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公开(公告)号：CN119892063A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510361198.4
申请日：2025-03-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的多数门逻辑电路、控制方法、装置及应用，属于微电子器件技术领域；包括电阻及负极均与电阻的一端相连的两个相同的忆阻器M1、M2；本发明充分利用了忆阻器的阻态特性，通过在忆阻器M2的初始阻态为高阻值状态的基础上，设置忆阻器M1的阻态为与逻辑值c相对应的阻态，忆阻器M1的正极、M2的正极、电阻另一端的输入电压一一对应为与逻辑值b相关的电压‑V(b)‑Vp、与逻辑值a相关的电压V(a)、与逻辑值b相关的电压‑V(b)，由此实现了逻辑值a、b、c的多数门逻辑运算；本发明仅需要采用两个忆阻器即可实现多数门逻辑运算，降低了电路面积开销。
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公开(公告)号：CN119883185A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510361374.4
申请日：2025-03-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性多数门电路和加法电路的控制方法及装置，属于微电子逻辑运算技术领域；在多数门电路中，三个忆阻器分别对应输入待进行多数门逻辑运算的逻辑值a、b、c，逻辑运算的结果由电压比较器根据公共节点电压与参考电压的比较结果确定；通过改变忆阻器正极的电压，即可实现M(a,b,c)和#imgabs0#两种多数门逻辑；在不同类型的多数门逻辑实现过程中，无需增加忆阻器数量，能够以较少的器件、较快的计算速度实现两种多数门逻辑运算，且这两种多数门逻辑是完备的，通过组合两种多数门逻辑能够实现任意布尔函数；基于此，本发明能够以较高的集成度、较快的计算速度满足实际应用中对多功能逻辑的需求。
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公开(公告)号：CN119883184A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510361329.9
申请日：2025-03-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的近似加法电路的控制方法及近似加法运算装置，属于微电子逻辑运算技术领域；利用忆阻器的存算一体特性，通过将进位ci+1设置为ai、bi和ci三个输入值之一，并通过对近似加法电路各端口同步施加电压，实现进位取反后的多数门逻辑运算，从而并行地得到了各位加和结果s1,s2,...,sn；通过上述近似加法设计，本发明无需等待上一位的进位计算，高效地实现了并行多位加法运算，计算速度较快；且本发明所需的器件数量和操作步骤均较少，能够在采用较少的器件和操作步骤的条件下，以较快的计算速度实现近似加法运算，减少了硬件资源消耗，尤其在处理大数据流和高速运算时表现出显著的性能提升。
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公开(公告)号：CN119883182A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510360926.X
申请日：2025-03-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的近似加法电路控制方法及近似加法运算装置，属于微电子逻辑运算技术领域；在近似加法电路中，通过向第一、第二、第三忆阻器输入待进行多数门逻辑运算的逻辑值并调控电压，可实现多数门逻辑运算M(a,b,c)，通过向第一、第二、第四忆阻器输入待进行多数门逻辑运算的逻辑值并调控电压，可实现多数门逻辑运算#imgabs0#，对两种多数门逻辑运算进行迭代，即可实现近似加法运算。在本发明中，由于两种不同的多数门逻辑运算可复用运算单元，因此装置的集成度较高、计算速度较快。
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公开(公告)号：CN115240728B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202210909473.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/408 , G11C11/409 , G11C11/4094
Abstract: 本发明公开了一种动态存储器操作方法，包括如下步骤：按照预先设定的间隔时间T对动态存储器进行刷新操作，同时实时接收操作指令，当接收到操作指令时，根据操作指令中被选中存储单元的位置信息对被选中存储单元进行读操作，并将读操作中读取的状态数据暂存在读缓冲器中，其中，间隔时间T小于写操作时存储单元中电容的电压值下降到读操作正确读出该存储单元状态数据的临界电容电压值所需的时间t；然后再根据操作指令中操作指令类型信息对被选中存储单元进行相应操作，其中，在每次读操作后需进行一次刷新操作的执行步骤。本发明即使在被选中存储单元中电容发生漏电时，也能有效确保该存储单元进行读、写操作的正常操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118946252B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410960746.0
