公开(公告)号：CN106868580A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710118094.6

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张子启 ,  韩响 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: C25F3/12 ,  C30B33/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；将硅片置于电化学腐蚀槽中；配制电解液；分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；将得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料，所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。

公开(公告)号：CN106868580B

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201710118094.6

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  张子启 ,  韩响 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: C25F3/12 ,  C30B33/10 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于电化学腐蚀的硅纳米带的制备方法，涉及硅纳米带。把P型掺杂的硅片切成方形，在硅片背面溅射铜电极；将硅片置于电化学腐蚀槽中；配制电解液；分别把硅片的背电极接电源阳极，电解液接电源阴极进行电化学腐蚀和硅纳米带剥离；将得到的硅片冲洗，烘干，即得硅纳米带。创造性地制备出结构新颖、分布均匀有序的硅纳米带二维材料，所采用的电化学腐蚀方法是一种简易、低成本的新方法。

公开(公告)号：CN106847681B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201710118093.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/60 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。

公开(公告)号：CN106847681A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710118093.1

申请日：2017-03-01

Applicant: 厦门大学

Inventor： 陈松岩 ,  柯少颖 ,  林绍铭 ,  李成 ,  黄巍

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/60 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01L21/20 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35 ,  H01L24/03

Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。