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公开(公告)号：CN112260617A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011127650.4
申请日：2020-10-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H02S20/26 , H01L51/42 , G02F1/153 , G02F1/1524
Abstract: 一种自驱动整合式光致电变色组件节能玻璃，涉及电致变色器件。所述自驱动整合式光致电变色组件节能玻璃包括玻璃基底层和两层导电电级层；玻璃基底层设在两层导电电级层的任一外侧，两层导电电级层间设有钙钛矿太阳能电池部分和电致变色器件部分，两部分通过激光切割区域进行分离；钙钛矿太阳能电池部分依次设有电子传输层、钙钛矿薄膜层和空穴传输层；电致变色器件部分依次设有电致变色层、锂离子导体层和储锂层，锂离子导体层设在电致变色层和储锂层之间。制备方法简单，钙钛矿电池和电致变色变色区域的图案分配可根据实际需要在一个平面上进行自由组合和排布，不会互相影响，能发挥自身发电状态与光穿透度调控，优化能源与光学调控管理。
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公开(公告)号：CN102642808B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201210145546.7
申请日：2012-05-11
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 基于静电键合的玻璃/硅/玻璃三层结构材料的制备方法，涉及一种用于制作微纳器件的三层结构材料。采用阳极键合将硅片与第1玻璃片键合得硅/第1玻璃组合片；采用磁控溅射法在硅/第1玻璃组合片的双面溅射金属得覆盖硅/第1玻璃组合片外表面金属结构；采用机械磨削法去除覆盖硅/第1玻璃组合片外表面金属结构靠近硅片一侧表面的金属，采用化学机械抛光法抛光裸露的硅片表面，加工后硅/第1玻璃组合片的第1玻璃片表面及侧壁覆盖有金属；将硅/第1玻璃组合片以及第2玻璃片置于键合机中，硅/第1玻璃组合片覆盖金属的第1玻璃片一侧连接键合机正极，正电压通过金属电极连接至硅片，第2玻璃片连接键合机负极，采用阳极键合加工得产物。
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公开(公告)号：CN119081697A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411198952.9
申请日：2024-08-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于红外发光体技术领域，具体公开了一种液相成型陶瓷‑改性填料复合红外发光体及其制备方法，其中液相成型陶瓷‑改性填料复合红外发光体的结构自下而上依次包括基底、过渡层以及功能层；所述过渡层为高温绝缘材料掺杂先驱体聚合物陶瓷通过高温热解固化制得，所述功能层为先驱体聚合物陶瓷混合改性填料高温热解固化制得。液相成型陶瓷具有优异的高温性能，具有灵活的加工工艺并且可以与MEMS工艺相兼容，可以通过改性填料掺杂调控材料的性能，提高红外发光体的高温稳定性，缩短设计周期，降低制备成本，提高发光体的频谱效率。
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公开(公告)号：CN112260617B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202011127650.4
申请日：2020-10-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H02S20/26 , H01L51/42 , G02F1/153 , G02F1/1524
Abstract: 一种自驱动整合式光致电变色组件节能玻璃，涉及电致变色器件。所述自驱动整合式光致电变色组件节能玻璃包括玻璃基底层和两层导电电极层；玻璃基底层设在两层导电电极层的任一外侧，两层导电电极层间设有钙钛矿太阳能电池部分和电致变色器件部分，两部分通过激光切割区域进行分离；钙钛矿太阳能电池部分依次设有电子传输层、钙钛矿薄膜层和空穴传输层；电致变色器件部分依次设有电致变色层、锂离子导体层和储锂层，锂离子导体层设在电致变色层和储锂层之间。制备方法简单，钙钛矿电池和电致变色变色区域的图案分配可根据实际需要在一个平面上进行自由组合和排布，不会互相影响，能发挥自身发电状态与光穿透度调控，优化能源与光学调控管理。
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公开(公告)号：CN102019240A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010611543.9
