光传感器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101517746B

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN200780035143.4

    申请日:2007-12-14

    Abstract: 一种光传感器,包括具有第一侧部和第二侧部的用于光电转换的半导体薄膜(5)。源电极(9)沿所述半导体薄膜(5)的纵向延伸,并且具有与所述半导体薄膜(5)的第一侧部重叠的侧边部分(9b,9c),漏电极(10)沿所述纵向延伸,并且具有与所述半导体薄膜(5)的第二侧部重叠的侧边部分(10b,10c)。源电极和漏电极(9,10)的侧边部分(9b,9c,10b,10c)的至少其中之一具有突出部分(9b,10b)和形成于所述突出部分(9b,10b)之间的缺口部分(9c,10c),其中,所述突出部分沿所述纵向布置,并且与所述半导体薄膜(5)重叠。在所述半导体薄膜(5)与所述源和漏电极(9,10)的侧边部分(9b,9c,10b,10c)的至少其中之一的突出部分(9b,10b)之间形成欧姆接触层(7,8)。

    光传感器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101517746A

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200780035143.4

    申请日:2007-12-14

    Abstract: 一种光传感器,包括具有第一侧部和第二侧部的用于光电转换的半导体薄膜(5)。源电极(9)沿所述半导体薄膜(5)的纵向延伸,并且具有与所述半导体薄膜(5)的第一侧部重叠的侧边部分(9b,9c),漏电极(10)沿所述纵向延伸,并且具有与所述半导体薄膜(5)的第二侧部重叠的侧边部分(10b,10c)。源电极和漏电极(9,10)的侧边部分(9b,9c,10b,10c)的至少其中之一具有突出部分(9b,10b)和形成于所述突出部分(9b,10b)之间的缺口部分(9c,10c),其中,所述突出部分沿所述纵向布置,并且与所述半导体薄膜(5)重叠。在所述半导体薄膜(5)与所述源和漏电极(9,10)的侧边部分(9b,9c,10b,10c)的至少其中之一的突出部分(9b,10b)之间形成欧姆接触层(7,8)。

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