公开(公告)号：CN113471299A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110849437.2

申请日：2021-07-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蒋书森 ,  张玉龙 ,  吕文龙 ,  崔景芹

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管，包括自下到上依次设置的栅极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极；所述有源层包括在绝缘层表面依次交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层。本发明通过将有源层设置为交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层，将Ti4+引入到有源层中，利用Ti4+与O2‑较强的结合能，抑制了薄膜晶体管中的氧缺陷，从而有效调控有源层载流子的浓度，进而提高了薄膜晶体管的电流开关比。实施例的结果显示，本发明提供的薄膜晶体管具有良好的电学性能，电流开关比为不低于105，亚阈值摆幅为0.58～0.68V/dec，低阈值电压为0.52～1.06V。

公开(公告)号：CN101667561B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910112478.2

申请日：2009-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张玉龙 ,  张保平 ,  罗仲梓 ,  蒋书森 ,  张艳 ,  谷丹丹 ,  张春权 ,  李燕飞

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。

公开(公告)号：CN101667561A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910112478.2

申请日：2009-09-04

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张玉龙 ,  张保平 ,  罗仲梓 ,  蒋书森 ,  张艳 ,  谷丹丹 ,  张春权 ,  李燕飞

IPC: H01L23/427 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。

公开(公告)号：CN113471299B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202110849437.2

申请日：2021-07-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蒋书森 ,  张玉龙 ,  吕文龙 ,  崔景芹

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管，包括自下到上依次设置的栅极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极；所述有源层包括在绝缘层表面依次交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层。本发明通过将有源层设置为交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层，将Ti4+引入到有源层中，利用Ti4+与O2‑较强的结合能，抑制了薄膜晶体管中的氧缺陷，从而有效调控有源层载流子的浓度，进而提高了薄膜晶体管的电流开关比。实施例的结果显示，本发明提供的薄膜晶体管具有良好的电学性能，电流开关比为不低于105，亚阈值摆幅为0.58～0.68V/dec，低阈值电压为0.52～1.06V。

公开(公告)号：CN111455351A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010277909.7

申请日：2020-04-10

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蒋书森 ,  吕文龙

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明提供了一种氮化铝-氧化铝薄膜及其制备方法和应用，属于电子器件技术领域。本发明提供的氮化铝-氧化铝薄膜的制备方法先将衬底升温至150～350℃，得到待沉积硅衬底；在真空条件下，向原子层沉积室通入三甲基铝气流，得到第一原子沉积层；通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化，然后向原子层沉积室通入氨水气流，得到第一氮化铝-氧化铝沉积层；通过氮气流吹扫对原子层沉积室进行净化；重复通入三甲基铝气流-净化-通入氨水气流-净化的步骤，在待沉积硅衬底上得到氮化铝-氧化铝薄膜。本发明得到的氮化铝-氧化铝薄膜具有较低的漏电流密度，介电性能优异。