公开(公告)号：CN101649177B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200910167032.X

申请日：2009-08-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 滨田吉隆 ,  八木桥不二夫 ,  浅野健

IPC: C09J183/00 ,  C09J5/00 ,  H01L21/50

CPC classification number: C09J183/14 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/54 ,  H01L21/187 ,  H01L23/296 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 提供一种高温粘结组合物，它包括硅基础聚合物作为热固性粘合剂。由含硅烷化合物的缩合物前体的脱水缩合获得硅基础聚合物，其中所述硅烷化合物具有通过由脂族烃基、杂环或芳烃基组成的交联键连接的至少一对硅原子，和具有至少三个羟基和/或可水解基团。相对于在所述硅基础聚合物内的所有硅原子，具有与由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的交联键的直接键合的那些硅原子的存在比例为至少90mol％。

公开(公告)号：CN1536024A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410033575.X

申请日：2004-04-07

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C08L83/04 ,  C08J5/18 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供通过通常的半导体工艺中使用的方法，可以容易地形成任意控制的膜厚的薄膜，并且用于形成具有稳定性优异的中孔尺寸的通道结构的多孔膜的涂布液。具体地，本发明提供一种多孔膜形成用组合物，其包括含有将通式RnSi(OR’)4－n表示的硅烷化合物的一种或一种以上水解和缩合而得到的聚合物，表面活性剂，和非质子极性溶剂。另外，本发明提供多孔膜的制造方法，其包括涂布该多孔膜形成用组合物的涂布工序；其后的干燥工序；和从得到的膜中除去表面活性剂的多孔化工序。本发明还提供使用该多孔膜形成用组合物得到的多孔膜。

公开(公告)号：CN100381526C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410031386.9

申请日：2004-03-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C09D183/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。

公开(公告)号：CN1551306A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410028267.8

申请日：2004-03-10

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 滨田吉隆 ,  八木桥不二夫 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/7682

Abstract: 提供一种组合物，所述组合物通过烷氧基硅烷的水解和缩合形成，所述组合物含有减少量的金属和卤素杂质，可应用作为电子材料。也提供一种具有低介电常数的绝缘膜，通过应用组合物并焙烧进行生产。更具体地，提供一种用于制造成膜组合物的方法，包括在有机溶剂中，及在作为催化剂的氢氧化三烷基甲铵的存在下，烷氧基硅烷或烷氧基硅烷的部分水解产物的水解和缩合步骤，其中烷氧基硅烷选自如上通式(1)～(4)表示的化合物，并且，由如下通式(5)代表氢氧化三烷基甲铵。提供由该方法得到的成膜组合物，和具有低金属和卤素杂质的低介电常数膜，所述膜通过在基质上施加该成膜组合物并焙烧而生产。

公开(公告)号：CN1542071A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410031386.9

申请日：2004-03-26

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 荻原勤 ,  八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健 ,  岩渊元亮 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C09D183/04 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。

公开(公告)号：CN103052269B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210385050.7

申请日：2012-10-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 滨田吉隆 ,  山川直树

IPC: H05K1/09 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52

CPC classification number: H05K1/095 ,  C09D11/037 ,  C09D11/52 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/1216 ,  H05K3/1283 ,  H05K2201/0218 ,  H05K2201/0221 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/0245 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过使用导电油墨组合物印刷图案，和热固化该图案形成导电电路。将触变剂，典型地炭黑加入到含有加成类型的有机硅树脂前体，固化催化剂和导电颗粒的不含溶剂的油墨组合物中。该油墨组合物的触变性使得印刷的图案在固化之后可保持其形状。

公开(公告)号：CN101671816A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910169167.X

申请日：2009-09-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 滨田吉隆

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/40 ,  H01L21/314 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/31633 ,  B05D1/62 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3121 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供通过等离子体CVD，沉积含Si膜的方法，和这一方法使用硅烷化合物作为膜源。该硅烷化合物具有氢原子或烷氧基作为反应性基团，且在分子内具有至少两个硅原子。至少两个硅原子通过插入饱和烃基键合。除了烷氧基内包括的碳原子以外的碳原子数[C]对硅原子数[Si]之比([C]/[Si])为至少3，和所有硅原子直接键合到至少两个碳原子上。这一方法实现了有效的膜沉积速度。通过提供膜疏水性，同时加以对于亲核反应的硅原子反应性的抑制，膜的化学稳定性也得到改进。

公开(公告)号：CN100349981C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200410033575.X

申请日：2004-04-07

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  中川秀夫 ,  笹子胜

IPC: C08L83/04 ,  C08J5/18 ,  H01L23/14

CPC classification number: H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31695

Abstract: 本发明提供通过通常的半导体工艺中使用的方法，可以容易地形成任意控制的膜厚的薄膜，并且用于形成具有稳定性优异的中孔尺寸的通道结构的多孔膜的涂布液。具体地，本发明提供一种多孔膜形成用组合物，其包括含有将通式RnSi(OR’)4-n表示的硅烷化合物的一种或一种以上水解和缩合而得到的聚合物，表面活性剂，和非质子极性溶剂。另外，本发明提供多孔膜的制造方法，其包括涂布该多孔膜形成用组合物的涂布工序；其后的干燥工序；和从得到的膜中除去表面活性剂的多孔化工序。本发明还提供使用该多孔膜形成用组合物得到的多孔膜。

公开(公告)号：CN101651107B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200910167033.4

申请日：2009-08-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 八木桥不二夫 ,  滨田吉隆 ,  浅野健

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  C08L83/00

CPC classification number: H01L21/2007 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过在基材的接合表面之间布置接合层的前体涂层，并加热该前体涂层，形成接合层，从而将各自具有接合表面的一对基材连接在一起。在连接步骤之前，提供在接合表面上的基材透气层。甚至当热固化时放出显著大量气体的材料用作前体涂层时，可借助坚固的接合，连接基材且没有因气体排放引起的剥离问题。

公开(公告)号：CN103044923A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201210384839.0

申请日：2012-10-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 山川直树 ,  滨田吉隆

IPC: C08L83/07 ,  C08L83/05 ,  C08K13/02 ,  C08K13/06 ,  C08K3/08 ,  C08K9/10 ,  C08K3/04 ,  C08K5/09 ,  H01B1/24

Abstract: 加成固化型导电性有机硅组合物，其于含有（A）由下述平均组成式（1）表示的一分子中含有至少2个与硅原子结合的烯基的有机聚硅氧烷，Ra R′bSiO(4-a-b)/2（1）（B）一分子中含有至少2个与硅原子结合的氢原子的有机氢聚硅氧烷，（C）银粉末或银镀覆的微粉末粒子，（D）导电性微粉末（其中，不包括银、铜及包含它们的金属），（E）加成反应催化剂，（F）选自脂肪酸、脂肪酸衍生物以及它们的金属盐中的1种或2种以上。本发明的导电性有机硅组合物可形成赋予1.0×10-2Ω·cm以下的高电导率的固化物、特别是硅橡胶，并且可以涂布、其形状保持性良好，此外保存稳定性也良好。