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公开(公告)号：CN103278270B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310220922.9
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法，涉及微压力传感器。提供一种不仅可靠性较高，而且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法。所述岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片设有感压薄膜和带空腔的底座；感压薄膜为正面岛膜复合结构，在岛膜复合结构的应力最大的集中区设有4个压敏电阻，4个压敏电阻通过金属电极构成惠斯登电桥，采用硅-玻璃阳极键合工艺将惠斯登电桥密封于密闭绝压腔内，所述惠斯登电桥通过金属引线将界面预置电极与外部测试设备连接，构成一个完整的压力敏感和测量系统。SOI晶圆片上的工艺制作；基底部分的制备；键合及后续工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104200864A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410421891.8
申请日：2014-08-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池，涉及同位素电池。设有衬底、收集电极、半导体纳米管阵列薄膜和同位素辐射源，半导体纳米管阵列薄膜经过表面修饰和掺杂改性形成肖特基结或异质结，同位素辐射源位于半导体纳米管阵列薄膜的纳米管内，收集电极和衬底分别设于半导体纳米管阵列薄膜的上表面和下表面,将半导体纳米管阵列薄膜膜与分别镀有收集电极层的上下衬底封装。基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池可为单层同位素电池，或并联堆垛级联结构同位素电池，或串联堆垛级联结构同位素电池，或串并联堆垛级联结构同位素电池。采用高比表面积、垂直有序的纳米管结构和长半衰期的同位素辐射源，转换效率高。
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公开(公告)号：CN104200864B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410421891.8
申请日：2014-08-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池，涉及同位素电池。设有衬底、收集电极、半导体纳米管阵列薄膜和同位素辐射源，半导体纳米管阵列薄膜经过表面修饰和掺杂改性形成肖特基结或异质结，同位素辐射源位于半导体纳米管阵列薄膜的纳米管内，收集电极和衬底分别设于半导体纳米管阵列薄膜的上表面和下表面,将半导体纳米管阵列薄膜膜与分别镀有收集电极层的上下衬底封装。基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池可为单层同位素电池，或并联堆垛级联结构同位素电池，或串联堆垛级联结构同位素电池，或串并联堆垛级联结构同位素电池。采用高比表面积、垂直有序的纳米管结构和长半衰期的同位素辐射源，转换效率高。
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公开(公告)号：CN104591076B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510006615.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于纳米结构的红外光源芯片，涉及红外技术领域。设有衬底、支撑层、电加热层、纳米结构辐射层、金属电极；所述纳米结构辐射层采用紧密排列的多孔纳米结构，纳米结构辐射层覆盖在电加热层表面，纳米结构辐射层用于辐射红外射线，电加热层设于支撑层上方，电加热层用于对纳米结构辐射层传递热量；所述支撑层、电加热层、纳米结构辐射层均悬浮在衬底上方并形成悬浮桥面结构；衬底呈框架结构并为支撑层、电加热层、纳米结构辐射层提供支撑。采用紧密排列的纳米深孔薄膜结构作为辐射层辐射红外射线，采用电化学阳极氧化的方法制备纳米结构辐射层，通过控制反应时间可以控制孔径大小以及孔的深度。
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公开(公告)号：CN104591076A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510006615.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 厦门大学
IPC: B81B7/02
Abstract: 一种基于纳米结构的红外光源芯片，涉及红外技术领域。设有衬底、支撑层、电加热层、纳米结构辐射层、金属电极；所述纳米结构辐射层采用紧密排列的多孔纳米结构，纳米结构辐射层覆盖在电加热层表面，纳米结构辐射层用于辐射红外射线，电加热层设于支撑层上方，电加热层用于对纳米结构辐射层传递热量；所述支撑层、电加热层、纳米结构辐射层均悬浮在衬底上方并形成悬浮桥面结构；衬底呈框架结构并为支撑层、电加热层、纳米结构辐射层提供支撑。采用紧密排列的纳米深孔薄膜结构作为辐射层辐射红外射线，采用电化学阳极氧化的方法制备纳米结构辐射层，通过控制反应时间可以控制孔径大小以及孔的深度。
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公开(公告)号：CN103278270A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310220922.9
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法，涉及微压力传感器。提供一种不仅可靠性较高，而且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片及制造方法。所述岛膜自封装结构的硅-玻璃微压力传感器芯片设有感压薄膜和带空腔的底座；感压薄膜为正面岛膜复合结构，在岛膜复合结构的应力最大的集中区设有4个压敏电阻，4个压敏电阻通过金属电极构成惠斯登电桥，采用硅-玻璃阳极键合工艺将惠斯登电桥密封于密闭绝压腔内，所述惠斯登电桥通过金属引线将界面预置电极与外部测试设备连接，构成一个完整的压力敏感和测量系统。SOI晶圆片上的工艺制作；基底部分的制备；键合及后续工艺。
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