公开(公告)号：CN102197476A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142002.1

申请日：2009-08-28

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： R·塞德尔 ,  F·费尤斯特 ,  R·里克特

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/53276 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 在半导体器件中，可基于含碳材料形成延伸穿过该器件的衬底的导通孔，从而提供与高温工艺良好的兼容性，同时还提供比掺杂半导体材料等优越的电性性能。因此，在一些实施例中，可在形成关键电路元件的任意工艺步骤之前形成该导通孔，以实质上避免该导通孔结构与该相应半导体器件的器件层的任何干扰。因此，可实现高效的三维集成方案。

公开(公告)号：CN101479842B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200780024239.0

申请日：2007-04-05

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： R·塞德尔 ,  C·彼得斯 ,  F·福斯特尔

IPC: H01L21/768

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1021

Abstract: 藉由根据可共同地在可被模制的材料(103)上形成通孔开孔(viaopening)及沟槽压印技术(150)而形成金属化结构，可因省略了传统工艺技术中需要至少一另外的对准工艺，而使工艺复杂性获得显著的降低。此外，亦可藉由提供被适当设计的压印模具而增加压印微影术的弹性及效率，以便提供展现增加的填充能力的通孔开孔及沟槽，也因而改善了最后得到的金属化结构有关可靠性及对电迁移的抗性等之效能。

公开(公告)号：CN101479842A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780024239.0

申请日：2007-04-05

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： R·塞德尔 ,  C·彼得斯 ,  F·福斯特尔

IPC: H01L21/768

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1021

Abstract: 藉由根据可共同地在可被模制的材料(103)上形成通孔开孔(viaopening)及沟槽压印技术(150)而形成金属化结构，可因省略了传统工艺技术中需要至少一另外的对准工艺，而使工艺复杂性获得显著的降低。此外，亦可藉由提供被适当设计的压印模具而增加压印微影术的弹性及效率，以便提供展现增加的填充能力的通孔开孔及沟槽，也因而改善了最后得到的金属化结构有关可靠性及对电迁移的抗性等之效能。

公开(公告)号：CN102197476B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN200980142002.1

申请日：2009-08-28

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： R·塞德尔 ,  F·费尤斯特 ,  R·里克特

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/53276 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 在半导体器件中，可基于含碳材料形成延伸穿过该器件的衬底的导通孔，从而提供与高温工艺良好的兼容性，同时还提供比掺杂半导体材料等优越的电性性能。因此，在一些实施例中，可在形成关键电路元件的任意工艺步骤之前形成该导通孔，以实质上避免该导通孔结构与该相应半导体器件的器件层的任何干扰。因此，可实现高效的三维集成方案。