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公开(公告)号：CN119742248A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411772571.7
申请日：2024-12-04
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提供一种晶圆缺陷检测方法及系统。所述方法包括：提供结构程式库，结构程式库中有多组第二结构，每组第二结构包括至少一个第二结构，每一个第二结构对应一扫描程式；判断待检测晶圆的第一结构是否与结构程式库中的某一第二结构对应；在确定第一结构与结构程式库中的某一第二结构对应时，获取该第二结构对应的扫描程式作为第一结构的扫描程式；在确定第一结构与结构程式库中所有的第二结构均不对应时，根据第一结构的对准标记生成第一结构的扫描程式；根据第一结构的扫描程式对第一结构表面的缺陷进行扫描。采用上述方法进行晶圆缺陷检测时，各个站点可以自动衍生检测程式，降低检测时间和成本，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN119718421A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411592713.1
申请日：2024-11-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司信息通信分公司
IPC: G06F9/30
Abstract: 本发明公开了一种基于RISC‑V向量扩展的字节序交换方法和交换装置、芯片，所述方法包括：确定RISC‑V向量扩展的源向量寄存器和目的向量寄存器，将待转换数据加载到源向量寄存器中；加载RISC‑V向量扩展的新增向量指令，新增向量指令用于实现字节序的交换操作；采用新增向量指令对源向量寄存器中待转换数据进行字节序的交换操作，并将交换操作后的数据存储至目的向量寄存器。本发明的字节序交换方法，能够减少指令执行的次数，提高转化的效率。
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公开(公告)号：CN119576822A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411721960.7
申请日：2024-11-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及人工智能芯片领域，具体涉及一种集成片上存储器阵列的人工智能芯片、计算任务处理方法和电子设备，所述芯片包括控制器和多个处理器‑存储器模块，其中：控制器获取计算任务，对所述计算任务进行解析，得到多个子计算任务；处理器‑存储器模块包括处理单元组、存储器、调度器，其中：处理单元组包括多个处理单元，处理单元处理所述子计算任务；存储器存储处理单元组中的多个处理单元在执行相应子计算任务时涉及的数据；调度器连接到所述多个处理单元和所述存储器，用于调度所述多个处理单元对所述存储器的访问操作，所述处理单元组设置在所述人工智能芯片的处理层中，所述存储器设置在所述人工智能芯片的存储层中，所述处理层和所述存储层堆叠设置。
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公开(公告)号：CN119292673A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411229524.8
申请日：2024-09-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网宁夏电力有限公司营销服务中心(国网宁夏电力有限公司计量中心)
Abstract: 本发明公开了一种分支预测攻击的防范方法、装置、芯片和介质，所述方法包括：确定目标分支指令所属程序的程序类别；若程序类别为安全受信程序，则确定分支预测器的配置情况；根据分支预测器的配置情况确定存在第一预设分支预测器和第二预设分支预测器时，利用第二预设分支预测器对目标分支指令进行预测；根据分支预测器的配置情况确定存在第一预设分支预测器时，确定第一预设分支预测器预测目标分支指令的使能状态，并根据使能状态，对目标分支指令进行处理；其中，第一预设分支预测器用于对非安全受信程序的分支指令进行预测。采用该方法能够在硬件和软件上降低分支预测的风险，保证了分支预测的安全性，降低了敏感信息泄露的概率。
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公开(公告)号：CN114371758B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111407133.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电压电路及芯片，其中，基准电压电路包括基准电压提供模块和温度补偿模块，基准电压提供模块生成正温度系数电流，并将正温度系数电流与温度补偿模块生成的负温度系数电流叠加，得到零温度系数电流并提供给温度补偿模块，温度补偿模块根据零温度系数电流生成负温度系数电压，并根据所述负温度系数电压对基准电压提供模块输出的基准电压进行高阶温度补偿，使基准电压提供模块输出低温漂基准电压。本发明实施例的基准电压电路，电路结构简单且补偿精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118627291A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410747506.