申请日：2024-07-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20 , G02B5/20 , G02B5/22 , G02B5/26 , G02F1/00 , G02F1/01 , G02F1/17 , H10N70/00 , H10B63/10 , H10N15/10
Abstract: 本发明提供一种基于相变材料的感存算一体化结构，该结构包括：可见光滤波结构，用于对可见光进行吸收或反射；窄带吸收体腔结构，位于可见光滤波结构的下方，包括金属层、介质层和相变层；钽酸锂单晶片结构，位于所述窄带吸收体腔结构的下方；在光经过可见光滤波结构照到窄带吸收体腔结构时，若相变层使用的相变材料处于非晶态，窄带吸收体腔结构对光进行窄带吸收，钽酸锂单晶片结构根据热释电效应产生第一电流；若相变材料处于晶态，窄带吸收体腔结构对所述光进行反射，钽酸锂单晶片结构根据热释电效应产生第二电流。本发明对目标光吸收的比例动态可调，处理速度快，帧率高，功耗低，而且半高宽非常窄，对角度不敏感，结构简单，易于集成。
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公开(公告)号：CN115148737B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202210713336.7
申请日：2022-06-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明公开了一种基于阈值开关的非易失性存储单元及其操作方法，属于微纳米电子技术领域。非易失性存储单元包括依次层叠的第一金属电极层、阈值开关层、第二金属电极层，阈值开关层包含硫系半导体材料，阈值开关层的阈值电压在电信号的操作下能够在初始阈值电压和高阈值电压之间切换。该存储单元基于阈值开关可控的阈值变化实现了信息的存储，阈值开关具有纳秒级开关速度、可微缩性好且易三维堆叠的优点，所实现的阈值开关存储单元同样具备上述优点，在匹配DRAM存取速度的基础上大幅提高存储密度。同时，基于阈值开关的非易失性存储单元，其制备的工艺成本低且与CMOS工艺兼容，有利于所述存储单元实现大规模生产。
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公开(公告)号：CN119418734A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411588448.X
申请日：2024-11-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C7/10
Abstract: 本申请公开了一种基于OTS的多值动态存储单元的读写电路，涉及存储器读写电路技术领域，该读写电路包括：均与基于OTS的多值动态存储单元连接的写控制模块和读控制模块；写控制模块在写控制信号的控制下，根据参考电压和多个输入信号生成不同值的写操作电压，并作用于存储单元电容的两端，实现了多值动态存储单元的写入操作；读控制模块在读控制信号的作用下，读出存储单元的四种存储状态，并以四位编码的形式输出。本申请可以通过调节各输入信号的数值，产生不同值的写操作电压，用作多值动态存储单元不同状态的写入电压，另外通过读控制模块可以分别读出存储单元的不同存储状态，并以四位编码的形式输出读出的数据。
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公开(公告)号：CN113346012B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110484811.3
申请日：2021-04-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微电子器件及存储技术领域，更具体地，涉及一种非熔融超晶格相变薄膜材料，其包括相变层和钉扎层，所述相变层和钉扎层交替堆叠形成周期性结构，所述相变层采用GeTe材料，所述钉扎层采用TiTe2材料；工作中，在所述相变层开始发生非熔融相变时，所述钉扎层不会发生相变，以提高所述钉扎层在相变过程中的稳定性。本发明的非熔融超晶格相变薄膜材料和现有的(Sb2Te3)(GeTe)2非熔融相变材料相比，通过钉扎层材料及超晶格结构的优化，显著提高了超晶格中非相变部分钉扎层在相变过程中的稳定性，使得这种非熔融超晶格相变薄膜材料拥有更好的稳定性和更高的循环次数。
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公开(公告)号：CN118981593A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411072004.0
申请日：2024-08-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于存内计算技术领域，具体公开了一种傅里叶变换存内运算系统及其运算方法。该系统包括：预处理模块，用于在当前迭代运算中，按照N维输入数据对应的拆分维度，将N维输入数据拆分为多个一维数据组，并根据每个一维数据组输出对应的电压脉冲信号；运算模块，用于利用离散傅里叶变换算子，基于每个一维数据组对应的电压脉冲信号，输出每个一维数据组对应的电流脉冲信号；后处理模块，用于将每组电流脉冲信号转换为对应的一维转换数据组，并根据拆分维度对各个一维转换数据组进行重组，得到当前迭代运算的N维重组数据。通过本申请，可以在保持低功耗的同时，有效提高存内运算系统实现傅里叶变换的运算速度和运算效率。
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