公开(公告)号：CN108291329A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680068330.1

申请日：2016-08-29

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 岩井真 ,  吉野隆史

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B29/38 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/205 ,  H01L21/208 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 结晶基板1包括：由13族元素氮化物结晶形成、具有第一主面2a和第二主面2b的基底层2、以及、设置在基底层的第一主面上的由13族元素氮化物形成的厚膜3。基底层2包含：在第一主面2a与第二主面2b之间贯穿的低载流子浓度区域5和高载流子浓度区域4，低载流子浓度区域5的载流子浓度为1017/cm3以下，低载流子浓度区域5的缺陷密度为107/cm2以下，高载流子浓度区域4的载流子浓度为1019/cm3以上，高载流子浓度区域4的缺陷密度为108/cm2以上。厚膜3的载流子浓度为1018/cm3～1019/cm3，厚膜3的缺陷密度为107/cm2以下。

公开(公告)号：CN107658212A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710907263.4

申请日：2011-12-09

Applicant: 帝人株式会社

Inventor： 富泽由香 ,  池田吉纪 ,  今村哲也

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/225 ,  H01L29/04 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C01B33/02

CPC classification number: H01L29/36 ,  C01B33/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2254 ,  H01L29/045 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/186 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供半导体层叠体、半导体装置，以及它们的制造方法。提供半导体装置的制造方法。另外，能使用该方法获得的半导体装置，以及能够用于该方法的分散体。制造半导体装置（500a）的本发明的方法包含下述工序（a）～（c），且第1掺杂剂注入层（52）的晶体取向与由半导体元素形成的半导体层或基材（10）的晶体取向相同：（a）对层或基材的特定部位适用含有经过掺杂的粒子的分散体，和（b）将适用的分散体干燥，形成未烧结掺杂剂注入层，以及（c）通过对未烧结掺杂剂注入层进行光照射，对层或基材的特定部位通过p型或n型掺杂剂进行掺杂，同时使未烧结掺杂剂注入层烧结，形成与层或基材一体化的掺杂剂注入层。

公开(公告)号：CN107408589A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680004837.0

申请日：2016-01-05

Applicant: 纽约州立大学研究基金会

Inventor： 道格拉斯·酷宝赫 ,  托马斯·亚当 ,  杰拉尔德·L·莱克

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/028 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/132 ,  G02B6/134 ,  G02B6/136 ,  H01L27/146

CPC classification number: G02B6/13 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/132 ,  G02B6/1347 ,  G02B6/136 ,  G02B6/43 ,  G02B2006/121 ,  G02B2006/12104 ,  G02B2006/12123 ,  G02B2006/12169 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2033 ,  H01L21/2053 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1808 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  G02B6/131

Abstract: 光子器件结构在一个方面可包括通过将适于传播光能的波导材料图案化形成的一个或多个波导。这种波导材料可包括硅(单晶硅、多晶硅、或非晶线硅)和氮化硅的一种或多种。

公开(公告)号：CN105164790B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201480024949.3

申请日：2014-03-28

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 樱田昌弘

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/167 ,  C30B15/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B29/68 ,  C30B31/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/3225

Abstract: 本发明是一种硅磊晶晶圆及其制造方法，该硅磊晶晶圆在对如下单晶硅棒进行切割而制造的硅基板(10)上，具有第二中间磊晶层(22)和掺杂有掺杂剂的第一中间磊晶层(21)，在该第一中间磊晶层(21)上层叠有作为组件形成区域的磊晶层(30)，该单晶硅棒是通过CZ法而培育成的碳浓度为3×1016atoms/cm3～2×1017atoms/cm3的单晶硅棒。由此，本发明提供如下硅磊晶晶圆及硅磊晶晶圆的制造方法，该硅磊晶晶圆用于内存、逻辑电路或固态摄影元件等半导体组件基板，并以掺杂有碳的硅基板为原材料，且工业性优异。

公开(公告)号：CN102024887B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201010282757.6

申请日：2010-09-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 荒木正浩 ,  内海孝昭 ,  阪田昌彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/35 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种含有铝的氮化物中间层的制造方法、氮化物层的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法，在利用以连续DC方式施加电压而进行的DC磁控溅射法来层积含有铝的氮化物中间层时，采用以下(1)～(3)中的至少一个条件。(1)把靶电极表面的中心与基板生长面之间的最短距离设定成100mm以上250mm以下。(2)使用氮气作为向DC磁控溅射装置供给的气体。(3)把靶电极相对基板的生长面倾斜配置。

公开(公告)号：CN105977255A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510724065.5

申请日：2015-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 让-皮埃尔·科林格 ,  卡洛斯·H·迪亚兹 ,  杨育佳

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/24 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/426 ,  H01L21/441 ,  H01L21/461 ,  H01L21/477 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823885 ,  H01L21/8256 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/127 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/823807

