公开(公告)号：CN108122855B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201710148905.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘承勋 ,  古进誉 ,  王荣德 ,  谢维伦 ,  王家桦 ,  陈正泓 ,  蔡佩杏

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体结构具有半导体装置、第一密封环及第二密封环。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘。所述第二密封环安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。本发明实施例还提供一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN109727954A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810273140.4

申请日：2018-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王荣德 ,  刘承勋 ,  古进誉 ,  庞德勋 ,  王家桦 ,  蔡佩杏 ,  林柏瑺

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体结构包括半导体装置、第一密封环、第二密封环及多个半导体穿孔(through semiconductor via，TSV)。半导体装置具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。第一密封环安置在半导体装置的第一表面上且与第一表面的边缘相邻。第二密封环安置在半导体装置的第二表面上且与第二表面的边缘相邻。半导体穿孔穿过半导体装置且物理连接(physically connect)第一密封环及第二密封环。

公开(公告)号：CN108122855A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710148905.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘承勋 ,  古进誉 ,  王荣德 ,  谢维伦 ,  王家桦 ,  陈正泓 ,  蔡佩杏

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/3171

Abstract: 一种半导体结构具有半导体装置、第一密封环及第二密封环。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘。所述第二密封环安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。本发明实施例还提供一种半导体制造方法。