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公开(公告)号：CN101517746B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200780035143.4
申请日：2007-12-14
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/113 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14678 , H01L31/03921 , H01L31/1136 , Y02E10/50
Abstract: 一种光传感器，包括具有第一侧部和第二侧部的用于光电转换的半导体薄膜(5)。源电极(9)沿所述半导体薄膜(5)的纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第一侧部重叠的侧边部分(9b，9c)，漏电极(10)沿所述纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第二侧部重叠的侧边部分(10b，10c)。源电极和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一具有突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之间的缺口部分(9c，10c)，其中，所述突出部分沿所述纵向布置，并且与所述半导体薄膜(5)重叠。在所述半导体薄膜(5)与所述源和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一的突出部分(9b，10b)之间形成欧姆接触层(7，8)。
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公开(公告)号：CN1527360A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410028208.0
申请日：2004-03-08
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , 住友重机械工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02683 , H01L21/2026 , H01L27/12 , H01L27/1285
Abstract: 本发明提供一种半导体薄膜的制造方法。将非晶硅薄膜的膜厚设定为通过内部的光干涉使激光束的吸收率大致达到峰值的膜厚如62nm，比较试样的非晶薄膜的膜厚设定为45nm，如果照射将Nd：YLF激光束变换成2次高次谐波的Nd：YLF/SGH(脉冲振荡、波长527nm)激光束，用实线表示的本发明试样的光吸收率大于用虚线表示的比较试样的光吸收率28％，达到54％，光吸收率大幅度增加。
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公开(公告)号：CN101517746A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780035143.4
申请日：2007-12-14
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/113 , H01L29/417 , H01L29/786
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14678 , H01L31/03921 , H01L31/1136 , Y02E10/50
Abstract: 一种光传感器，包括具有第一侧部和第二侧部的用于光电转换的半导体薄膜(5)。源电极(9)沿所述半导体薄膜(5)的纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第一侧部重叠的侧边部分(9b，9c)，漏电极(10)沿所述纵向延伸，并且具有与所述半导体薄膜(5)的第二侧部重叠的侧边部分(10b，10c)。源电极和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一具有突出部分(9b，10b)和形成于所述突出部分(9b，10b)之间的缺口部分(9c，10c)，其中，所述突出部分沿所述纵向布置，并且与所述半导体薄膜(5)重叠。在所述半导体薄膜(5)与所述源和漏电极(9，10)的侧边部分(9b，9c，10b，10c)的至少其中之一的突出部分(9b，10b)之间形成欧姆接触层(7，8)。
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公开(公告)号：CN102208411B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110081419.0
申请日：2011-03-31
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/786 , G09G3/20
CPC classification number: H01L27/3262 , G09G3/3233 , G09G2300/0842 , H01L27/124
Abstract: 本发明涉及半导体装置、发光装置和电子设备。半导体装置具有在基板上设置的第一晶体管和第二晶体管，上述第一晶体管的第一源电极和第一漏电极沿第一方向配置，上述第二晶体管的第二源电极和第二漏电极沿上述第一方向并按与上述第一源电极和上述第一漏电极相反的顺序配置。上述第一源电极和上述第二源电极通过源极连接布线连接，上述第一漏电极和上述第二漏电极通过漏极连接布线连接，上述第一栅电极和上述第二栅电极通过栅极连接布线连接，上述源极连接布线和上述漏极连接布线设置在除了与上述第一栅电极、上述第二栅电极以及上述栅极连接布线重叠的区域之外的区域。
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公开(公告)号：CN102194856A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110065305.7
申请日：2011-03-17
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/3262