Abstract: 本发明描述了器件和形成这样的器件的方法，器件具有当为块状时是半金属但是在器件中是半导体的材料。示例性结构包括衬底、第一源极/漏极接触区、沟道结构、栅极电介质、栅电极和第二源极/漏极接触区。衬底具有上表面。沟道结构连接至第一源极/漏极接触区并且位于第一源极/漏极接触区上方，并且沟道结构位于衬底的上表面上方。沟道结构具有在第一源极/漏极接触区之上延伸的侧壁。沟道结构包括含铋半导体材料。栅极电介质为沿着沟道结构的侧壁。栅电极为沿着栅极电介质。第二源极/漏极接触区连接至沟道结构并且位于沟道结构上方。本发明涉及具有为块状半金属的半导体材料的器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103137437B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210477835.7

申请日：2012-11-22

Applicant: 吕宗昕

Inventor： 吕宗昕 ,  陈富珊

IPC: H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0321 ,  C23C14/165 ,  C23C14/5866 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造掺杂Bi的IB?IIIA?ⅥA化合物的光吸收层的方法与包含其的太阳能电池。光吸收层的制备方法包括：将含有元素周期表IB族、ⅢA族和铋(Bi,Bismuth)的化合物置于包括ⅥA族化合物的气氛中进行热处理，使该化合物形成掺杂Bi(bismuth?doped)的IB?ⅢA?ⅥA化合物。另外，本发明亦提供一种制作掺杂Bi的光吸收层的太阳能电池，该光吸收层是由上述方法制备而得，可进一步应用于制作光电材料。

公开(公告)号：CN105602333A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201511028377.9

申请日：2011-06-28

Applicant: 纳克公司

Inventor： 希夫库马尔·基鲁沃卢 ,  伊戈尔·奥尔特曼 ,  伯纳德·M·弗雷 ,  李卫东 ,  刘国钧 ,  罗伯特·B·林奇 ,  吉娜·伊丽莎白·佩格拉-梁 ,  乌马·斯里尼瓦桑

IPC: C09D7/12 ,  C09D7/14 ,  C09D11/10 ,  B82Y30/00

CPC classification number: C09D11/38 ,  B01D21/262 ,  B01J19/121 ,  B01J2219/0869 ,  B01J2219/0871 ,  B01J2219/0875 ,  B82Y30/00 ,  C01B33/02 ,  C08K3/08 ,  C08K3/36 ,  C08K9/02 ,  C09D5/24 ,  C09D7/67 ,  C09D7/68 ,  C09D7/80 ,  C09D11/037 ,  C09D11/101 ,  C09D11/322 ,  C09D11/36 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L23/4828 ,  H01L23/53276 ,  H01L31/00 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1864 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本申请涉及硅/锗纳米粒子墨水和相关方法。本发明还描述了改进的硅纳米粒子墨水，其具有的硅纳米粒子未经任何有机化合物表面改性。硅墨水性质可经改造以用于特定印刷应用，例如喷墨印刷、凹版印刷或丝网印刷。本发明还描述了适当加工方法以不对硅纳米粒子进行表面改性即向墨水设计提供灵活性。

公开(公告)号：CN104812808A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201380061871.8

申请日：2013-10-31

Applicant: 赢创工业集团股份有限公司

Inventor： S.特劳特 ,  S.韦伯 ,  M.帕茨 ,  M.克勒 ,  H.施蒂格 ,  C.瓦尔克纳

IPC: C08G77/60 ,  C07F7/08

CPC classification number: C07F7/0803 ,  C07F7/0827 ,  C07F7/0896 ,  C08G77/60 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02628

Abstract: 本发明的主题是制备含碳的氢硅烷的方法，其中任选的硼掺杂或者磷掺杂的氢硅烷在无催化剂和无还原剂的情况下与至少一种选自直链、支化或者环状的碳硅烷、卤代烃、碳烯、烷基叠氮、重氮甲烷、硫酸二甲酯或者醇的碳源反应；可以根据该方法获得的含碳的氢硅烷低聚物及其用途。

公开(公告)号：CN102326266B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201080008170.4

申请日：2010-10-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长尾宣明 ,  滨田贵裕 ,  伊藤彰宏

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明提供一种发光二极管及其制造方法。在石墨基板上设置无定形碳层，在无定形碳层上通过MOCVD法使AlN的c轴取向膜生长之后，在AlN层上形成GaN的低温生长缓冲层，在低温生长缓冲层上形成n型GaN包覆层，在n型GaN包覆层上形成由InxGa1-xN和GaN构成的多重量子阱层，在多重量子阱层上形成p型GaN包覆层，在p型GaN包覆层上形成p型GaN接触层，相对于AlN层在其上形成的低温生长缓冲层、n型GaN包覆层、多重量子阱层、p型GaN包覆层具有外延生长的结构。