公开(公告)号：CN116339073A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211658764.0

申请日：2022-12-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部卫 ,  原田裕次 ,  中原贵佳 ,  美谷岛祐介 ,  荻原勤

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/033 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  C08F220/24 ,  C08F220/36 ,  C08K5/21 ,  C08K5/3432

Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题是提供：如下的密合膜的密合膜形成材料，该密合膜在半导体装置制造步骤中利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化制程中，具有和抗蚀剂上层膜的高密合性且具有抑制微细图案的崩塌的效果同时可形成良好的图案形状。该课题的解决手段是一种密合膜形成材料，是使用于形成在抗蚀剂上层膜的紧邻下方的密合膜的密合膜形成材料，前述密合膜形成材料含有：(A)具有至少一个含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元，且具有至少一个和前述含有经氟取代的有机磺酰基阴离子结构的结构单元不同的下述通式(2)表示的结构单元的树脂、(B)热酸产生剂、及(C)有机溶剂。

公开(公告)号：CN115840336A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211156891.0

申请日：2022-09-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 郡大佑 ,  甲斐佑典 ,  中原贵佳 ,  渡部卫

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。本发明的课题是目的为提供一种密合膜形成材料，是在半导体装置制造步骤中的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化处理中，能给予具有与抗蚀剂上层膜的高密合性，具有抑制微细图案的崩塌的效果，且能形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料；并提供使用了该材料的图案形成方法、及上述密合膜的形成方法。本发明的解决手段是一种密合膜形成材料，是形成于含硅中间膜与抗蚀剂上层膜之间的密合膜的密合膜形成材料，其特征在于，含有：(A)具有下述通式(1)及下述通式(2)表示的结构单元的树脂、(B)热酸产生剂、及(C)有机溶剂。

公开(公告)号：CN118625600A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410255910.8

申请日：2024-03-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部卫 ,  岩森颂平 ,  美谷岛祐介

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F1/76

Abstract: 本发明涉及密合膜形成材料、图案形成方法、及密合膜的形成方法。课题是提供具有与抗蚀剂上层膜的高密合性，具有抑制微细图案的崩塌效果且同时能形成良好的图案形状的密合膜的密合膜形成材料、图案形成方法、及该密合膜的形成方法。解决手段是一种密合膜形成材料，是形成于抗蚀剂上层膜的正下方的密合膜的密合膜形成材料，含有(A)具有含酸解离性基团的结构单元及至少2种的下述通式(1)表示的结构单元的树脂、及(C)有机溶剂，进一步地，更含有(B)光酸产生剂、或该(A)树脂具有借由光而产生酸的结构单元、或者具有两者。下述通式(1)中，R1是氢原子或甲基，R2选自下式(1‑1)～(1‑3)中的基团，虚线表示原子键。#imgabs0#