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明提供一种掺杂浓度文件生成方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：获取新拓扑结构网格中的所有节点坐标；基于原拓扑结构网格中所有图形网格内的指定点坐标构建KD树；基于所述KD树搜索出所述新拓扑结构网格中的每个节点坐标在所述原拓扑结构网格对应的目标图形网格；基于每个所述目标图形网格的节点掺杂浓度对新拓扑结构网格中的每个节点坐标进行插值，得到新拓扑结构网格中的所有节点坐标的掺杂浓度，以形成新掺杂浓度文件。相比现有技术采用顺序遍历原有拓扑结构的三角形网格方式，过程效率低、耗时长。本发明采用KD树的方式建立原有图形网格的快速搜索，实现新拓扑结构网格的节点在原有拓扑结构网格上的快速定位。
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公开(公告)号：CN118626374A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410745770.2
申请日：2024-06-11
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F11/36
Abstract: 本发明提供一种图形用户界面程序的自动测试方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。其中方法包括：获取图形用户界面程序的测试用例中操作的控件坐标信息；基于测试用例中操作的控件坐标信息，编写自动化测试脚本；运行自动化测试脚本；重复执行以下步骤，直至所有测试任务测试结束：间隔预设时间周期获取图形用户界面的截图，以及提取截图中的多个测试任务的字符和每个测试任务对应的颜色状态；基于截图、多个测试任务的字符和每个测试任务的颜色状态，生成测试用例状态报告；基于测试用例状态报告确定所有测试任务的测试进程。本发明用以解决图形用户界面程序的测试过程中耗费大量的人力成本和时间成本的问题。
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公开(公告)号：CN118566589A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410691002.3
申请日：2024-05-30
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种新型测量薄膜电阻温度系数的方法及系统。本发明给电阻施加不同大小的恒定电流来控制电阻的温度；基于四探针法并通过改进的范德堡法计算电阻；基于不同恒定电流下所测得的电阻，结合红外测温仪获取的温度，计算得到电阻温度系数。本发明可以快速测量出温度，并由此计算出温度系数，节省大量时间成本，同时本发明不受样品大小和探针游移的影响，无需保持重复测量时探针位置一致性。
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公开(公告)号：CN118502201A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410485289.4
申请日：2024-04-22
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体工艺技术领域，提供一种光刻胶均匀覆盖晶圆表面的仿真方法，包括：在仿真工具中输入沉积光刻胶和硬掩膜的命令，在晶圆表面形成均匀厚度的第一光刻胶和第一掩膜版；利用仿真工具中的photo命令，在第一掩膜版表面形成具有预设图形窗口的第二光刻胶第二掩膜版；输入刻蚀命令，在第二掩膜版的保护下对第一掩膜版进行刻蚀，在第一掩膜版形成刻蚀窗口；输入刻蚀命令，在第一掩膜版的保护下沿第一掩膜版的刻蚀窗口对第一光刻胶进行刻蚀；输入刻蚀命令，刻蚀掉第一光刻胶表面剩余的第一掩膜版，得到均匀覆盖晶圆表面的光刻胶。本发明解决了仿真工具中photo命令下涂覆光刻胶的高度不能随晶圆表面的高度变化而变化的问题。
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公开(公告)号：CN118409180A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410593868.0
申请日：2024-05-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路测量技术领域，具体涉及晶体管电容测量设备、方法、装置、电子设备及存储介质，所述晶体管电容测量设备包括：可调偏置单元用于提供可调的偏置电压，其第一端与待测晶体管衬底连接，第二端与待测晶体管源极和漏极短接点连接；电容测量单元用于测量待测晶体管的栅与有源区交叠电容Cgc，其连接到待测晶体管栅极和可调偏置单元第二端；控制单元用于控制可调偏置单元的偏置电压在偏置电压范围内以第一预设步长扫描，以及控制电容测量单元的高压端和低压端之间的直流电压差在电压差范围内以第二预设步长扫描，以得到待测晶体管的Cgc曲线。本公开解决了电容测量时测量设备无法连续扫描的问题，显著提升了Cgc曲线测量的效率。
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