申请日：2010-12-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 可起停控制的电纺直写喷头，涉及一种电纺直写喷头。提供一种可自动起停控制、降低喷射开启电压、实现喷射与直写图案特征有机结合、完成复杂图案微纳米结构直写的可起停控制的电纺直写喷头。设带喷头空心套管、带螺纹调节塞、线圈、衔铁、回位弹簧、探针、排气管道；带喷头空心套管前端设有喷孔和注入孔，带螺纹调节塞设于带喷头空心套管后端，线圈套在带喷头空心套管外侧，衔铁设于带喷头空心套管内，探针与衔铁固连，探针前端位于带喷头空心套管前端的喷孔中，探针后端与回位弹簧一端固连，回位弹簧另一端与带螺纹调节塞内端固连，排气管道设于带螺纹调节塞上，排气管道内端与带喷头空心套管内腔相通，排气管道外端与外界相通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100513298C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610135263.9
申请日：2006-11-28
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 硅金键合方法，涉及一种硅金键合方法。提供一种可提高硅金键合晶片的键合品质，基于硅基多孔氧化铝的新型MEMS器件硅金键合方法。步骤为采用两步恒压阳极氧化法制备硅基多孔氧化铝薄膜：用电子束蒸发方法在硅片上制备一层厚度1.0～1.5μm的铝膜，一次氧化后用6wt%的磷酸和1.8wt%的铬酸混合液去除一次氧化膜，再二次氧化后用5wt%的磷酸进行扩孔处理；制备键合晶片：将Si-AAO-Ti-Au与Si-Ti-Au 2片硅片放入键合器，烘干后在N2保护下退火得键合晶片。硅金键合晶片的键合强度由1.78MPa提高到3.03MPa，晶片的键合品质得到显著提高；而晶片的断裂界面没有发生什么变化，说明基于AAO的硅金键合晶片依然遵循硅金键合晶片的断裂特性。
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公开(公告)号：CN113471299A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110849437.2
申请日：2021-07-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管，包括自下到上依次设置的栅极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极；所述有源层包括在绝缘层表面依次交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层。本发明通过将有源层设置为交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层，将Ti4+引入到有源层中，利用Ti4+与O2‑较强的结合能，抑制了薄膜晶体管中的氧缺陷，从而有效调控有源层载流子的浓度，进而提高了薄膜晶体管的电流开关比。实施例的结果显示，本发明提供的薄膜晶体管具有良好的电学性能，电流开关比为不低于105，亚阈值摆幅为0.58～0.68V/dec，低阈值电压为0.52～1.06V。
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公开(公告)号：CN102494813A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110394692.9
申请日：2011-12-02
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于带有耦合梁差动结构的硅微谐振式压力传感器，涉及一种传感器。设谐振子、矩形硅岛、矩形压力敏感膜片、硅边框和下层玻璃；谐振子设有支撑梁、耦合梁、可动梳齿激励电极、可动梳齿检测电极、固定梳齿激励电极、固定梳齿检测电极和振动质量块，矩形压力敏感膜片固定在硅边框内部，矩形硅岛设在矩形压力敏感膜片受力偏转角度最大的位置，矩形硅岛通过支撑梁将谐振子悬置于矩形压力敏感膜片表面，支撑梁与矩形硅岛相连；引线电极通过柔性梁与谐振子连接；支撑梁设在谐振子四角，振动质量块与矩形硅岛相连，设于谐振子中间的机械耦合梁用于连接振动质量块，振动质量块和耦合梁都处于悬置状态，振动质量块上设有孔；下层玻璃设于硅边框底部。
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公开(公告)号：CN113471299B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110849437.2
申请日：2021-07-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管，包括自下到上依次设置的栅极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极；所述有源层包括在绝缘层表面依次交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层。本发明通过将有源层设置为交替层叠排列的氧化铟层和氧化钛层，将Ti4+引入到有源层中，利用Ti4+与O2‑较强的结合能，抑制了薄膜晶体管中的氧缺陷，从而有效调控有源层载流子的浓度，进而提高了薄膜晶体管的电流开关比。实施例的结果显示，本发明提供的薄膜晶体管具有良好的电学性能，电流开关比为不低于105，亚阈值摆幅为0.58～0.68V/dec，低阈值电压为0.52～1.06V。
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