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公开(公告)号：CN118519039B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410626182.7
申请日：2024-05-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/367 , G01R31/374 , G01R31/387
Abstract: 本发明公开了一种电池的荷电状态估计方法、装置及电子设备，通过将当前时刻输出的电池内部温度和电池荷电状态，分别反馈为下一时刻的电池荷电状态估计过程中的输入状态量和电池内部温度估计过程中的输入状态量，对各自模型更新后，进行估计计算。电池内部温度和电池荷电状态两者之间为相互影响，相互关联的，结合了电池内部温度对荷电状态估计的影响，利用自适应扩展卡尔曼滤波算法对电池荷电状态进行估算，实现电池荷电状态和内部温度的耦合估计，提高了荷电状态估计结果的准确性。
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公开(公告)号：CN118011175A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410420863.8
申请日：2024-04-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统，涉及半导体器件检测领域。分析方法包括：搭建缺陷检测平台，并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容；其中，缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件，晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构，每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚，缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚；搭建电磁干扰平台，并对缺陷检测样品进行电磁干扰；检测损伤瞬态电容；基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度，基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度；确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法，能够探测晶体管器件的微观缺陷，准确测量晶体管器件的缺陷能级。
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公开(公告)号：CN117573318A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311581174.7
申请日：2023-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开提供了一种中断控制方法、处理器系统、芯片及电子设备，所述处理器系统包括：处理器内核、中断控制器、寄存器、任务栈、中断程序栈，其中：当在处理器内核运行任务过程中接收到中断请求时，处理器内核将寄存器的值压入栈指针指向的栈，保存栈指针的值，将栈指针指向中断程序栈，然后，处理器内核使用栈指针指向的栈来执行中断请求对应的中断处理流程，其中，在处理器内核运行任务时，栈指针指向任务栈，保存中断程序栈地址值；在执行完中断处理流程后，处理器内核将所述栈指针的值恢复为保存的值，保存中断程序栈地址值，从栈指针指向的栈恢复寄存器的值。
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公开(公告)号：CN118519039A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410626182.7
申请日：2024-05-20
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/367 , G01R31/374 , G01R31/387
Abstract: 本发明公开了一种电池的荷电状态估计方法、装置及电子设备，通过将当前时刻输出的电池内部温度和电池荷电状态，分别反馈为下一时刻的电池荷电状态估计过程中的输入状态量和电池内部温度估计过程中的输入状态量，对各自模型更新后，进行估计计算。电池内部温度和电池荷电状态两者之间为相互影响，相互关联的，结合了电池内部温度对荷电状态估计的影响，利用自适应扩展卡尔曼滤波算法对电池荷电状态进行估算，实现电池荷电状态和内部温度的耦合估计，提高了荷电状态估计结果的准确性。
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公开(公告)号：CN119835974A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411740320.0
申请日：2024-11-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种半导体器件及制造方法、芯片、电子设备。半导体器件包括：衬底、阱区、缓冲区、源区、漏区、介质层以及栅极，阱区、缓冲区、源区及漏区位于衬底上，源区形成于阱区的表面，漏区形成于缓冲区的表面。介质层包括高介电常数材料的第一介质层以及低介电常数材料的第二介质层，第一介质层位于阱区与缓冲区之间的衬底的表面，并延伸至阱区的表面；栅极位于第一介质层的表面，第二介质层位于缓冲区和漏区的表面。本发明利用高介电常数材料的第一介质层，在阱区与缓冲区之间的衬底内形成反型沟道，降低导通电阻；通过缓冲区提高漏端的击穿电压，通过低介电常数材料的第二介质层降低栅漏电容，同时增加栅极与漏端的耐压特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117573318B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202311581174.7
