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公开(公告)号:CN110923814A
公开(公告)日:2020-03-27
申请号:CN201911164137.X
申请日:2019-11-25
Applicant: 北京理工大学重庆创新中心 , 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米二氧化钒薄膜的制备方法,解决现有技术中对薄膜的厚度和均匀度进行精准的控制,无法保证掺杂元素以掺杂的形式进入二氧化钒晶格内部,存在第二相或其他杂质的问题。本发明的制备方法为将钒源溶液和有机羧酸溶液混合,得到无元素掺杂的水热反应溶液;或将钒源溶液、有机羧酸溶液和掺杂元素溶液混合,得到元素掺杂的水热反应溶液;将基片完全浸没于水热反应溶液中进行水热反应;清洗、干燥后再退火处理,得到纳米二氧化钒薄膜。采用本发明方法制成的二氧化钒薄膜呈现规则的纳米结构,纳米棒晶粒为单晶结构,晶粒直径最小可达到10nm;化学价态稳定;均匀,厚度可控;拥有优良的热致相变性能和良好的可见光透过率。
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公开(公告)号:CN113149074B
公开(公告)日:2022-11-15
申请号:CN202010015326.7
申请日:2020-01-07
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种智能窗材料及其制备方法。所述方法包括:将钒源溶液、有机酸溶液和含掺杂元素的溶液混合,得到元素掺杂的水热反应溶液;将基片完全浸没于制得的水热反应溶液中进行水热反应;水热反应结束后,将生长有带有沉积物的薄膜的基片取出,清洗去除薄膜表面沉积物,再干燥,得到生长有薄膜的基片;对生长有薄膜的基片进行退火处理,得到含掺杂元素的二氧化钒薄膜;由于该制备方法中所使用的溶剂均为环境友好型的试剂,因此该制备方法具有环境友好的特点。除此之外,该制备方法还具有简单易行、制备周期短,耗能低,性能优异,具有工业化应用的价值等特点。
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公开(公告)号:CN114972614A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210497153.6
申请日:2022-05-09
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种反向映射跨界面层析成像方法,首先建立反向光线追踪关系,光线从投影上的像素坐标系上的一点出发,穿过镜头中心到待测目标上的某一体素层上唯一对应点,然后建立反向映射关系,再根据反向追踪光路与球形体素的相交体积分数来直接计算投影权重系数,最后得到点扩散函数。本发明不仅解决了受限空间中层析成像投影失真问题,而且只需要从二维中的像素投影到三维目标场中的体素的反向映射关系,而不涉及从体素到像素的正向投影过程,避免了耗时的映射关系转换步骤,节省了大量的计算资源,提高了计算效率。
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公开(公告)号:CN114107902B
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202111439250.1
申请日:2021-11-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种VO2基多层薄膜结构及其产品和应用,涉及航天器热控技术领域。本发明设计的VO2基多层薄膜结构,由内层向外层依次包括:高反射金属膜、红外透光介质膜和VO2膜。本发明还公开了一种航天器辐射热控器件,所述航天器辐射热控器件具有该VO2基多层薄膜结构。本发明设计的VO2基多层薄膜结构能够使智能热控辐射器件实现低温低热导率、高温高热导率和低太阳吸收率,并具有良好的热控性能和耐热震性能,其太阳光吸收率可达27.5%,在5‑15μm范围的积分发射率在室温和100℃分别为0.26和0.91,发射率调制幅度可达0.65。
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公开(公告)号:CN114231922B
公开(公告)日:2022-09-02
申请号:CN202111441667.1
申请日:2021-11-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种VO2基多层薄膜结构和其产品的制备方法,涉及航天器热控技术领域。本发明设利用磁控溅射法,以(100)方向的单晶硅片为基底,依次采用金属钛靶、金属银靶、金属铝靶和金属钒靶制备所述VO2基多层薄膜结构。本发明制备的VO2基多层薄膜结构能够使智能热控辐射器件实现低温低热导率、高温高热导率和低太阳吸收率,并具有良好的热控性能和耐热震性能,其太阳光吸收率可达27.5%,在5‑15μm范围的积分发射率在室温和100℃分别为0.26和0.91,发射率调制幅度可达0.65。
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公开(公告)号:CN114231922A
公开(公告)日:2022-03-25
申请号:CN202111441667.1
申请日:2021-11-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种VO2基多层薄膜结构和其产品的制备方法,涉及航天器热控技术领域。本发明设利用磁控溅射法,以(100)方向的单晶硅片为基底,依次采用金属钛靶、金属银靶、金属铝靶和金属钒靶制备所述VO2基多层薄膜结构。本发明制备的VO2基多层薄膜结构能够使智能热控辐射器件实现低温低热导率、高温高热导率和低太阳吸收率,并具有良好的热控性能和耐热震性能,其太阳光吸收率可达27.5%,在5‑15μm范围的积分发射率在室温和100℃分别为0.26和0.91,发射率调制幅度可达0.65。
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公开(公告)号:CN113149074A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202010015326.7
申请日:2020-01-07
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明提供了一种智能窗材料及其制备方法。所述方法包括:将钒源溶液、有机酸溶液和含掺杂元素的溶液混合,得到元素掺杂的水热反应溶液;将基片完全浸没于制得的水热反应溶液中进行水热反应;水热反应结束后,将生长有带有沉积物的薄膜的基片取出,清洗去除薄膜表面沉积物,再干燥,得到生长有薄膜的基片;对生长有薄膜的基片进行退火处理,得到含掺杂元素的二氧化钒薄膜;由于该制备方法中所使用的溶剂均为环境友好型的试剂,因此该制备方法具有环境友好的特点。除此之外,该制备方法还具有简单易行、制备周期短,耗能低,性能优异,具有工业化应用的价值等特点。
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公开(公告)号:CN114107902A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111439250.1
申请日:2021-11-30
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种VO2基多层薄膜结构及其产品和应用,涉及航天器热控技术领域。本发明设计的VO2基多层薄膜结构,由内层向外层依次包括:高反射金属膜、红外透光介质膜和VO2膜。本发明还公开了一种航天器辐射热控器件,所述航天器辐射热控器件具有该VO2基多层薄膜结构。本发明设计的VO2基多层薄膜结构能够使智能热控辐射器件实现低温低热导率、高温高热导率和低太阳吸收率,并具有良好的热控性能和耐热震性能,其太阳光吸收率可达27.5%,在5‑15μm范围的积分发射率在室温和100℃分别为0.26和0.91,发射率调制幅度可达0.65。
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