-
公开(公告)号：CN103335753B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310220562.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法，涉及一种超微压力传感器。提供一种高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的具有自封装结构的硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法。所述硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片为盒状结构，设有带空腔的基底和感压薄膜；所述感压薄膜设有凸起的梁结构，形成梁膜复合结构；所述感压薄膜的应力集中区的下表面设有连接成惠斯登电桥的4个压敏电阻，通过基底与感压薄膜的键合将压敏电阻密封于真空压力腔中；所述惠斯登电桥通过键合界面预置电极与外界实现电连接。第一阶段：SOI晶圆片上的工艺制作；第二阶段：基底部分的制备；第三阶段：键合及后续工艺。
-
公开(公告)号：CN104200864B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410421891.8
申请日：2014-08-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池，涉及同位素电池。设有衬底、收集电极、半导体纳米管阵列薄膜和同位素辐射源，半导体纳米管阵列薄膜经过表面修饰和掺杂改性形成肖特基结或异质结，同位素辐射源位于半导体纳米管阵列薄膜的纳米管内，收集电极和衬底分别设于半导体纳米管阵列薄膜的上表面和下表面,将半导体纳米管阵列薄膜膜与分别镀有收集电极层的上下衬底封装。基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池可为单层同位素电池，或并联堆垛级联结构同位素电池，或串联堆垛级联结构同位素电池，或串并联堆垛级联结构同位素电池。采用高比表面积、垂直有序的纳米管结构和长半衰期的同位素辐射源，转换效率高。
-
公开(公告)号：CN103335753A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310220562.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法，涉及一种超微压力传感器。提供一种高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的具有自封装结构的硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法。所述硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片为盒状结构，设有带空腔的基底和感压薄膜；所述感压薄膜设有凸起的梁结构，形成梁膜复合结构；所述感压薄膜的应力集中区的下表面设有连接成惠斯登电桥的4个压敏电阻，通过基底与感压薄膜的键合将压敏电阻密封于真空压力腔中；所述惠斯登电桥通过键合界面预置电极与外界实现电连接。第一阶段：SOI晶圆片上的工艺制作；第二阶段：基底部分的制备；第三阶段：键合及后续工艺。
-
公开(公告)号：CN104200864A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410421891.8
申请日：2014-08-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池，涉及同位素电池。设有衬底、收集电极、半导体纳米管阵列薄膜和同位素辐射源，半导体纳米管阵列薄膜经过表面修饰和掺杂改性形成肖特基结或异质结，同位素辐射源位于半导体纳米管阵列薄膜的纳米管内，收集电极和衬底分别设于半导体纳米管阵列薄膜的上表面和下表面,将半导体纳米管阵列薄膜膜与分别镀有收集电极层的上下衬底封装。基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池可为单层同位素电池，或并联堆垛级联结构同位素电池，或串联堆垛级联结构同位素电池，或串并联堆垛级联结构同位素电池。采用高比表面积、垂直有序的纳米管结构和长半衰期的同位素辐射源，转换效率高。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.021 seconds)
