公开(公告)号：CN108122855B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201710148905.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘承勋 ,  古进誉 ,  王荣德 ,  谢维伦 ,  王家桦 ,  陈正泓 ,  蔡佩杏

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体结构具有半导体装置、第一密封环及第二密封环。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘。所述第二密封环安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。本发明实施例还提供一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN103915374B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310127589.7

申请日：2013-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜家玮 ,  郭彦良 ,  谢维伦 ,  蔡宗甫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

Abstract: 本发明公开了钝化后互连结构及其形成方法。一种方法包括：在钝化层上方形成聚合物层，其中钝化层还包括位于金属焊盘上方的一部分。图案化聚合物层以在聚合物层中形成开口，其中聚合物层的暴露表面具有第一粗糙度。实施表面处理以使聚合物层的粗糙度增加至大于第一粗糙度的第二粗糙度。在聚合物层的暴露表面上方形成金属部件。

公开(公告)号：CN103915374A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310127589.7

申请日：2013-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杜家玮 ,  郭彦良 ,  谢维伦 ,  蔡宗甫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11

Abstract: 本发明公开了钝化后互连结构及其形成方法。一种方法包括：在钝化层上方形成聚合物层，其中钝化层还包括位于金属焊盘上方的一部分。图案化聚合物层以在聚合物层中形成开口，其中聚合物层的暴露表面具有第一粗糙度。实施表面处理以使聚合物层的粗糙度增加至大于第一粗糙度的第二粗糙度。在聚合物层的暴露表面上方形成金属部件。

公开(公告)号：CN108122855A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710148905.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘承勋 ,  古进誉 ,  王荣德 ,  谢维伦 ,  王家桦 ,  陈正泓 ,  蔡佩杏

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/3171

Abstract: 一种半导体结构具有半导体装置、第一密封环及第二密封环。所述半导体装置具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一密封环安置于所述半导体装置的所述第一表面上且相邻于所述第一表面的边缘。所述第二密封环安置于所述半导体装置的所述第二表面上且相邻于所述第二表面的边缘。本发明实施例还提供一种半导体制造方法。