Patent search cpc:"H01L2924/01019" Page 1

1.

发明授权
半导体组件及制造半导体组件的方法有权

公开(公告)号：CN104269390B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410474255.1

申请日：2011-07-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟诚 , 侯上勇 , 郑心圃 , 刘醇鸿 , 邱志威 , 史朝文

IPC: H01L23/485 , H01L23/522 , H01L23/31 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/525 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02126 , H01L2224/0235 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05012 , H01L2224/05014 , H01L2224/05015 , H01L2224/05018 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05187 , H01L2224/05541 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05562 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/06131 , H01L2224/10126 , H01L2224/1132 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/11912 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01028 , H01L2924/01022 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体组件及制造半导体组件的方法，半导体组件包含接合垫结构，其中接合垫结构具有介于金属接合垫与凸块下金属(UBM)层的环状应力缓冲层。应力缓冲层是用介电层、高分子聚合物层或铝层来形成，其中介电层具有小于3.5的介电常数。上述应力缓冲层是圆形环、方形环、八边形(Octagonal)环或任何几何形状的环。

2.

发明授权
半导体器件及其制造方法、毫米波电介质内传输装置及其制造方法、以及毫米波电介质内传输系统失效

公开(公告)号：CN104201162B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201410379898.8

申请日：2009-12-08

Applicant: 索尼公司

Inventor： 河村拓史 , 冈田安弘

IPC: H01L23/48 , H01L23/66 , H01L23/49 , H01L25/065 , H01L25/10 , H01P3/12 , H01Q9/04 , H01Q23/00

CPC classification number: H01Q21/00 , H01L23/48 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2225/1005 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01042 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/1903 , H01L2924/19104 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H01L2924/3025 , H01P3/121 , H01P3/122 , H01Q9/0407 , H01Q23/00 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供了一种毫米波电介质内传输装置，能够容易地在不使用具有大量端子的连接器和具有较大安装面积的布线线缆的情况下进行构造。该毫米波电介质内传输装置包括：设置在夹置衬底(4)的两个相对表面之一上并能够进行毫米波电介质内传输的半导体芯片(30)；连接至半导体芯片(30)的天线结构(32)；包括覆盖半导体芯片(30)及天线结构(32)的模制树脂(8)的两个半导体封装(20a)(20b)；以及设置在两个半导体封装(20a)(20b)之间并能够传输毫米波信号的电介质波导(21)。半导体封装(20a)(20b)被安装为使得其天线结构(32)将电介质波导(21)保持在两者之间。

3.

发明授权
三维IC方法和器件有权

公开(公告)号：CN104576519B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201410738151.7

申请日：2006-08-07

Applicant: 齐普特洛尼克斯公司

Inventor： P·M·恩奎斯特 , 小盖厄斯·G·方丹 , 童勤义

IPC: H01L21/768 , H01L21/603 , H01L23/48 , H01L25/065

CPC classification number: H01L21/76838 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/0401 , H01L2224/81121 , H01L2224/81201 , H01L2224/8123 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/81931 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01059 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2224/81

Abstract: 本发明提供一种三维地集成元件诸如被分切管芯或晶片的方法以及具有连接元件诸如被分切管芯或晶片的集成结构。管芯和晶片之一或全部可以具有形成于其中的半导体器件。具有第一接触结构的第一元件被键合到具有第二接触结构的第二元件。第一和第二接触结构可以在键合时被暴露并由于键合的结果被电互连。通孔可以在键合之后被蚀刻和填充以暴露和形成电互连以电互连第一和第二接触结构并提供从表面到该互连的电通路。替代地，第一和/或第二接触结构在键合时不被暴露，而通孔在键合后被蚀刻和填充以将第一和第二接触结构电连接，并对表面提供对互连了的第一和第二接触结构的电通路。并且，器件可以被形成于第一衬底中，该器件被放置于第一衬底的器件区中并具有第一接触结构。通孔可以在键合之前被蚀刻、或蚀刻并填充，其穿过器件区并进入到第一衬底中，并且第一衬底可以在键合之后被减薄以暴露出通孔或被填充的通孔。

4.

