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公开(公告)号：CN111960391A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010904036.8
申请日：2020-09-01
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及富氮材料制备技术领域，提供了一种五唑钠的高压制备方法。本发明将叠氮化钠装填在金刚石对顶砧样品腔中，然后对样品腔内的叠氮化钠进行加压，得到五唑钠；所述加压的压力为21.6GPa以上。本发明提供的方法通过简单的一步加压处理即可得五唑钠，无需加热，也无需加入任何传压介质，整个过程不会引入其他杂质，既节省了合成成本，又不会污染环境，方法简单，安全可靠。
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公开(公告)号：CN105540558A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610051462.5
申请日：2016-01-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/087
CPC classification number: C01B21/087 , C01P2002/30 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/30
Abstract: 本发明提供了一种聚合氮的制备方法，包括以下步骤：在金刚石对顶砧的样品腔中填充叠氮化铵，加压至20GPa以上，得到聚合氮。本发明还提供了一种上述技术方案所述的方法制备得到的聚合氮，其氮原子间通过氮氮单键键合，悬键由氢原子饱和，是一种高分子聚合体。该聚合氮的晶体结构为正交结构(P212121)，理论预测其能量密度为6.03KJ/g，是具有重要应用前景的高能量密度材料。本发明提供的方法中，制备聚合氮的条件为室温、20GPa压力，即能获得氮氮单键键合的长链聚合氮，制备条件温和，是商用大腔体压机能够达到的压力条件，为聚合氮的宏观量制备提供重要实验依据。同时，本发明提供的方法简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN105540561B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201610103715.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种磷化镍纳米晶的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。在100～200℃下，将TMSP前体溶液注入到N2保护的羧酸镍前体溶液中，反应5～30分钟，反应结束后加入丙酮、异丙醇或者乙醇致纳米晶沉淀，离心分离得到尺寸为3～8nm的小尺寸磷化镍纳米晶。本发明制备的纳米晶尺寸均一、较小，具有良好的单分散性，整个反应操作简单，反应温度较低，产物具有较高电催化制氢性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105523585A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610103739.4
申请日：2016-02-26
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/22
Abstract: 本发明的一种二维MoS2纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备的技术领域。在氮气保护320～370℃下，向钼前体溶液中迅速注入硫代乙酰胺前体溶液，反应1～30分钟，得到单层二维MoS2纳米片，再重复1～2遍“向反应体系中迅速注入钼前体溶液，然后以2秒/滴的速度注入硫代乙酰胺前体溶液，然后反应10分钟”的操作，得到三层或五层二维MoS2纳米片。本发明制备的纳米片尺寸均一，厚度可控，具有良好的单分散性，应用前景广泛，整个反应操作简单，原料易得。
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公开(公告)号：CN105540558B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201610051462.5
申请日：2016-01-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/087
Abstract: 本发明提供了一种聚合氮的制备方法，包括以下步骤：在金刚石对顶砧的样品腔中填充叠氮化铵，加压至20GPa以上，得到聚合氮。本发明还提供了一种上述技术方案所述的方法制备得到的聚合氮，其氮原子间通过氮氮单键键合，悬键由氢原子饱和，是一种高分子聚合体。该聚合氮的晶体结构为正交结构(P212121)，理论预测其能量密度为6.03KJ/g，是具有重要应用前景的高能量密度材料。本发明提供的方法中，制备聚合氮的条件为室温、20GPa压力，即能获得氮氮单键键合的长链聚合氮，制备条件温和，是商用大腔体压机能够达到的压力条件，为聚合氮的宏观量制备提供重要实验依据。同时，本发明提供的方法简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN111977620A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010902808.4
申请日：2020-09-01
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/06 , C07D259/00
Abstract: 本发明涉及富氮材料制备技术领域，提供了一种五唑锂的高温高压制备方法。本发明将叠氮化锂粉末和液氮装填在金刚石对顶砧样品腔中，然后对样品腔内的混合物进行加压和激光加热，得到五唑锂；所述加压的压力为40GPa以上，所述激光加热的温度为1800K以上，所述叠氮化锂和液氮的体积比为2:1以上。本发明利用高温高压条件使叠氮化锂解离并与纯氮发生重组，从而得到五唑锂；并且本申请通过对叠氮化锂和液氮体积比的控制，确保叠氮化锂解离后能够与纯氮更好的结合，从而保证五唑锂的生成，并提高五唑锂的生成量。
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公开(公告)号：CN105523585B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610103739.4
申请日：2016-02-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种二维MoS2纳米片的制备方法，属于半导体纳米材料制备的技术领域。在氮气保护320～370℃下，向钼前体溶液中迅速注入硫代乙酰胺前体溶液，反应1～30分钟，得到单层二维MoS2纳米片，再重复1～2遍“向反应体系中迅速注入钼前体溶液，然后以2秒/滴的速度注入硫代乙酰胺前体溶液，然后反应10分钟”的操作，得到三层或五层二维MoS2纳米片。本发明制备的纳米片尺寸均一，厚度可控，具有良好的单分散性，应用前景广泛，整个反应操作简单，原料易得。
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公开(公告)号：CN105540561A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610103715.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C01B25/08 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/64
Abstract: 本发明的一种磷化镍纳米晶的制备方法属于半导体纳米材料制备的技术领域。在100～200℃下，将TMSP前体溶液注入到N2保护的羧酸镍前体溶液中，反应5～30分钟，反应结束后加入丙酮、异丙醇或者乙醇致纳米晶沉淀，离心分离得到尺寸为3～8nm的小尺寸磷化镍纳米晶。本发明制备的纳米晶尺寸均一、较小，具有良好的单分散性，整个反应操作简单，反应温度较低，产物具有较高电催化制氢性能。
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