申请日：2023-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开提供了一种中断控制方法、处理器系统、芯片及电子设备，所述处理器系统包括：处理器内核、中断控制器、寄存器、任务栈、中断程序栈，其中：当在处理器内核运行任务过程中接收到中断请求时，处理器内核将寄存器的值压入栈指针指向的栈，保存栈指针的值，将栈指针指向中断程序栈，然后，处理器内核使用栈指针指向的栈来执行中断请求对应的中断处理流程，其中，在处理器内核运行任务时，栈指针指向任务栈，保存中断程序栈地址值；在执行完中断处理流程后，处理器内核将所述栈指针的值恢复为保存的值，保存中断程序栈地址值，从栈指针指向的栈恢复寄存器的值。
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公开(公告)号：CN118011175B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410420863.8
申请日：2024-04-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种晶体管器件缺陷分析方法及系统，涉及半导体器件检测领域。分析方法包括：搭建缺陷检测平台，并检测缺陷检测样品的初始瞬态电容；其中，缺陷检测样品包括在衬底上形成的多个晶体管器件，晶体管器件具有金属/氧化物/半导体层叠结构，每一晶体管器件的栅极通过梳状导电结构连接至第一引脚，缺陷检测样品的衬底连接至第二引脚；搭建电磁干扰平台，并对缺陷检测样品进行电磁干扰；检测损伤瞬态电容；基于初始瞬态电容确定初始缺陷能级和初始缺陷浓度，基于损伤瞬态电容确定损伤缺陷能级和损伤缺陷浓度；确定缺陷检测样品的电磁损伤程度。通过本发明提供的分析方法，能够探测晶体管器件的微观缺陷，准确测量晶体管器件的缺陷能级。
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公开(公告)号：CN117566553A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311507566.9
申请日：2023-11-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种设备运行情况监控方法、装置、拍摄设备、芯片及介质。首先，在电梯自初始楼层向目标楼层的运动过程中，对楼层显示面板图像进行文字识别，得到电梯所经历楼层的楼层标识集合。然后，基于每个楼层标识确定电梯从初始楼层运动至目标楼层的测量运行数据。接着，根据电梯的运动加速度进行积分运算，得到电梯从初始楼层运动至目标楼层的计算运行数据。最后，基于测量运行数据和计算运行数据对电梯的运行情况进行监控，得到电梯的运行情况。通过确定测量运行数据和计算运行数据对电梯的运行情况进行监控，可以提高对电梯运动情况监控的精确度。
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公开(公告)号：CN118502201A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410485289.4
申请日：2024-04-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，提供一种光刻胶均匀覆盖晶圆表面的仿真方法，包括：在仿真工具中输入沉积光刻胶和硬掩膜的命令，在晶圆表面形成均匀厚度的第一光刻胶和第一掩膜版；利用仿真工具中的photo命令，在第一掩膜版表面形成具有预设图形窗口的第二光刻胶第二掩膜版；输入刻蚀命令，在第二掩膜版的保护下对第一掩膜版进行刻蚀，在第一掩膜版形成刻蚀窗口；输入刻蚀命令，在第一掩膜版的保护下沿第一掩膜版的刻蚀窗口对第一光刻胶进行刻蚀；输入刻蚀命令，刻蚀掉第一光刻胶表面剩余的第一掩膜版，得到均匀覆盖晶圆表面的光刻胶。本发明解决了仿真工具中photo命令下涂覆光刻胶的高度不能随晶圆表面的高度变化而变化的问题。
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公开(公告)号：CN118263480A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410450285.2
申请日：2024-04-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01M8/04313 , H01M8/04664 , H01M8/0432
Abstract: 本公开涉及电池检测技术领域，具体涉及一种电池安全阀状态实时监测系统、方法及电子设备，所述系统包括：电解液喷出检测装置，用于检测电池的电解液喷出；温度传感器，用于检测环境温度和电池的表面温度；电流电压传感器，用于检测电池的工作电流、开路电压和工作电压；控制单元，用于根据所述温度传感器和所述电流电压传感器的检测结果确定电池内部温度最优估计值，根据所述第一检测部与所述第二检测部之间的电阻和所述电池内部温度最优估计值确定电池安全阀状态。本公开能够实现电解液喷出与电池内部温度同时在线监测，并根据电解液检测情况和电池内部真实温度检测情况两个条件共同判断安全阀的状态，减少误检，提高安全阀状态检测准确度。
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