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公开(公告)号：CN111106166A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911147583.X
申请日：2019-11-21
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种单层二硫化锡薄膜及其二维异质结和制备方法，以硫化亚锡粉末和硫粉为原料，利用化学气相沉积法在石墨烯基底上制备生成大面积单层二硫化锡半导体薄膜，构建新型二维垂直异质结构。本发明制备的单层二硫化锡薄膜结构平整，厚度均匀，尺寸可通过改变工艺条件进行有效控制；与单原子层厚的石墨烯薄膜构成二维异质结，有助于改善材料体系的结构特性，可应用于微纳光电子器件中。
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