公开(公告)号：CN101517746B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200780035143.4

申请日：2007-12-14

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 松本广 ,  山口郁博 ,  小林启和

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/113 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L27/14678 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1136 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种光传感器，包括具有第一侧部和第二侧部的用于光电转换的半导体薄膜(5)。源电极(9)沿所述半导体薄膜(5)的纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第一侧部重叠的侧边部分(9b，9c)，漏电极(10)沿所述纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第二侧部重叠的侧边部分(10b，10c)。源电极和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一具有突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之间的缺口部分(9c，10c)，其中，所述突出部分沿所述纵向布置，并且与所述半导体薄膜(5)重叠。在所述半导体薄膜(5)与所述源和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一的突出部分(9b，10b)之间形成欧姆接触层(7，8)。

公开(公告)号：CN101517746A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035143.4

申请日：2007-12-14

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 松本广 ,  山口郁博 ,  小林启和

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/113 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L27/14678 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1136 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种光传感器，包括具有第一侧部和第二侧部的用于光电转换的半导体薄膜(5)。源电极(9)沿所述半导体薄膜(5)的纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第一侧部重叠的侧边部分(9b，9c)，漏电极(10)沿所述纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第二侧部重叠的侧边部分(10b，10c)。源电极和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一具有突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之间的缺口部分(9c，10c)，其中，所述突出部分沿所述纵向布置，并且与所述半导体薄膜(5)重叠。在所述半导体薄膜(5)与所述源和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一的突出部分(9b，10b)之间形成欧姆接触层(7，8)。