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公开(公告)号：CN120020643A
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202411651359.5
申请日：2024-11-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/76 , G03F7/004 , G03F7/025 , G03F7/027 , G03F7/038 , G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/40
Abstract: 本发明涉及图案形成方法。本发明提供可形成边缘不粗糙的微细图案的图案形成方法。一种图案形成方法，包括下列步骤：在被加工基板上，按顺序叠层有机下层膜、含硅硬掩膜、含硅抗反射膜、及光致抗蚀剂膜，于光致抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案，形成硬掩膜中间膜图案，形成有机下层膜图案，以及于被加工基板形成图案；含硅抗反射膜使用含有含下列通式(Sx‑1)表示的重复单元、下列通式(Sx‑2)表示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)表示的部分结构中的任1个以上的聚硅氧烷及交联剂的含硅抗反射膜形成用组成物形成。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111423587A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010017271.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的课题是为了提供一种热硬化性含硅化合物，其可使用于能达成互为相反的性能的含硅抗蚀剂下层膜材料，该互为相反的性能为虽具有碱显影液耐性，但却会改善溶解于不含过氧化氢的碱性剥离液的溶解性。该课题的解决方法为一种热硬化性含硅化合物，其特征为：含有下述通式(Sx-1)、(Sx-2)、及(Sx-3)表示的结构单元中的任一种以上。 ，式中，R1为含有可具有取代基的苯基、以及碳数3～10的非芳香环的环这两者的1价有机基团。R2、R3为该R1、或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN109422672A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810970031.8
申请日：2018-08-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , C07D333/76 , C08F220/18 , C08F220/32 , G03F7/20 , G03F7/004
Abstract: 本发明为锍化合物、抗蚀剂组合物和图案化方法。包含特定结构的锍化合物作为PAG的抗蚀剂组合物具有优异的光刻性能因素，如最小的缺陷、高感光度、改善的LWR和CDU，并且是用于精确微图案化的相当有效的抗蚀剂材料。
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公开(公告)号：CN116804825A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310292012.5
申请日：2023-03-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的金属硬掩膜形成用组成物及图案形成方法。本发明课题为提供在多层抗蚀剂法中抑止超微细图案的崩塌的效果高，可形成LWR优良的抗蚀剂图案，且相对于已知的含硅的下层膜材料具有优良的干蚀刻耐性及湿式剥离性，同时兼顾相对于已知的金属硬掩膜材料具有优良的填埋特性的含硅的金属硬掩膜形成用组成物。该课题的解决手段为一种含硅的金属硬掩膜形成用组成物，其特征为含有：(A)金属氧化物纳米粒子，(B)不含含芳香环的有机基团的热交联性聚硅氧烷(Sx)，及(C)溶剂。
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公开(公告)号：CN111423587B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010017271.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的课题是为了提供一种热硬化性含硅化合物，其可使用于能达成互为相反的性能的含硅抗蚀剂下层膜材料，该互为相反的性能为虽具有碱显影液耐性，但却会改善溶解于不含过氧化氢的碱性剥离液的溶解性。该课题的解决方法为一种热硬化性含硅化合物，其特征为：含有下述通式(Sx‑1)、(Sx‑2)、及(Sx‑3)表示的结构单元中的任一种以上。式中，R1为含有可具有取代基的苯基、以及碳数3～10的非芳香环的环这两者的1价有机基团。R2、R3为该R1、或碳数1～30的1价有机基团。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107793337B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201710771096.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D339/08 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及锍化合物、抗蚀剂组合物和图案化方法。对于改善对比度有效的、含有酸消除性取代基的锍盐，其高度可溶，可均匀分散。包含锍盐作为光致产酸剂的抗蚀剂组合物形成具有高的分辨率、矩形性和降低的LWR的图案。
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公开(公告)号：CN110895380A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910864595.8
申请日：2019-09-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够解决产品的性能劣化或成品率下降的问题的图案形成方法。所述图案形成方法的特征在于包括以下工序：(1)在基板上形成有机下层膜，在其上形成含硅中间膜，进一步在其上形成上层抗蚀剂膜的工序；(2)对所述上层抗蚀剂膜进行曝光、显影，形成上层抗蚀剂图案的工序；(3)通过干法蚀刻在含硅中间膜上转印所述上层抗蚀剂图案，进一步在所述有机下层膜上转印所述上层抗蚀剂图案，形成有机下层膜图案的工序；(4)通过CVD法或ALD法形成无机硅膜的工序；(5)通过干法蚀刻去除所述无机硅膜的一部分，使所述有机下层膜图案的上部露出的工序；及(6)使用剥离液去除所述有机下层膜图案，形成无机硅膜图案的工序。
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公开(公告)号：CN107793337A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710771096.5
申请日：2017-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C381/12 , C07D327/08 , C07D333/76 , C07D339/08 , G03F7/004
Abstract: 本发明涉及锍化合物、抗蚀剂组合物和图案化方法。对于改善对比度有效的、含有酸消除性取代基的锍盐，其高度可溶，可均匀分散。包含锍盐作为光致产酸剂的抗蚀剂组合物形成具有高的分辨率、矩形性和降低的LWR的图案。
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公开(公告)号：CN111208710B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201911139299.8
申请日：2019-11-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含碘的热固性含硅材料、含该材料的极紫外线光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物、及图案形成方法。本发明提供用于形成能够保持着上层抗蚀剂的LWR而贡献于感度提升的抗蚀剂下层膜的热固性含硅材料、含有该材料的含硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物、及使用该组合物的图案形成方法。一种热固性含硅材料，其特征在于含有下列通式(Sx‑1)所示的重复单元、下列通式(Sx‑2)所示的重复单元、及下列通式(Sx‑3)所示的部分结构中的任一个以上。[化学式1]式中，R1为含有碘的有机基团。R2、R3分别独立地和R1相同、或为氢原子或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN111057088B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201910984985.9
申请日：2019-10-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/18
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在产业上有用的、具有脂环结构(特别是降冰片烷环)与羰基的水解性硅化合物的高效的工业制备方法。一种硅化合物的制备方法，其为基于下述通式(1)所示的氢硅烷化合物与下述通式(2)所示的含羰基脂环烯烃化合物的氢化硅烷化反应的下述通式(3)所示的硅化合物的制备方法，其特征在于，在铂类催化剂的存在下，逐渐添加酸性化合物或酸性化合物前体，并同时进行氢化硅烷化反应。[化学式1]
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