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公开(公告)号：CN100467541C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200510005885.5
申请日：2005-01-27
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C08L83/04 , C08K3/36 , C08J5/18 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/06 , C08G77/08 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。
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公开(公告)号：CN100419970C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200410028268.2
申请日：2004-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/768 , B32B25/20
CPC classification number: C08G77/50 , C08J5/18 , C08J2383/04 , C09D183/14 , Y10T428/31663
Abstract: 使用常规的半导体工艺，提供一种可以形成多孔膜的涂布液，所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是，提供一种形成多孔膜的组合物，所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂，其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1)：R1kSi(OR2)4-k代表的硅烷化合物，和一种或多种由通式(2)：{Xj(Y)3-jSi-(L)m-}nMZ4-n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且，提供了制造多孔膜的方法，包括施加所述组合物的步骤以便形成膜，干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜，也提供了其它的信息。
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公开(公告)号：CN100381526C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200410031386.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1542071A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410031386.9
申请日：2004-03-26
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C09D183/04 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 根据本发明，用半导体工艺中常用的方法，很容易制备任意控制膜厚的薄膜。本发明提供了形成多孔膜的涂覆液，该多孔膜具有优良的介电常数及机械特性。具体地，形成多孔膜的涂覆液是含有缩合物及有机溶剂的多孔膜组合物，所述的缩合物是从至少一种选自用通式(X2O)i(SiO2)j(H2O)k表示的硅酸盐化合物和用通式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c表示的有机硅酸盐化合物在酸存在下缩合得到的。由此可制造用于半导体制造工艺的，具有足够机械强度和介电常数的多孔绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1501454A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310114943.9
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/312 , C09D183/04
CPC classification number: H01L23/5222 , C08K3/34 , C08L83/02 , C09D183/04 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T428/249953 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4－n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100567150C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200310114941.X
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C01B39/04 , H01L21/316 , C09D183/04
CPC classification number: H01L21/02126 , C01B39/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了可形成多孔膜的沸石溶胶，所述多孔膜可通过在普通半导体生产中所使用的方法而变薄到需要的厚度，该膜具有优良的介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度，以及其可以容易地变薄；本发明提供了成膜用组合物；多孔膜及其制造方法；内部含有这种多孔膜的高性能和高度可靠的半导体装置。更具体地说，在常规的多孔膜形成用涂布液中，在结构导向剂和碱性催化剂的存在下，通过水解和分解由通式Si(OR1)4(其中R1代表具有1-4个碳原子的直链或者支链烷基，当具有大于一个的R1时，R1要以是独立的并相互相同或不同)表示的硅烷化合物，然后在75℃或者更低温度加热该硅烷化合物而制备沸石溶胶。使用了含有这种沸石溶胶的多孔膜形成用组合物。
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公开(公告)号：CN1531031A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028268.2
申请日：2004-03-10
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: C08G77/50 , C08J5/18 , C08J2383/04 , C09D183/14 , Y10T428/31663
Abstract: 使用常规的半导体工艺，提供一种可以形成多孔膜的涂布液，所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是，提供一种形成多孔膜的组合物，所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂，其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1)：R1kSi(OR2)4－k代表的硅烷化合物，和一种或多种由通式(2)：{Xj(Y)3－jSi－(L)m－}nMZ4－n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且，提供了制造多孔膜的方法，包括施加所述组合物的步骤以便形成膜，干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜，也提供了其它的信息。
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公开(公告)号：CN1519197A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310114941.X
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C01B39/04
CPC classification number: H01L21/02126 , C01B39/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了可形成多孔膜的沸石溶胶，所述多孔膜可通过在普通半导体生产中所使用的方法而变薄到需要的厚度，该膜具有优良的介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度，以及其可以容易地变薄；本发明提供了成膜用组合物；多孔膜及其制造方法；内部含有这种多孔膜的高性能和高度可靠的半导体装置。更具体地说，在常规的多孔膜形成用涂布液中，在结构导向剂和碱性催化剂的存在下，通过水解和分解由通式Si(OR1)4(其中R1代表具有1－4个碳原子的直链或者支链烷基，当具有大于一个的R1时，R1要以是独立的并相互相同或不同)表示的硅烷化合物，然后在75℃或者更低温度加热该硅烷化合物而制备沸石溶胶。使用了含有这种沸石溶胶的多孔膜形成用组合物。
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公开(公告)号：CN100394559C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200310114943.9
申请日：2003-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/312 , C09D183/04
CPC classification number: H01L23/5222 , C08K3/34 , C08L83/02 , C09D183/04 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , Y10T428/249953 , Y10T428/31663 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种成膜用组合物，该组合物可形成具有优良介电性质、粘合性、膜均匀性和机械强度的多孔膜，并且该膜可容易地变薄；本发明提供了多孔膜及其制造方法以及内部含有所述多孔膜的高性能和高可靠的半导体装置。更具体地说，多孔膜形成用组合物包含一种含有通过水解和缩合至少一种由通式(R1)nSi(OR2)4-n表示的硅烷化合物而获得的非晶态聚合物的溶液和通过使用氢氧化季铵而形成的沸石溶胶。多孔膜形成用方法包括涂布多孔膜形成用组合物的涂布步骤；随后的干燥步骤；和多孔性形成步骤。
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公开(公告)号：CN1651515A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510005885.5
申请日：2005-01-27
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 松下电器产业株式会社
IPC: C08L83/04 , C08K3/36 , C08J5/18 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/06 , C08G77/08 , C09D183/02 , C09D183/04 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有优良机械强度和介电常数的多孔膜的涂布液和用于在通常使用的半导体制造工艺中易于形成膜厚度可自由控制的膜的涂布液。更具体来说，本发明提供了一种制备多孔膜形成用组合物的方法，该方法包含制备聚硅氧烷粒子、二氧化硅粒子或沸石粒子(组分A)的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和暂时终止交联性的步骤；以及用该方法可得到的多孔膜形成用组合物。此外，本发明也提供了一种形成多孔膜的方法，该方法包括通过制备组分A的步骤、赋予组分A交联性的步骤、和加入交联性抑制剂以暂时终止交联性的步骤来制备多孔膜形成用组合物；将多孔膜形成用组合物施用于衬底上形成膜，干燥该膜，通过加热该干燥膜在去除交联性抑制剂的同时使粒子交联。
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