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公开(公告)号：CN103335753B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310220562.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法，涉及一种超微压力传感器。提供一种高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的具有自封装结构的硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法。所述硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片为盒状结构，设有带空腔的基底和感压薄膜；所述感压薄膜设有凸起的梁结构，形成梁膜复合结构；所述感压薄膜的应力集中区的下表面设有连接成惠斯登电桥的4个压敏电阻，通过基底与感压薄膜的键合将压敏电阻密封于真空压力腔中；所述惠斯登电桥通过键合界面预置电极与外界实现电连接。第一阶段：SOI晶圆片上的工艺制作；第二阶段：基底部分的制备；第三阶段：键合及后续工艺。
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公开(公告)号：CN104200864A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410421891.8
申请日：2014-08-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池，涉及同位素电池。设有衬底、收集电极、半导体纳米管阵列薄膜和同位素辐射源，半导体纳米管阵列薄膜经过表面修饰和掺杂改性形成肖特基结或异质结，同位素辐射源位于半导体纳米管阵列薄膜的纳米管内，收集电极和衬底分别设于半导体纳米管阵列薄膜的上表面和下表面,将半导体纳米管阵列薄膜膜与分别镀有收集电极层的上下衬底封装。基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池可为单层同位素电池，或并联堆垛级联结构同位素电池，或串联堆垛级联结构同位素电池，或串并联堆垛级联结构同位素电池。采用高比表面积、垂直有序的纳米管结构和长半衰期的同位素辐射源，转换效率高。
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公开(公告)号：CN104200864B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410421891.8
申请日：2014-08-25
Applicant: 厦门大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 一种基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池，涉及同位素电池。设有衬底、收集电极、半导体纳米管阵列薄膜和同位素辐射源，半导体纳米管阵列薄膜经过表面修饰和掺杂改性形成肖特基结或异质结，同位素辐射源位于半导体纳米管阵列薄膜的纳米管内，收集电极和衬底分别设于半导体纳米管阵列薄膜的上表面和下表面,将半导体纳米管阵列薄膜膜与分别镀有收集电极层的上下衬底封装。基于宽禁带半导体纳米管阵列薄膜结构的同位素电池可为单层同位素电池，或并联堆垛级联结构同位素电池，或串联堆垛级联结构同位素电池，或串并联堆垛级联结构同位素电池。采用高比表面积、垂直有序的纳米管结构和长半衰期的同位素辐射源，转换效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104591076B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201510006615.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于纳米结构的红外光源芯片，涉及红外技术领域。设有衬底、支撑层、电加热层、纳米结构辐射层、金属电极；所述纳米结构辐射层采用紧密排列的多孔纳米结构，纳米结构辐射层覆盖在电加热层表面，纳米结构辐射层用于辐射红外射线，电加热层设于支撑层上方，电加热层用于对纳米结构辐射层传递热量；所述支撑层、电加热层、纳米结构辐射层均悬浮在衬底上方并形成悬浮桥面结构；衬底呈框架结构并为支撑层、电加热层、纳米结构辐射层提供支撑。采用紧密排列的纳米深孔薄膜结构作为辐射层辐射红外射线，采用电化学阳极氧化的方法制备纳米结构辐射层，通过控制反应时间可以控制孔径大小以及孔的深度。
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公开(公告)号：CN104591076A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510006615.X
申请日：2015-01-07
Applicant: 厦门大学
IPC: B81B7/02
Abstract: 一种基于纳米结构的红外光源芯片，涉及红外技术领域。设有衬底、支撑层、电加热层、纳米结构辐射层、金属电极；所述纳米结构辐射层采用紧密排列的多孔纳米结构，纳米结构辐射层覆盖在电加热层表面，纳米结构辐射层用于辐射红外射线，电加热层设于支撑层上方，电加热层用于对纳米结构辐射层传递热量；所述支撑层、电加热层、纳米结构辐射层均悬浮在衬底上方并形成悬浮桥面结构；衬底呈框架结构并为支撑层、电加热层、纳米结构辐射层提供支撑。采用紧密排列的纳米深孔薄膜结构作为辐射层辐射红外射线，采用电化学阳极氧化的方法制备纳米结构辐射层，通过控制反应时间可以控制孔径大小以及孔的深度。
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公开(公告)号：CN103335753A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310220562.2
申请日：2013-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法，涉及一种超微压力传感器。提供一种高可靠性且适用于潮湿、酸碱、静电等恶劣环境下的具有自封装结构的硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片及制造方法。所述硅-玻璃基梁膜结构的超微压力传感器芯片为盒状结构，设有带空腔的基底和感压薄膜；所述感压薄膜设有凸起的梁结构，形成梁膜复合结构；所述感压薄膜的应力集中区的下表面设有连接成惠斯登电桥的4个压敏电阻，通过基底与感压薄膜的键合将压敏电阻密封于真空压力腔中；所述惠斯登电桥通过键合界面预置电极与外界实现电连接。第一阶段：SOI晶圆片上的工艺制作；第二阶段：基底部分的制备；第三阶段：键合及后续工艺。
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公开(公告)号：CN204625851U
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201520332694.9
申请日：2015-05-22
Applicant: 厦门大学
IPC: D01D5/00
Abstract: 一种多喷头振动气刀辅助静电纺丝装置，涉及静电纺丝装置。设有高压电源、多射流喷头、驻波发生器、供液装置、气体过滤分流器、气刀供气泵、振动装置、内筒网孔收集器、抽气泵、外金属收集罩、引导漏斗、气刀；所述供液装置通过软管与多射流喷头连接，多射流喷头内部设有溶液槽，驻波发生器与溶液槽中溶液连接；高压电源的正电接口与多射流喷头连接，负电接口接地；多射流喷头下方设有收集装置，收集装置由内筒网孔收集器与外金属收集罩连接组成，收集装置接地，收集装置上方开口处置有引导漏斗，引导漏斗上方悬空放置气刀，气刀通过气体过滤分流器与气刀供气泵连接，外金属收集罩底部固定有振动装置，抽气泵通过气管与内筒网孔收集器底端连接。
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公开(公告)号：CN217772904U
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202220251484.7
申请日：2022-02-07
Applicant: 厦门大学附属第一医院
IPC: A61M5/14
Abstract: 本实用新型公开了一种带升降功能的骨科手术用输液架，包括支杆，所述支杆的四侧顶部均固定安装有输液挂钩，所述支杆上滑动套设有竖管，竖管的右侧内壁上转动安装有螺杆，支杆螺纹套设在螺杆上，竖管的右侧内壁上固定安装有驱动电机，且驱动电机的输出轴顶端与螺杆的底端固定连接，竖管的两侧顶部均固定连接有顶部为开口设置的放置盒，支杆的两侧均固定连接有盖板，盖板的底部与对应的放置盒的顶部活动接触，所述竖管的底端固定连接有底座。本实用新型便于移动，便于单驱动实现快速稳停和调整挂置高度的功能，提高使用灵活性和使用时的停放稳定性，降低使用时的位移风险，满足使用需求，有利于使用。
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