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公开(公告)号：CN119364880B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411896873.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H10F30/225 , H10F71/00 , H10F77/20 , H10F77/14
Abstract: 本申请实施例提供一种雪崩光电探测器及其制备方法。雪崩光电探测器包括雪崩光电二极管和提取结构，雪崩光电二极管包括依次设置的第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层；第一接触层、提取结构具有第一掺杂类型，电荷层和光吸收层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型不同，第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层共同形成第一电场；提取结构位于雪崩光电二极管沿第二方向的外侧，提取结构和光吸收层共同形成第二电场，第一方向与第二方向相交；第一电场与第二电场不接触。通过在原有的雪崩光电探测器的电场区外侧引入提取结构，提取结构可以吸引外侧的载流子，减少载流子扩散进入电场区以引入额外的扩散电流，从而降低器件噪声。
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公开(公告)号：CN119364880A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411896873.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H10F30/225 , H10F71/00 , H10F77/20 , H10F77/14
Abstract: 本申请实施例提供一种雪崩光电探测器及其制备方法。雪崩光电探测器包括雪崩光电二极管和提取结构，雪崩光电二极管包括依次设置的第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层；第一接触层、提取结构具有第一掺杂类型，电荷层和光吸收层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型不同，第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层共同形成第一电场；提取结构位于雪崩光电二极管沿第二方向的外侧，提取结构和光吸收层共同形成第二电场，第一方向与第二方向相交；第一电场与第二电场不接触。通过在原有的雪崩光电探测器的电场区外侧引入提取结构，提取结构可以吸引外侧的载流子，减少载流子扩散进入电场区以引入额外的扩散电流，从而降低器件噪声。
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公开(公告)号：CN118276618A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410694059.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 本申请提供一种温度控制装置以及温度控制系统。该装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，误差放大器模块用于对温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据电压信号、以及对目标芯片的温度要求，确定误差信号；PID控制器模块用于对接收到的误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；电流监控模块用于调节TEC制冷片中的电流的大小和方向。本申请通过对目标芯片的瞬态温度调控，从而稳定控制目标芯片的温度，降低了温度对目标芯片工作性能和稳定性的影响。
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公开(公告)号：CN118276618B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410694059.9
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京邮电大学
IPC: G05D23/24
Abstract: 本申请提供一种温度控制装置以及温度控制系统。该装置包括：TEC制冷片，与目标芯片连接，用于对目标芯片进行制冷；温度控制电路模块，温度控制电路模块包括误差放大器模块、PID控制器模块、以及电流监控模块，其中，误差放大器模块用于对温度传感器的温度信息进行转换处理，得到电压信号，并根据电压信号、以及对目标芯片的温度要求，确定误差信号；PID控制器模块用于对接收到的误差信号进行转换处理，得到初始控制信号，并对初始控制信号进行降噪处理，得到目标控制信号；电流监控模块用于调节TEC制冷片中的电流的大小和方向。本申请通过对目标芯片的瞬态温度调控，从而稳定控制目标芯片的温度，降低了温度对目标芯片工作性能和稳定性的影响。
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