Abstract: 本发明涉及像素电路基板、显示装置、电子设备及像素电路基板的制造方法，提供特性稳定的像素电路基板。本发明的像素电路基板，其特征在于，具备：像素电极；第1驱动元件，连接于所述像素电极的一边侧；及第2驱动元件，与所述第1驱动元件并联连接，而且连接于所述像素电极的与所述一边侧相对的另一边侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024843A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010284220.3
申请日：2010-09-14
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3246 , H01L27/3272
Abstract: 本发明的发光面板以及发光面板的制造方法，减少在发光面板的制造时使用的光掩模，实现开口率的提高。具备：遮光部，形成在基板(2)的上部，具有开口；第一电极(41)，形成在遮光部的开口的上部；隔壁(6)，具有第一电极(41)露出的开口(8)；载体输送层(42)，形成在第一电极(41)上，至少由一层构成；以及第二电极(46)，形成在隔壁(6)及载体输送层(42)上；遮光部的形状与隔壁(6)的形状对应。
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公开(公告)号：CN102573164B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110296194.0
申请日：2011-09-27
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H05B33/02
CPC classification number: H01L27/3262 , G09G3/325 , G09G2300/0465 , G09G2300/0809 , G09G2300/0866 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/3265 , H01L2227/323
Abstract: 一种发光装置，具备：发光元件，包括第一电极、与上述第一电极对置的第二电极以及设置在上述第一电极和上述第二电极之间的发光层；电容器，具有形成在与上述发光元件重叠的位置上的第三电极和设置在上述第一电极和上述第三电极之间的绝缘层；第一驱动晶体管，配置在上述第一电极的第一边侧，具有栅电极；及第二驱动晶体管，配置在上述第一电极的第二边侧，具有栅电极，该栅电极经由上述第三电极与上述第一驱动晶体管的上述栅电极连接。
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公开(公告)号：CN102024843B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010284220.3
申请日：2010-09-14
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3246 , H01L27/3272
Abstract: 本发明的发光面板以及发光面板的制造方法，减少在发光面板的制造时使用的光掩模，实现开口率的提高。具备：遮光部，形成在基板(2)的上部，具有开口；第一电极(41)，形成在遮光部的开口的上部；隔壁(6)，具有第一电极(41)露出的开口(8)；载体输送层(42)，形成在第一电极(41)上，至少由一层构成；以及第二电极(46)，形成在隔壁(6)及载体输送层(42)上；遮光部的形状与隔壁(6)的形状对应。
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公开(公告)号：CN102573164A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110296194.0
申请日：2011-09-27
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H05B33/02
CPC classification number: H01L27/3262 , G09G3/325 , G09G2300/0465 , G09G2300/0809 , G09G2300/0866 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1255 , H01L27/3265 , H01L2227/323
Abstract: 一种发光装置，具备：发光元件，包括第一电极、与上述第一电极对置的第二电极以及设置在上述第一电极和上述第二电极之间的发光层；电容器，具有形成在与上述发光元件重叠的位置上的第三电极和设置在上述第一电极和上述第三电极之间的绝缘层；第一驱动晶体管，配置在上述第一电极的第一边侧，具有栅电极；及第二驱动晶体管，配置在上述第一电极的第二边侧，具有栅电极，该栅电极经由上述第三电极与上述第一驱动晶体管的上述栅电极连接。
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公开(公告)号：CN102208411A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110081419.0
申请日：2011-03-31
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/786 , G09G3/20
CPC classification number: H01L27/3262 , G09G3/3233 , G09G2300/0842 , H01L27/124
Abstract: 本发明涉及半导体装置、发光装置和电子设备。半导体装置具有在基板上设置的第一晶体管和第二晶体管，上述第一晶体管的第一源电极和第一漏电极沿第一方向配置，上述第二晶体管的第二源电极和第二漏电极沿上述第一方向并按与上述第一源电极和上述第一漏电极相反的顺序配置。上述第一源电极和上述第二源电极通过源极连接布线连接，上述第一漏电极和上述第二漏电极通过漏极连接布线连接，上述第一栅电极和上述第二栅电极通过栅极连接布线连接，上述源极连接布线和上述漏极连接布线设置在除了与上述第一栅电极、上述第二栅电极以及上述栅极连接布线重叠的区域之外的区域。
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