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公开(公告)号：CN111171070A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911088837.5
申请日：2019-11-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/18
Abstract: 本发明涉及一种含碘的硅化合物的制造方法。本发明的课题提供经济地制造含碘化苯基的硅化合物而不会造成水解性烷氧基的水解的方法。一种含碘化苯基的硅化合物的制造方法，其特征为：如下述反应式所示，利用含碘的亲电子试剂(I-X)将键结于苯基的三烷基硅((R0)3Si)基取代成碘。[化学式1]上述反应式中，R0为可全部相同也可不同的碳数1～6的烷基，R1为单键或2价有机基团，R2为碳数1～10的有机基团，R3为碳数1～10的有机基团，R为碳数1～6的有机基团。n0为1、2或3，n1为1、2或3，n2为0、1或2，n3为0、1或2，且1≤n1+n3≤3，X为作为亲电子活性种而发挥作用的碘的相对取代基(counter substituent)。
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公开(公告)号：CN110515272A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910420610.X
申请日：2019-05-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种为高分辨率且为高感光度的薄膜抗蚀剂图案的形成方法。该方法的特征在于包含：(1)由包含具有被酸不稳定基保护的羟基和/或羧基的热固化性化合物及产酸剂的第一抗蚀剂材料形成第一抗蚀剂膜的工序；(2)在第一抗蚀剂膜上由包含(A)金属化合物及增敏剂的第二抗蚀剂材料形成第二抗蚀剂膜的工序；(3)通过高能射线或电子束的照射对第一抗蚀剂膜及第二抗蚀剂膜进行图案曝光，在第一抗蚀剂膜的图案曝光部对羟基和/或羧基进行脱保护，并同时在图案曝光部上形成(A)成分与已脱保护的羟基和/或羧基进行交联反应而成的交联部分的工序；以及(4)利用显影液对第二抗蚀剂膜进行显影，得到由交联部分构成的金属膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN110515266A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910420669.9
申请日：2019-05-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种为高分辨率且为高感光度的薄膜抗蚀剂图案的形成方法。该图案形成方法包含：(1)由包含热固化性化合物、产酸剂及增敏剂的第一抗蚀剂材料形成第一抗蚀剂膜的工序，所述热固化性化合物具有被酸不稳定基保护的羟基和/或羧基；(2)通过高能射线或电子束的照射对第一抗蚀剂膜进行图案曝光，在图案曝光部对羟基和/或羧基进行脱保护的工序；(3)在所述第一抗蚀剂膜上由包含(A)金属化合物的第二抗蚀剂材料形成第二抗蚀剂膜，并同时在图案曝光部上形成(A)成分与已脱保护的羟基和/或羧基进行交联反应而成的交联部分的工序；以及(4)利用显影液对第二抗蚀剂膜进行显影，得到由交联部分构成的金属膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN111856882A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010333047.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供能够改善在以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中的LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物含有热硬化性含硅材料(Sx)、硬化催化剂(Xc)及溶剂，且该硬化催化剂(Xc)从利用该含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物形成的抗蚀剂下层膜到于该抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂上层膜的扩散距离为5nm以下。
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公开(公告)号：CN111458980A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010072206.0
申请日：2020-01-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明目的为提供在利用以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中可改善LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。解决方法为一种含硅抗蚀剂下层膜形成用组成物，至少含有：下述通式(P-0)表示的化合物的1种或2种以上，及热交联性聚硅氧烷(Sx)。[化1]在此，R100表示经1个或2个以上的氟原子取代的2价有机基团，R101及R102分别独立地表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的1价烃基。R103表示碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。又，R101和R102、或R101和R103也可互相键结并和式中的硫原子一起形成环。L104表示单键或碳数1～20的直链状或分支状或环状的2价烃基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110515272B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910420610.X
申请日：2019-05-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种为高分辨率且为高感光度的薄膜抗蚀剂图案的形成方法。该方法的特征在于包含：(1)由包含具有被酸不稳定基保护的羟基和/或羧基的热固化性化合物及产酸剂的第一抗蚀剂材料形成第一抗蚀剂膜的工序；(2)在第一抗蚀剂膜上由包含(A)金属化合物及增敏剂的第二抗蚀剂材料形成第二抗蚀剂膜的工序；(3)通过高能射线或电子束的照射对第一抗蚀剂膜及第二抗蚀剂膜进行图案曝光，在第一抗蚀剂膜的图案曝光部对羟基和/或羧基进行脱保护，并同时在图案曝光部上形成(A)成分与已脱保护的羟基和/或羧基进行交联反应而成的交联部分的工序；以及(4)利用显影液对第二抗蚀剂膜进行显影，得到由交联部分构成的金属膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN110515266B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201910420669.9
申请日：2019-05-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种为高分辨率且为高感光度的薄膜抗蚀剂图案的形成方法。该图案形成方法包含：(1)由包含热固化性化合物、产酸剂及增敏剂的第一抗蚀剂材料形成第一抗蚀剂膜的工序，所述热固化性化合物具有被酸不稳定基保护的羟基和/或羧基；(2)通过高能射线或电子束的照射对第一抗蚀剂膜进行图案曝光，在图案曝光部对羟基和/或羧基进行脱保护的工序；(3)在所述第一抗蚀剂膜上由包含(A)金属化合物的第二抗蚀剂材料形成第二抗蚀剂膜，并同时在图案曝光部上形成(A)成分与已脱保护的羟基和/或羧基进行交联反应而成的交联部分的工序；以及(4)利用显影液对第二抗蚀剂膜进行显影，得到由交联部分构成的金属膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN111855581B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202010334210.X
申请日：2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及测定硬化催化剂的扩散距离的方法。本发明课题为提供测定硬化催化剂从含硅膜往形成在含硅膜上的抗蚀剂上层膜扩散距离的方法。解决该课题手段为测定热硬化性含硅材料(Sx)的硬化催化剂(Xc)的扩散距离的方法，包括下列步骤：由含有热硬化性含硅材料、硬化催化剂及溶剂(a)的组成物形成含硅膜(Sf)；将含有于碱显影液的溶解度会因酸的作用而增大的树脂(A)、酸产生剂及溶剂(b)的感光性树脂组成物涂布于含硅膜上，然后予以加热，制得形成含硅膜及树脂膜的基板；对基板照射高能射线或电子束使酸产生，将基板进行热处理并通过树脂膜中酸的作用来提高树脂于碱显影液的溶解度；用碱显影液将树脂膜溶解；测定残留的树脂的膜厚。
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公开(公告)号：CN111208710A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201911139299.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx-1)所示的重复单元、下列通式(Sx-2)所示的重复单元、及下列通式(Sx-3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]式中，R1为含有碘的有机基团。R2、R3分别独立地和R1相同、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN111856882B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202010333047.5
申请日：2020-04-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物及图案形成方法。本发明提供能够改善在以酸作为催化剂的化学增幅抗蚀剂形成的微细图案中的LWR、CDU的抗蚀剂下层膜。含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物含有热硬化性含硅材料(Sx)、硬化催化剂(Xc)及溶剂，且该硬化催化剂(Xc)从利用该含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物形成的抗蚀剂下层膜到于该抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂上层膜的扩散距离为5nm以下。
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