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公开(公告)号：CN112652711A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011447882.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种选通管材料、选通管单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述选通管材料为包括Si及M的化合物，其中，M为S或者Se，所述选通管材料的化学通式为SixMy，其中，x、y为元素的原子百分比，且16.67≤x≤50、50≤y≤83.33，x+y＝100。该选通管材料仅由Si和M(M为S或者Se)两种元素构成，组分简单，易于控制，有效减轻了相分离引起的负面影响，改善了器件的可靠性与循环能力。Si‑M的结合能较Si‑Te大，所形成的共价键更强，阻碍了结晶所需的原子运动，故结晶温度提高，改善了材料的热稳定性，可以承受更高的工作电流或工作温度。
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公开(公告)号：CN110571327A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910734408.4
申请日：2019-08-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种Cr-Sb相变存储材料及其制备与应用，该Cr-Sb相变存储材料化学组成通式为CriSbj，其中，i、j分别对应着Cr原子、Sb原子在该Cr-Sb相变存储材料中的原子百分比，并且5≤i≤30,70≤j≤95，i+j＝100。本发明通过在单晶Sb中掺入Cr，得到化学组成通式为CriSbj的Cr-Sb相变存储材料，Cr与Sb的化合带来了一系列材料性质的变化，由此实现了具备热稳定性和异常光学性质的二元Cr-Sb相变存储材料，能够改善非晶的稳定性，提高相变材料的结晶温度，以此来提高相变存储材料的热稳定性，尤其适用于在相变存储器、人工神经网络或抑制性突触器件中应用。
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公开(公告)号：CN112652711B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202011447882.8
申请日：2020-12-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种选通管材料、选通管单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述选通管材料为包括Si及M的化合物，其中，M为S或者Se，所述选通管材料的化学通式为SixMy，其中，x、y为元素的原子百分比，且16.67≤x≤50、50≤y≤83.33，x+y＝100。该选通管材料仅由Si和M(M为S或者Se)两种元素构成，组分简单，易于控制，有效减轻了相分离引起的负面影响，改善了器件的可靠性与循环能力。Si‑M的结合能较Si‑Te大，所形成的共价键更强，阻碍了结晶所需的原子运动，故结晶温度提高，改善了材料的热稳定性，可以承受更高的工作电流或工作温度。
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公开(公告)号：CN110571327B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910734408.4
申请日：2019-08-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种Cr‑Sb相变存储材料及其制备与应用，该Cr‑Sb相变存储材料化学组成通式为CriSbj，其中，i、j分别对应着Cr原子、Sb原子在该Cr‑Sb相变存储材料中的原子百分比，并且5≤i≤30,70≤j≤95，i+j＝100。本发明通过在单晶Sb中掺入Cr，得到化学组成通式为CriSbj的Cr‑Sb相变存储材料，Cr与Sb的化合带来了一系列材料性质的变化，由此实现了具备热稳定性和异常光学性质的二元Cr‑Sb相变存储材料，能够改善非晶的稳定性，提高相变材料的结晶温度，以此来提高相变存储材料的热稳定性，尤其适用于在相变存储器、人工神经网络或抑制性突触器件中应用。
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