公开(公告)号：CN101479842B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN200780024239.0

申请日：2007-04-05

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： R·塞德尔 ,  C·彼得斯 ,  F·福斯特尔

IPC: H01L21/768

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1021

Abstract: 藉由根据可共同地在可被模制的材料(103)上形成通孔开孔(viaopening)及沟槽压印技术(150)而形成金属化结构，可因省略了传统工艺技术中需要至少一另外的对准工艺，而使工艺复杂性获得显著的降低。此外，亦可藉由提供被适当设计的压印模具而增加压印微影术的弹性及效率，以便提供展现增加的填充能力的通孔开孔及沟槽，也因而改善了最后得到的金属化结构有关可靠性及对电迁移的抗性等之效能。

公开(公告)号：CN101755333B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200880022651.3

申请日：2008-06-30

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： F·福伊斯特尔 ,  K·弗罗贝格 ,  C·彼得斯

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

Abstract: 去除通过SACVD沉积的层间介电材料(207，307)的过量材料，可利用此沉积技术之间隙填充能力，然而，另一方面，可减少对此材料的负面影响。于另一态样，以SACVD方式沉积层间介电材料(207，307)以前，可形成一种缓冲材料(360)，如二氧化硅，因此当层间介电材料(207，307)沉积于具有不同高本征应力水平的介电层时，于沉积工艺期间会产生加强的一致性(enhanced uniformity)。因此，于同时维持SACVD沉积所提供的优点的情况下可加强层间介电材料(207，307)的可靠度。

公开(公告)号：CN101479842A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780024239.0

申请日：2007-04-05

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： R·塞德尔 ,  C·彼得斯 ,  F·福斯特尔

IPC: H01L21/768

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81C2201/0153 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76817 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76885 ,  H01L2221/1021

Abstract: 藉由根据可共同地在可被模制的材料(103)上形成通孔开孔(viaopening)及沟槽压印技术(150)而形成金属化结构，可因省略了传统工艺技术中需要至少一另外的对准工艺，而使工艺复杂性获得显著的降低。此外，亦可藉由提供被适当设计的压印模具而增加压印微影术的弹性及效率，以便提供展现增加的填充能力的通孔开孔及沟槽，也因而改善了最后得到的金属化结构有关可靠性及对电迁移的抗性等之效能。

公开(公告)号：CN101755333A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880022651.3

申请日：2008-06-30

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： F·福伊斯特尔 ,  K·弗罗贝格 ,  C·彼得斯

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76837 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7843

Abstract: 去除通过SACVD沉积的层间介电材料(207，307)的过量材料，可利用此沉积技术之间隙填充能力，然而，另一方面，可减少对此材料的负面影响。于另一态样，以SACVD方式沉积层间介电材料(207，307)以前，可形成一种缓冲材料(360)，如二氧化硅，因此当层间介电材料(207，307)沉积于具有不同高本征应力水平的介电层时，于沉积工艺期间会产生加强的一致性(enhanced uniformity)。因此，于同时维持SACVD沉积所提供的优点的情况下可加强层间介电材料(207，307)的可靠度。