的制造方法

    公开(公告)号:CN118348737A

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202410636442.9

    申请日:2024-05-22

    Inventor: 樱井敬佑

    Abstract: 本发明的反射型光掩模坯料具有:基板1;反射作为极端紫外线区域光的曝光光的多层反射膜2;用于保护多层反射膜2的保护膜3;吸收曝光光的光吸收膜4;以及与光吸收膜4相接形成的硬掩模。光吸收膜4是包含含氧的光吸收膜4的氧化层41及吸收层42的多层结构。硬掩模是包含第二层52、53(2A、2B)、或是包含第一层51及第二层52、53(2A、2B)多层结构。第二层52、53是包含含氧的上方硬掩模层52(2A)和下方硬掩模层53(2B)的多层结构。

    半色调相移型光掩模坯料、其制造方法以及半色调相移型光掩模

    公开(公告)号:CN112578628A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202011023453.8

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明涉及半色调相移型光掩模坯料、其制造方法以及半色调相移型光掩模。本发明提供了一种半色调相移型光掩模坯料,该半色调相移型光掩模坯料包括透明衬底和形成在该衬底上的半色调相移膜,并包括至少一个由硅、氮和氧构成的层。该半色调相移膜相对于波长至多200nm的曝光光具有至少150°且至多200°的相移和至少20%的透射率,并且具有表面粗糙度RMS至多为0.8nm的膜表面,以及根据以下表达式由掩模图案形成区域内的最大透射率Tmax和最小透射率Tmin计算的面内透射率变化为至多2%:(Tmax‑Tmin)/(Tmax+Tmin)×100。

    反射型光掩模坯料和制造反射型光掩模的方法

    公开(公告)号:CN117055284A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310537547.4

    申请日:2023-05-12

    Abstract: 本发明涉及一种反射型光掩模坯料和制造反射型光掩模的方法。所述反射型光掩模坯料包括:衬底,反射曝光光的多层反射膜(所述曝光光是极紫外范围内的光),保护膜,吸收曝光光的吸光膜,以及硬掩模膜,其与所述吸光膜接触地形成。所述硬掩模膜由多层构成,该多层包括第一层和第二层,所述第一层设置在离衬底最远的一侧,且由耐受氯基干刻蚀且可通过氟基干刻蚀去除的材料组成,并且第二层由耐受氟基干刻蚀且可通过氯基干刻蚀去除的材料组成。在一种条件下在氟基干刻蚀时吸光膜的刻蚀完成时间长于在相同条件下在氟基干刻蚀时硬掩模膜的第一层的刻蚀完成时间。

    反射型光掩模坯料,制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模

    公开(公告)号:CN116909085A

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202310388811.2

    申请日:2023-04-12

    Abstract: 本发明涉及一种反射型光掩模坯料,制造反射型光掩模的方法和反射型光掩模。所述反射型光掩模坯料包括:衬底,在衬底上形成且反射曝光光(即极紫外范围内的光)的多层反射膜,在多层反射膜上形成的保护多层反射膜的保护膜,在保护膜上形成并吸收曝光光的吸光膜,以及硬掩模膜,其形成于所述吸光膜上并与所述吸光膜接触,且在通过干刻蚀图案化所述吸光膜中充当硬掩模膜。所述硬掩模膜由多层构成,该多层包括第一层和第二层,所述第一层设置在离衬底最远的一侧,并由含硅且不含铬的材料组成,且第二层由含铬且不含硅的材料组成。

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