公开(公告)号：CN103137437A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210477835.7

申请日：2012-11-22

Applicant: 吕宗昕

Inventor： 吕宗昕 ,  陈富珊

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/5866 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造掺杂Bi的IB-IIIA-ⅥA化合物的光吸收层的方法与包含其的太阳能电池。光吸收层的制备方法包括：将含有元素周期表IB族、ⅢA族和铋(Bi,Bismuth)的化合物置于包括ⅥA族化合物的气氛中进行热处理，使该化合物形成掺杂Bi(bismuth-doped)的IB-ⅢA-ⅥA化合物。另外，本发明亦提供一种制作掺杂Bi的光吸收层的太阳能电池，该光吸收层是由上述方法制备而得，可进一步应用于制作光电材料。

公开(公告)号：CN103137437B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210477835.7

申请日：2012-11-22

Applicant: 吕宗昕

Inventor： 吕宗昕 ,  陈富珊

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/5866 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造掺杂Bi的IB?IIIA?ⅥA化合物的光吸收层的方法与包含其的太阳能电池。光吸收层的制备方法包括：将含有元素周期表IB族、ⅢA族和铋(Bi,Bismuth)的化合物置于包括ⅥA族化合物的气氛中进行热处理，使该化合物形成掺杂Bi(bismuth?doped)的IB?ⅢA?ⅥA化合物。另外，本发明亦提供一种制作掺杂Bi的光吸收层的太阳能电池，该光吸收层是由上述方法制备而得，可进一步应用于制作光电材料。