发明授权
切割带集成晶片背面保护膜有权

公开(公告)号：CN104465515B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410568379.6

申请日：2010-01-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英

IPC: H01L21/78 , H01L21/304 , H01L23/544 , H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/544 , H01L24/81 , H01L2223/5448 , H01L2224/16225 , H01L2224/27436 , H01L2224/81801 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , Y10T428/1467 , H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的，并且所述有色晶片背面保护膜具有3GPa以上的弹性模量(23℃)。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。

5.

发明授权
制造半导体器件的方法有权

公开(公告)号：CN104362101B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410547244.1

申请日：2011-01-07

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 武藤修康

IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/78 , H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0652 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/04 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/78 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2224/04042 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/43 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/49429 , H01L2224/73265 , H01L2224/75743 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/85001 , H01L2224/85051 , H01L2224/85148 , H01L2224/85205 , H01L2224/85986 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30105 , H01L2224/85186 , H01L2924/00 , H01L2224/48227 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/32225 , H01L2224/4554

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法。所述方法抑制了当执行使用刀片的切片步骤以获取具有半导体晶片的减小厚度的半导体芯片时发生的芯片开裂。当在用于半导体晶片的切片步骤中切割半导体晶片时，如下使刀片前进：在沿着第一直线在第一方向(在图12中的Y方向)上进行切割时，使刀片从第一点前进到第二点。第一点位于第一部分中且第二点与第一点相对，在其之间具有穿过半导体晶片的中心点的第二直线。

6.

发明授权
切割带集成晶片背面保护膜有权

公开(公告)号：CN104103565B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410351062.7

申请日：2010-01-29

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英 , 松村健

IPC: H01L21/68 , H01L21/78 , C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L23/562 , H01L24/81 , H01L2221/68327 , H01L2223/5448 , H01L2224/16 , H01L2224/27436 , H01L2224/81801 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , Y10T428/1467 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , Y10T428/31511 , H01L2924/00 , H01L2224/0401

Abstract: 本发明提供切割带集成晶片背面保护膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层；和晶片背面保护膜，所述晶片背面保护膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述晶片背面保护膜是有色的。优选所述有色晶片背面保护膜具有激光标识性能。所述切割带集成晶片背面保护膜可适用于倒装芯片安装的半导体器件。

7.

发明授权
短的和低的回路丝线键合失效

公开(公告)号：CN102738103B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210028228.2

申请日：2012-02-09

Applicant: 嘉盛马来西亚公司

Inventor： 刘兆合 , 刘卉林

IPC: H01L23/488 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 , H01L23/4952 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48137 , H01L2224/48465 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/4848 , H01L2224/78301 , H01L2224/85045 , H01L2224/85051 , H01L2224/8518 , H01L2224/85181 , H01L2224/85186 , H01L2224/85205 , H01L2224/85986 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2224/4554 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及短的和低的回路丝线键合，公开了一种多管芯封装，该多管芯封装包括各自具有其上布置有多个键合焊垫的上表面的第一半导体管芯和第二半导体管芯。第二半导体管芯的上表面可以是与第一半导体管芯的上表面一起基本上共同延伸的并且基本上沿平面延伸。多管芯封装还包括多根键合丝线，每根键合丝线将在第一半导体管芯的上表面上的键合焊垫之一耦接至在第二半导体管芯的上表面上的对应的一个键合焊垫。该多根键合丝线中的键合丝线具有布置于平面上方的一高度处的扭折，布置于第一半导体管芯与扭折之间的第一凸点，以及布置于第二半导体管芯与扭折之间的第二凸点。

8.

发明授权
电气元件有权复审申请

公开(公告)号：CN101859735B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201010158976.3

申请日：2010-03-31

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： A·戈尔拉奇 , R·斯皮茨

IPC: H01L23/18 , H01L21/50

CPC classification number: H01L23/492 , H01L23/051 , H01L24/01 , H01L24/33 , H01L2224/32245 , H01L2224/8384 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种电气元件(30)尤其是二极管，该电气元件(30)包括半导体基片(3)、用于保持所述半导体基片(3)的连接层(4)以及减少应力的材料，该材料用于减少能够通过所述连接层(4)传递的伸展力或者压缩力对所述半导体基片(3)的影响。