-
公开(公告)号:CN106966395B
公开(公告)日:2019-11-01
申请号:CN201610890923.8
申请日:2013-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/03 , C01B33/035
Abstract: 本发明涉及多晶硅。具体地,本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先,准备三氯硅烷作为样品(S101),利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103),判定为合格品的情况下(S103:是),将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面,判定为不合格品的情况下(S103:否),则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS‑SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱,则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。
-
公开(公告)号:CN106966395A
公开(公告)日:2017-07-21
申请号:CN201610890923.8
申请日:2013-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/03 , C01B33/035
Abstract: 本发明涉及多晶硅。具体地,本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先,准备三氯硅烷作为样品(S101),利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103),判定为合格品的情况下(S103:是),将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面,判定为不合格品的情况下(S103:否),则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS‑SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱,则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。
-
公开(公告)号:CN102823590B
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201210197906.8
申请日:2012-06-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: A01N35/02 , A01N27/00 , A01N2300/00
Abstract: 本发明提供了一种桃蛀果蛾的新型性外激素组合物,其被预期用于羽化预测、大量诱捕和交配干扰,并且比传统性外激素组合物具有更高的引诱力;以及包含该新型性外激素组合物作为活性成分的一种性引诱剂、交配干扰剂和一种防治方法。具体地提供了一种包含(Z)-7-二十三碳烯和(Z)-13-二十碳烯-10-酮的桃蛀果蛾的新型性外激素组合物,包含这种性外激素组合物的一种性引诱剂和一种交配干扰剂,以及一种使用这种性外激素组合物来防治桃蛀果蛾的方法。
-
公开(公告)号:CN104395236B
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201380031327.9
申请日:2013-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/03 , C01B33/035
CPC classification number: H01L22/10 , C01B33/03 , C01B33/035 , G01N33/00 , G01N2033/0095 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先,准备三氯硅烷作为样品(S101),利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103),判定为合格品的情况下(S103:是),将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面,判定为不合格品的情况下(S103:否),则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS‑SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱,则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。
-
公开(公告)号:CN104395236A
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201380031327.9
申请日:2013-06-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/03 , C01B33/035
CPC classification number: H01L22/10 , C01B33/03 , C01B33/035 , G01N33/00 , G01N2033/0095 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先,准备三氯硅烷作为样品(S101),利用GC/MS-SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103),判定为合格品的情况下(S103:是),将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面,判定为不合格品的情况下(S103:否),则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS-SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱,则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。
-
公开(公告)号:CN102823590A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210197906.8
申请日:2012-06-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: A01N35/02 , A01N27/00 , A01N2300/00
Abstract: 本发明提供了一种桃蛀果蛾的新型性外激素组合物,其被预期用于羽化预测、大量诱捕和交配干扰,并且比传统性外激素组合物具有更高的引诱力;以及包含该新型性外激素组合物作为活性成分的一种性引诱剂、交配干扰剂和一种防治方法。具体地提供了一种包含(Z)-7-二十三碳烯和(Z)-13-二十碳烯-10-酮的桃蛀果蛾的新型性外激素组合物,包含这种性外激素组合物的一种性引诱剂和一种交配干扰剂,以及一种使用这种性外激素组合物来防治桃蛀果蛾的方法。
-
-
-
-
-